针对电子系统容易出现的热失效问题，论述在电子系统的热管理设计与验证中，对半导体器件结温的估算和测量方法。通过测量半导体器件内部二极管参数，来绘制二极管正向压降与其温度关系曲线，进而求解出器件的结温估算值，以指导热管理设计；采用热分布测量和极值测量来计算器件的实际结温，对热管理设计进行评估、验证。使用所述估算和测量方法，可到达±5%精确度的半导体结温测算，能够有效评估器件在特定电子系统中的热可靠性，为实现可靠热管理提供可信的数据分析基础。
上传时间： 2013-11-10
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电力半导体器件结温的计算和测试
上传时间： 2013-11-05
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该文档为利用二极管V_F值与结温的关系评估大功率半导体器件的固晶可靠性总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 二极管
上传时间： 2021-11-29
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风能作为一种清洁可再生能源，发展迅速，已经成为世界新能源最主要的发展方向之一。本文以863计划项目"MW级风力发电机组电控系统研制"为研究背景，介绍了1.2MW永磁同步电机变速恒频风力发电系统，研究了变流系统中逆变器的控制方法。 本文首先对风力发电进行了概述，介绍了我国和世界风电发展状况以及技术发展趋势。当今风力发电技术，大功率直驱化和双馈是两个发展方向，本课题1.2MW风力发电系统就是采用了永磁同步电机加交直交变流系统的结构模式，中间省去了齿轮箱，减少了维护，具有较好的发展前景。 论文第二章首先对风轮机叶片的空气动力特性进行了分析，介绍了不同风速下风力发电机的控制策略。就直驱技术与变速箱/感应电机技术--目前风力发电领域变速恒频技术的两大发展方向作了较为详细的介绍分析。 在变流系统中，逆变并网是重要的环节，起到了将电能传输到电网的作用。文章中重点分析了三相并网逆变器的主电路结构、原理和工作方法，并进行了理论推导和公式说明。 本文对1.2MW永磁同步电机变速恒频风力发电系统的主电路参数的选择作了理论推导和计算，包括主电路直流侧电容，网侧电感，三重化升压电感，网侧滤波电容等，还确定了斩波和逆变部分所采用的开关管和六相整流所采用的二极管，并在额定正常工作情况下，分别计算斩波和逆变部分开关管的损耗和开关管的结温。 本课题采用瞬时电流法对并网逆变器进行控制。在实验中上确定了电压外环和电流内环的PI参数，顺利完成了闭环控制实验。 文中采用DSP2407高速集成控制芯片是控制的核心，并根据控制流程图对其控制进行了软硬件设计，实现了控制板上的信号采集、运算、故障检测、电路驱动等功能。并进行了小功率试验，得到了较好的电压电流波形，并对波形进行了详细分析，验证了本文采用方法的正确性。
上传时间： 2013-07-06
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测试贴片热阻小软件
上传时间： 2013-10-17
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测试贴片热阻小软件
上传时间： 2013-11-03
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IC-Ucc28950改进的相移全桥控制设计UcC28950是T公司进一步改进的相移全桥控制C，它比原有标准型UCC2895主要改进为Zvs能力范围加宽，对二次侧同步整流直接控制，提高了轻载空载转换效率，而且此时可以ON/OFF控制同步整流成为绿色产品。既可以作电流型控制，也可以作电压型控制。增加了闭环软启动及使能功能。低启动电流，逐个周期式限流过流保护，开关频率可达1MHz UCC28950基本应用电路如图1所示，内部等效方框电路如图2所示。*启动中的保护逻辑UCC28950启动前应该首先满足下列条件：*VDD电压要超过UvLo阈值，73V*5V基准电压已经实现*芯片结温低于140℃。*软启动电容上的电压不低于0.55V。如果满足上述条件，一个内部使能信号EN将产生出来，开始软启动过程。软启动期间的占空比，由Ss端电压定义，且不会低于由Twm设置的占空比，或由逐个周期电流限制电路决定的负载条件电压基准精确的（±1.5%5V基准电压，具有短路保护，支持内部电路，并能提供20mA外部输出电流，其用于设置DCDC变换器参数，放置一个低ESR，ESL瓷介电容（1uF-2.2uF旁路去耦，从此端接到GND，并紧靠端子，以获得最佳性能。唯一的关断特性发生在C的VDD进入UVLo状态。*误差放大器（EA+EA，COMP）误差放大器有两个未提交的输入端，EA+和EA-。它具有3MHz带宽具有柔性的闭环反馈环。EA+为同相端，EA-为反向端。COMP为输出端输入电压共模范围保证在0.5V-3.6V。误差放大器的输出在内部接到pWM比较器的同相输入端，误差放大器的输出范围为0.25V4.25V，远超出PwM比较器输入上斜信号范围，其从0.8v-2.8V。软启动信号作为附加的放大器的同相输入，当误差放大器的两个同相输入为低，是支配性的输入，而且设置的占空比是误差放大器输出信号与内部斜波相比较后放在PWM比较器的输入处。
标签： ucc2895
上传时间： 2022-03-31
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1，Vs：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2，Poat：最大允许功耗在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热帆所允许的最大耗散功Pat =（Ty-T）/Rtaie其中，Ty为结温， 为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。在这里，顺便解释下这几个热阻，Rtice 结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与克的温差；Rthig芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升；Rehb芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
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0引言任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中，大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗，这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作，必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w，室温25℃时），必须保证1GBT的结温T，不超过其最大值Timar 50 ℃），因此必须采用适当的散热装置，将热量传导到外部环境。如果散热装置设计或选用不当，这些大功率器件因过热而损坏。为了在确定的散热条件下设计或选用合适的散热器，确保器件安全、可靠地工作，我们需进行散热计算。散热计算是通过计算器件工作时产生的损耗功率Pa、器件允许的结温T、环境温度T，求出器件允许的总热阻R，f-a）；：再根据Raf-a）求出最大允许的散热器到环境温度的热阻Rinf-）：最后根据Rbf-a）选取具有合适热阻的散热器。1 IGBT损耗分析及计算对于H型双极模式PWM系统中使用的1GBT模块，主要由IGBT元件和续流二极管FWD组成，它们各自发生的损耗之和就是IGBT本身的损耗。除此，加上1GBT的基极驱动功耗，即构成IGRT模块整体发生的损耗。另外，发生损耗的情况可分为稳态时和交换时。对上述内容进行整理可表述如下：
上传时间： 2022-06-21
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详细介绍了P/N结测温的原理和方法，对于从事温度测量的人员有一定的参考价值。
上传时间： 2017-01-13
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