图7.18所示的是一个电容性负载的两级CMOS基本差分运算放大器，其中，Part1为运算放大器的电流镜偏置电路；Part2为运算放大器的第一级放大器；Part3为运算放大器的第二级放大器。第一级放大器为标准基本差分运算放大器，第二级放大器为PMOS管作为负载的NMOS共源放大器
上传时间： 2016-06-16
上传用户：sjr88
本书是作者结合自己多年的科研实践，在参考国内外同类教材的基础上，精心编著而成的。本书结合现代CMOS工艺的发展，从元器件出发，详细分析了各种典型模拟CMOS集成电路的工作原理和设计方法，对模拟CMOS集成电路的研究和设计具有学术和工程实用价值。 全书共分10章，其中前6章介绍CMOS元器件和基本单元电路的基础知识，后4章介绍它们的典型应用，包括开关电容电路、ADC与DAC、振荡器以及锁相环。 本书可供微电子与集成电路设计专业的研究生以及高年级本科生作为教材使用（大约需要60学时），也可供模拟集成电路设计工程师参考。
标签： CMOS 模拟集成 电路设计 拉扎维 陈贵灿
上传时间： 2016-08-25
上传用户：tou15837271233
A major societal challenge for the decades to come will be the delivery of effective medical services while at the same time curbing the growing cost of healthcare. It is expected that new concepts-particularly electronically assisted healthcare will provide an answer. This will include new devices, new medical services as well as networking. On the device side, impressive innovation has been made possible by micro- and nanoelectronics or CMOS Integrated Circuits. Even higher accuracy and smaller form factor combined with reduced cost and increased convenience of use are enabled by incorporation of CMOS IC design in the realization of biomedical systems. The compact hearing aid devices and current pacemakers are good examples of how CMOS ICs bring about these new functionalities and services in the medical field. Apart from these existing applications, many researchers are trying to develop new bio-medical solutions such as Artificial Retina, Deep Brain Stimulation, and Wearable Healthcare Systems. These are possible by combining the recent advances of bio-medical technology with low power CMOS IC technology.
上传时间： 2017-02-06
上传用户：linyj
bios cmos time read and set-use borlandc
标签： bios cmos time read and set
上传时间： 2017-05-04
上传用户：david10274
dac0808硬件管教原理图 DAC0808是8位数模转换集成芯片，电流输出，稳定时间为150ns,驱动电压±5V,33mW。DAC0808可以直接和TTL,DTL和CMOS逻辑电平相兼容。
上传时间： 2019-05-29
上传用户：少年游呀
USB转TTL软件驱动，WIN7可用，其余版本请自行测试，对于进行上位机开发，单片机调试，该驱动是必不可少的
上传时间： 2020-04-14
上传用户：fycsw01
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
标签： Protection CMOS ESD ICs in
上传时间： 2020-06-05
上传用户：shancjb
The mature CMOS fabrication processes are available in many IC foundries. It is cost-effective to leverage the existing CMOS fabrication technologies to implement MEMS devices. On the other hand, the MEMS devices could also add values to the IC industry as the Moore’s law reaching its limit. The CMOS MEMS could play a key role to bridge the gap between the CMOS and MEMS technologies. The CMOS MEMS also offers the advantage of monolithic integration of ICs and micro mechanical components.
标签： TECHNOLOGY CMOS MEMS KEY
上传时间： 2020-06-06
上传用户：shancjb
ULN2003是高耐压、大电流复合晶体管阵列，由七个硅NPN 复合晶体管组成，每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻，在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
上传时间： 2021-06-26
上传用户：xiangshuai
高精度低温漂CMOS基准源的设计与比较-76页
标签： cmos
上传时间： 2021-10-17
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