虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

mos

mos,是mosFET的缩写。mosFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,mosFET)。
  • 60W氮化镓 PD充电器工程文件

    基于氮化镓mos的高效PD协议智能充电器,超小体积超高效率,用于手机、pad、笔记本电脑的充电。

    标签: 充电器

    上传时间: 2022-03-28

    上传用户:

  • IP2716中文资料

    IP2716是一款集成USB TYPE-C输入输出协议、USB Power Delivery(PD3.0)输入输出协议、QC3.0/2.0输出快充协议(兼容DCP识别功能,兼容BC1.2、苹果和三星手机)等多功能。高集成度与丰富功能,使其在应用时仅需极少的外围器件。如果原有的普通方案输出功率和输出电压范围满足需求,只需额外增加外扩的功率mos就可以实现在原有方案的基础上升级为支持TYPE-C、PD3.0、QC3.0/2.0的高级快充方案。适当提升DC-DC或AC-DC元件性能,可以轻松实现最高100W(20V 5A)输出能力,为移动电源、适配器、车充提供完整的TYPE-C解决方案。

    标签: ip2716

    上传时间: 2022-04-09

    上传用户:

  • 数字集成电路:电路系统与设计(第二版).pdf

    《数字集成电路:电路、系统与设计(第二版) 》,电子工业出版社出版,外文书名: Digital Integrated Circuits:A Design Perspective,Second Edition,作者:简·M.拉贝艾 (Jan M.Rahaey) (作者), Anantha Chandrakasan (作者), Borivoje Nikolic (作者), 周润德 (译者), 等 (译者)。本书由美国加州大学伯克利分校Jan M. Rabaey教授等人所著。全书共12章,分为三部分: 基本单元、电路设计和系统设计。本书在对mos器件和连线的特性做了简要的介绍之后,深入分析了数字设计的核心——反相器,并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路以及存储器这些复杂数字电路与系统的设计中。为了反映数字集成电路设计进入深亚微米领域后正在发生的深刻变化,本书以Cmos工艺的实际电路为例,讨论了深亚微米器件效应、电路最优化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题,着重探讨了深亚微米数字集成电路设计所面临的挑战和启示。

    标签: 数字集成电路 电路系统

    上传时间: 2022-05-13

    上传用户:zhaiyawei

  • CS5080E 两节锂电池升压充电控制芯片手册

    CS5080E是一款5V输入,支持双节锂电池串联应用,锂离子电池的升压充电管理IC.CS5080E集成功率mos,采用异步开关架构,使其在应用时仅需极少的外围器件,可有效减少整体方案尺寸,降低BOM成本。CS5080E的升压开关充电转换器的工作频率为600KHz最大2A输入充电,转换效率为90%。

    标签: cs5080e 锂电池 充电管理

    上传时间: 2022-06-13

    上传用户:jiabin

  • IP6805U 5W低成本无线充方案

    概述IP6805U 是一款无线充电发射端控制 SoC 芯 片,兼容WPC Qi v1.2.4 最新标准,支持 A11 或 A11a 线圈,支持 5W 充电。IP6805U 通过analog ping 检测到无线接收器,并建立与接收端之间的 通信,则开始功率传输。IP6805U 解码从接收器 发送的通信数据包,然后用 PID 算法来改变振荡频率从而调整线圈上的输出功率。一旦接收器上 的电池充满电时,IP6805U 终止电力传输。IP6805U 片内集成全桥驱动电路和全桥功率 mos,电压&电流两路 ASK 通讯解调模块;方案集成度高,可显著降低方案尺寸和 BOM 成本。 背夹、无线充电底座 Ÿ 车载无线充电设备

    标签: ip6805u 无线方案

    上传时间: 2022-06-15

    上传用户:

