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mosFET

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,mosFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effecttransistor)。[1]mosFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型”的两种类型,通常又称为NmosFET与PmosFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。
  • mosFET来替代“或”二极管以减少发热和节省空间

    高可用性電信繫統采用冗餘電源或電池供電來增強繫統的可靠性。人們通常采用分立二極管來把這些電源組合於負載點處

    标签: mosFET 二极管 发热

    上传时间: 2013-10-29

    上传用户:ysjing

  • 小型DFN封装的电子电路断路器免除了检测电阻器

    一直以來, 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個mosFET、一個 mosFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。

    标签: DFN 封装 电子电路 断路器

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:qwerasdf

  • 双通道8A DCDC uModule稳压器能够容易地通过并联来提供16A电流

    LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩壓器,采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關控制器、mosFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內,因此只需少量的外部元件。

    标签: uModule DCDC 16A 双通道

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:顶得柱

  • 基于ICE2PCS01的有源功率因数校正的电路设计

    针对开关电源中的整流电路和其本身的非线性负载特性产生大量谐波污染公共电网问题,提出了一种高功率因素校正电路。采用英飞凌(Infineon)公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驱动mosFET开关管,并与升压电感、输出电容等组成Boost拓扑结构,输入电流与基准电流比较后的误差电流经过放大,再与PWM波比较,得到开关管驱动信号,快速而精确地使输入电流平均值与输入整流电压同相位,接近正弦波。结果表明,该电路方案能大大减小输入电流的谐波分量,在AC176V-264V的宽电压输入范围内得到稳定的DC380V输出,功率因素高达0.98。

    标签: 2PCS ICE2 ICE PCS

    上传时间: 2014-01-25

    上传用户:13517191407

  • SemiHow mosFET选型手册

    附件是Semihow MOS 管的选型手册,Semihow 是一家韩国品牌,品质跟Fairchild(仙童)相同,但价格却优于仙童的一家品牌,如有需求MOS的朋友请联系我,电话:021-54262182 EXT 114 (Eric)QQ:1187337351

    标签: SemiHow mosFET 选型手册

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:ch3ch2oh

  • AN799 mosFET驱动器与mosFET的匹配设计

    MOS管设计教程

    标签: mosFET 799 AN 驱动器

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:海陆空653

  • 电平转换控制功率mosFET

    Abstract: Some power architectures require the power supply sequencer (or system manager) to controldownstream power mosFETs to allow power to flow into branch circuits. This application note explains howsystem power sequencing and level shifting can be accomplished using a low-voltage system manager

    标签: mosFET 电平转换 控制 功率

    上传时间: 2013-11-02

    上传用户:wys0120

  • 针对GJB181过压浪涌要求的保护电路设计

    基于输入28.5 VDC,输出总功率180 W的机载计算机电源的设计,为满足“GJB181飞机供电特性”中对飞机用电设备输入28.5 VDC时过压浪涌80 V/50ms的要求,采用检测输入电压并控制mosFET导通和关断的方法,通过对该电路的理论数据分析及与实际测试数据做比较,模拟了80 V/50 ms过压浪涌的试验,并用示波器记录了测试波形,得出该设计电路在输入28.5 VDC时,可以完全满足GJB181飞机供电特性过压浪涌要求的结论。并通过扩展应用介绍了在其他输入电压类型时过压浪涌保护电路的设计。

    标签: GJB 181 过压 浪涌

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:cuibaigao

  • ASC8512-CN两节锂电充电芯片

    两节锂电充电IC-ASC8512 ASC8512 为开关型两节锂聚合物电池充电管理芯片,非常适合于便携式设备的充电管理应用。ASC8512 集内置功率mosFET、高精度电压和电流调节器、预充、充电状态指示和充电截止等功能于一体,采用TSSOP-14、SSOP-14两种封装形式。ASC8512对电池充电分为三个阶段:预充(Pre-charge)、恒流(CC/Constant Current)、恒压(CV/Constant Voltage)过程,恒流充电电流通过外部电阻决定,最大充电电流为2A.ASC8512 集成电流限制、短路保护,确保充电芯片安全工作。ASC8512 集成NTC 热敏电阻接口,可以采集、处理电池的温度信息,保证充电电池的安全工作温度。 两节锂电池充电IC ASC8512特点: 1.充2节锂离子和锂聚合物电池 2.开关频率达400K 3.充电电流最大可做2A 4.输入电压9V到18V 5.电池状态检测 6.恒压充电电压值可通过外接电阻微调 7.千分之五的充电电压控制精度 5.防反向保护电路可防止电池电流倒灌 6.NTC 热敏接口监测电池温度 7.LED充电状态指示 8.工作环境温度范围:-20℃~70℃ 9.TSSOP-14 应用领域:应用 ●手持设备,包括医疗手持设备 ●Portable-DVD,PDA,移动蜂窝电话及智能手机 ●上网本、平板电脑、MID ●自充电电池组

    标签: 8512 ASC CN 充电

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:chfanjiang

  • 几种mosFET驱动电路的研究

    初学者的福音

    标签: mosFET 驱动电路

    上传时间: 2013-10-30

    上传用户:chenxichenyue