本文先设计了一种高性能的CMOS模拟集成温度传感器，并在电路中设计了ESD保护电路和启动电路，以保证电路工作点正常与性能优良。该电路具有结构简单、工作电压低、电源抑制比高和线性度良好的特点。采用HSPICE对该温度传感器电路进行了模拟仿真，仿真结果表明其电源抑制比可以达到64dB，在-50℃~150℃温度范围内，电压温度系数可以达到2.9mV/K，线性度良好。而后在原集成温度传感器电路研究成果的基础上，设计了一种用于CMOS集成温度传感器二次非线性项修正的曲率校正电路，该电路有效解决了CMOS温度传感电路中电阻温度系数和pn结电压二次非线性项对输出线性度的影响。应用了该校正电路的CMOS 温度传感系统已在0.6um 标准 CMOS工艺中研制实现，实验结果表明在-50℃~+150℃的温度范围内该温度传感系统的最大误差小于1.5℃。该研究的成果可用于一些高精度的应用场所，比如冷暖空调、医疗仪器，自检测系统等诸多领域中，具有显著的研究意义和广泛的应用前景。
上传时间： 2022-07-12
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半导体激光器和异质结发光二极管
上传时间： 2013-04-15
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专辑类-超声-红外-激光-无线-通讯相关专辑-183册-1.48G 半导体激光器和异质结发光二极管-656页-11.0M.pdf
上传时间： 2013-04-24
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protel 元 件 封 装 总 结 很 全 很 详 细
标签： protel
上传时间： 2013-09-20
上传用户：maricle
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：summery
630D电子套结机使用说明书.
上传时间： 2014-01-23
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针对电子系统容易出现的热失效问题，论述在电子系统的热管理设计与验证中，对半导体器件结温的估算和测量方法。通过测量半导体器件内部二极管参数，来绘制二极管正向压降与其温度关系曲线，进而求解出器件的结温估算值，以指导热管理设计；采用热分布测量和极值测量来计算器件的实际结温，对热管理设计进行评估、验证。使用所述估算和测量方法，可到达±5%精确度的半导体结温测算，能够有效评估器件在特定电子系统中的热可靠性，为实现可靠热管理提供可信的数据分析基础。
上传时间： 2013-11-10
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场效应管结型检测
上传时间： 2013-10-23
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电力半导体器件结温的计算和测试
上传时间： 2013-11-05
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邻结表存储的无向图的建立及遍历输出（包括深度优先与广度优先搜索）
上传时间： 2015-01-11
上传用户：star_in_rain
