半导体仿真工具Silvaco TCAD学习资料，中文，第1章 仿真准备，第2章 二维工艺仿真，第3章 二维器件仿真，第4章 高级的特性，附录A 材料系统，附录B 物理
标签： 器件仿真
上传时间： 2016-03-24
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半导体器件-物理与工艺-[美]施敏.pdf
标签： 半导体
上传时间： 2022-01-10
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该文档为功率半导体器件物理与工艺研究讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2022-02-27
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简要介绍本文件的目的是，针对潮湿、再流焊和工艺敏感器件，向生产商和用户提供标准的操作、包装、运输及使用方法。所提供的这些方法可避免由于吸收湿气和暴露在再流焊温度下造成的封装损伤，这些损伤会导致合格率和可靠性的降低。一旦正确执行IPC/JEDEC J-STD-033D，这些工艺可以提供从密封时间算起12个月的最短保质期。由IPC和JEDEC开发。一般的IC封装零件都需要根据MSL标准管控零件暴露於环境湿度的时间，以确保零件不会因为过度吸湿在过回焊炉时发生popcom(爆裂)或delamination(分层)的后果，不同的零件封装会产生不同的MSL等级，当湿气进入零件越多，零件因温度而膨胀剥离的风险就越高，基本上湿度敏感的零件在出厂前都会经过一定时间及温度的烘烤，然后连同乾燥剂(desiccant)一起加入真空包装中来达到最低的湿气入侵可能。本文件的目的是，针对潮湿/再流焊敏感表面贴装器件，向生产商和用户提供标准的操作、包装、运输及使用方法。所提供的这些方法可避免由于吸收湿气和暴露在再流焊温度下造成的封装损伤，这些损伤会导致合格率和可靠性的降低。一旦正确执行，这些工艺可以提供从密封时间算起12个月的最短保质期。由IPC和JEDEC开发。
标签： ipc j-std-033d
上传时间： 2022-06-26
上传用户：jimmy950583
该文档为IC设计基础(流程、工艺、版图、器件)-笔试集锦总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
标签： ic设计
上传时间： 2022-07-25
上传用户：qdxqdxqdxqdx
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M ESD电路与器件-34页-8.6M.pdf
上传时间： 2013-04-24
上传用户：gaorxchina
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
FPGA是一种可通过用户编程来实现各种数字电路的集成电路器件。用FPGA设计数字系统有设计灵活、低成本，低风险、面市时间短等好处。本课题在结合国际上FPGA器件方面的各种研究成果基础上，对FPGA器件结构进行了深入的探讨，重点对FPGA的互连结构进行了分析与优化。FPGA器件速度和面积上相对于ASIC电路的不足很大程度上是由可编程布线结构造成的，FPGA一般用大量的可编程传输管开关和通用互连线段实现门器件的连接，而全定制电路中仅用简单的金属线实现，传输管开关带来很大的电阻和电容参数，因而速度要慢于后者。这也说明，通过优化可编程连接方式和布线结构，可大大改善电路的性能。本文研究了基于SRAM编程技术的FPGA器件中逻辑模块、互连资源等对FPGA性能和面积的影响。论文中在介绍FPGA器件的体系构架后，首先对开关矩阵进行了研究，结合Wilton开关矩阵和Disioint开关矩阵的特点，得到一个连接更加灵活的开关矩阵，提高了FPGA器件的可布线性，接着本课题中又对通用互连线长度、通用互连线间的连接方式和布线通道的宽度等进行了探讨，并针对本课题中的FPGA器件，得出了一套适合于中小规模逻辑器件的通用互连资源结构，仿真显示新的互连方案有较好的速度和面积性能，在互连资源的面积和性能上达到一个很好的折中。 接下来课题中对FPGA电路的可编程逻辑资源进行了研究，得到了一种逻辑规模适中的粗粒度逻辑块簇，该逻辑块簇采用类似Xilinx 公司的FPGA产品的LUT加触发器结构，使逻辑块簇内部基本逻辑单元的联系更加紧密，提高了逻辑资源的功能和利用率。随后我们还研究了IO模块数目的确定和分布式SRAM结构中编程电路结构的设计，并简单介绍了SRAM单元的晶体管级设计原理。最后，在对FPGA构架研究基础上，完成了一款FPGA电路的设计并设计了相应的电路测试方案，该课题结合CETC58研究所的一个重要项目进行，目前已成功通过CSMC0.6μm 2P2M工艺成功流片，测试结果显示其完全达到了预期的性能。
上传时间： 2013-04-24
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共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。
上传时间： 2013-10-08
上传用户：debuchangshi
5800C Fm芯片资料和驱动代码 技术特点： *国内首颗采用CMOS工艺的调频收音机芯片； *驱动能力强，可直接驱动耳机及放大器； *功耗低，比国外先进方案还低1mA； *频率覆盖从76M-108M的各国调频波段； *高度集成度，所需外围器件数为零； *强大的LOW-IF数字音频结构； *强大的数字信号处理技术（DSP）,实现自动频率控制和自动增益控制； *数字自适应噪声抑制 接受灵敏度高、音质出色、立体声效果优异； *支持重低音，可调式电台搜寻、柔软静音和混音等功能； *只需一个32.768K晶振作为参考时钟； *支持I2C和SPI数字接口，支持I2S音频接口，可以配合所有多媒体处理芯片； *可调去加重（50／75 us) ； *模拟和数字音量控制； *线性模拟输出电压； *两线和三线控制接口模式； *封装面积： 4×4mm，24-pin QFN
上传时间： 2017-06-21
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