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tcad器件工艺

  • 单片机外围器件实用手册-电源器件分册-595页-21.9M.pdf

    专辑类-单片机专辑-258册-4.20G 单片机外围器件实用手册-电源器件分册-595页-21.9M.pdf

    标签: 21.9 595 单片机

    上传时间: 2013-07-16

    上传用户:一棵发财树

  • 模拟电路版图的艺术中文第二版-555页-73.8M.pdf

    作者Alan Hastings具有渊博的集成电路版图设计知识和丰富的实践经验。本书以实用和权威性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的最新研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容;基于模拟集成电路设计所采用的3种基本工艺:标准双极工艺、CMOS硅栅工艺和BiCMOS工艺,重点探讨了无源器件的设计与匹配性问题,二极管设计,双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用,以及某些专门领域的内容,包括器件合并、保护环、焊盘制作、单层连接、ESD结构等;最后介绍了有关芯片版图的布局布线知识。本书可作为相关专业高年级本科生和研究生教材,对于专业版图设计人员也是一本极具价值的参考书。

    标签: 73.8 555 模拟电路

    上传时间: 2013-06-23

    上传用户:天大地大

  • 集成电路工艺讲义-7.0M-PPT版.zip

    专辑类-EDA仿真相关专辑-56册-2.30G 集成电路工艺讲义-7.0M-PPT版.zip

    标签: M-PPT 7.0 zip 集成电路工艺

    上传时间: 2013-06-22

    上传用户:洛木卓

  • GB-T-249-1989-半导体分立器件型号命名方法.pdf

    专辑类-国标类相关专辑-313册-701M GB-T-249-1989-半导体分立器件型号命名方法.pdf

    标签: GB-T 1989 249

    上传时间: 2013-06-06

    上传用户:徐孺

  • GB-T-12560-1990-半导体器件-分立器件分规范-可供认证用-.pdf

    专辑类-国标类相关专辑-313册-701M GB-T-12560-1990-半导体器件-分立器件分规范-可供认证用-.pdf

    标签: 12560 GB-T 1990

    上传时间: 2013-06-12

    上传用户:h886166

  • SJ-T-10670-1995-表面组装工艺通用技术-25页-0.9M.pdf

    专辑类-国标类相关专辑-313册-701M SJ-T-10670-1995-表面组装工艺通用技术-25页-0.9M.pdf

    标签: 10670 SJ-T 1995 0.9

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:zhengzg

  • 静电梳齿结构的MEMS分析和优化设计.rar

    微机电系统(MEMS)器件的构成涉及微电子、微机械、微动力、微热力、微流体学、材料、物理、化学、生物等多个领域,形成了多能量域并交叉耦合。为其产品的建模、仿真以及优化设计带来了较大的难度。由于静电驱动的原理简单使其成为MEMS器件中机械动作的主要来源。而梳齿结构在MEMS器件中有广泛的应用:微谐振器、微机械加速度计、微机械陀螺仪、微镜、微镊、微泵等。所以做为MEMS的重要驱动方式和结构形式,静电驱动梳齿结构MEMS器件的耦合场仿真分析以及优化设计对MEMS的开发具有很重要的意义。本课题的研究对静电驱动梳齿结构MEMS器件的设计具有较大的理论研究意义。 本文的研究工作主要包括以下几个方面: 1、采用降阶宏建模技术快速求解静电梳齿驱动器静电-结构耦合问题,降阶建模被用于表示微谐振器的静态动态特性。论文采用降阶建模方法详细分析了静电梳齿驱动器的各参数对所产生静电力以及驱动位移的关系;并对静电梳齿驱动器梳齿电容结构的静电场进行分析和模拟,深入讨论了边缘效应的影响;还对微谐振器动态特性的各个模态进行仿真分析,并计算分析了前六阶模态的频率和谐振幅值。仿真结果表明降阶建模方法能够快速、准确地实现多耦合域的求解。 2、从系统角度出发考虑了各个子系统对叉指式微机械陀螺仪特性的影响,系统详细地分析了与叉指状微机械陀螺仪性能指标-灵敏度密切相关的结构特性、电子电路、加工工艺和空气阻尼,并在此分析的基础上建立了陀螺的统一多学科优化模型并对其进行多学科优化设计。将遗传算法和差分进化算法的全局寻优与陀螺仪系统级优化相结合,证实了遗传算法和差分进化算法在MEMS系统级优化中的可行性,并比较遗传算法和差分进化算法的优化结果,差分进化算法的优化结果较大地改善了器件的性能。 3、从系统角度出发考虑了各个子系统对梳齿式微加速度计特性的影响,在对梳齿式微加速度计各个学科的设计要素进行分析的基础上,对各个子系统分别建立相对独立的优化模型,采用差分进化算法和多目标遗传算法对其进行优化设计。证实了差分进化算法和多目标遗传算法对多个子系统耦合的系统级优化的可行性,并比较了将多目标转换为单目标进行优化和采用多目标进行优化的区别和结果,优化结果使器件的性能得到了改善。

    标签: MEMS 静电

    上传时间: 2013-05-15

    上传用户:zhangjinzj

  • 单片机外围器件实用手册丛书.rar

    单片机外围器件实用手册丛书,学习单片机的兄弟们能用的上了.

    标签: 单片机 外围器件 实用手册

    上传时间: 2013-05-18

    上传用户:1101055045

  • 基于CMOS工艺的低压差线性稳压器研究.rar

    近年来,随着集成电路技术和电源管理技术的发展,低压差线性稳压器(LDO)受到了普遍的关注,被广泛应用于便携式电子产品如PDA、MP3播放器、数码相机、无线电话与通信设备、医疗设备和测试仪器等中,但国内研究起步晚,市场大部分被国外产品占有,因此,开展本课题的研究具有特别重要的意义。 首先,简单阐述了课题研究的背景及意义,分析了低压差线性稳压器(LDO)研究的现状和发展趋势,并提出了设计的预期技术指标。 其次,详细分析了LDO线性稳压器的理论基础,包括其结构、各功能模块的作用、系统工作原理、性能指标定义及设计时对性能指标之间相互矛盾的折衷考虑。 再次,设计了基于自偏置电流源的带隙基准电压源,选取PMOS管作为系统的调整元件并计算出了其尺寸,设计了基于CMOS工艺的两级误差运算放大器。利用HSPICE工具仿真了基准电压源和误差运算放大器的相关性能参数。 然后,重点分析了稳压器的稳定性特征,指出系统存在的潜在不稳定性,详细论述了稳定性补偿的必要性,比较了业界使用过的几种稳定性补偿方法的不足之处,提出了一种基于电容反馈VCCS的补偿方法,对系统进行了稳定性的补偿; 最后,将所设计的模块进行联合,设计了一款基于CMOS工艺的LDO线性稳压器电路,利用HSPICE工具验证了其压差电压、静态电流、线性调整率等性能指标,仿真结果验证了理论分析的正确性、设计方法的可行性。

    标签: CMOS 工艺 低压差线性稳压器

    上传时间: 2013-07-08

    上传用户:Wibbly

  • 可编程器件应用技巧百问.rar

    可编程逻辑器件使用参考资料。 解答可编程器件使用中的常见问题。 供参考。

    标签: 可编程器件 应用技巧

    上传时间: 2013-05-19

    上传用户:thh29