  • IP5516 TWS蓝牙耳机充电盒方案

    一,概述:    IP5516一款集成升压转换器、锂电池充电管理、电池电量指示的多功能电源管理SOC,为TWS蓝牙耳机充电仓提供完整的电源解决方案。二,特性:1 同步开关放电: 300mA 同步升压转换 升压效率高达93% 内置电源路径管理,支持边充边放2 充电: 500mA 线性充电,充电电流可调 自动调节充电电流,匹配适配器输出能力 支持4.20V、4.30V、4.35V 和4.4V 电池3 电量显示: 内置10bit ADC 和精准库伦计算法 支持4/3/2/1 颗LED 电量显示4 低功耗: 智能识别耳机插入/充满/拔出,自动进待机 支持双路耳机独立检测 支持两种待机模式,待机功耗分别可达3uA 和25 μA5 BOM 极简: 功率mos 内置,2.2uH 单电感实现放电6多重保护、高可靠性: 输出过流、过压、短路保护 输入过压、过充、过流保护 整机过温保护 ESD 4KV,VIN 瞬态耐压高达15V7深度定制: 可灵活低成本定制方案8封装:QFN16(4*4*0.75)三,应用TWS蓝牙耳机充电仓/充电仓  

    标签: ip5516 tws 蓝牙 耳机 充电 方案

    上传时间: 2022-06-15

    上传用户:

  • 时钟芯片RX8025T

    RX-8801 SA Features built-in 32.768 kHz DTCXO, High Stability Supports l'C-Bus's high speed mode (400 kHz)Alarm interrupt function for day, date, hour, and minute settings Fixed-cycle timer interrupt function Time update interrupt function32.768 kHz output with OE function Auto correction of leap years Wide interface voltage range: 2.2 V to 5.5 V Wide time-keeping voltage range:1.8 V to 5.5 V Low current consumption: 0.84A/3V (Typ.)is an IC bus interface-compliant real-time clock which includes a 32.768 kHz DTCXO In addition to providing a calendar (year, month, date, day, hour, minute, second) function and a clock counter function, this module provides an abundance of other functions including an alarm function, fixed-cycle timer unction, time update interrupt function, and 32.768 kHz output function.The devices in this module are fabricated via a C-mos process for low current consumption, which enables ong-term battery back-up.

    标签: 时钟芯片 rx8025t

    上传时间: 2022-06-17

    上传用户:

  • IGBT图解

    le flows through mos channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p mosFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:wangshoupeng199

  • 基于mppt的户用光伏水泵变频控制器的研制

    当前世界能源短缺以及环境污染问题日益严重,这些问题迫使人们改变能源结构,寻找新的替代能源。可再生洁净能源的开发愈来愈受到重视,太阳能以其经济、清洁等优点倍受青睐,其开发利用技术亦得以迅速发展,而光伏水泵成为其中重要的研究领域。本文针对采用异步电机作为光伏水泵驱动电机的光伏水泵系统,详细介绍了推挽DC/DC升压电路、DC/AC IPM模块逆变电路、及基于dsPIC30F2010的控制电路等,并制作了一台试验样机。同时围绕多种最大功率跟踪方法展开研究,设计了最大功率跟踪程序。论文的主要工作如下:1)设计了DC-DC推挽升压电路,并通过加入TPS2812改进了推挽功率mos管的驱动电路;2)研究分析了光伏水泵系统最大功率跟踪控制,通过Matlab对多种MPPT方式进行了仿真,确定系统采用黄金分割法最大功率跟踪方式;3)采用SVPWM调制技术,实现了系统的稳定快速跟踪控制:4)采用IPM模块作为逆变器主电路,大大简化了逆变器驱动电路和保护电路设计,缩小了系统体积,提高了效率和系统的可靠性;5)采用徵芯公司的dsPIC20F2010作为主电路的控制核心,并设计了包括W"保护电路在内的外围电路和相关的软件;6)详细介绍了系统主电路各元件参量的选择和设计;7)在样机上进行了不同负载下的试验,给出了试验波形和效率测试结果,验证了本系统的可靠性和高效性。

    标签: mppt 光伏水泵 变频控制器

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:

  • 三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析.

    摘要:对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析,对TLP250,EXB系列和M579系列进行了深入的讨论,给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图,还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项,对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验,通过有关的波形验证了它们的特点,最后得出结论:IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。关键词:绝缘栅双极晶体管:集成电路;过流保护1前言电力电子变换技术的发展,使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展.20世纪80年代,为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件,有人提出了绝缘门极双极型品体管(IGBT)[1].在IGBT中,用一个mos门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输,这藏产生了一种具有功率mosFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件,它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源(UPS)和交流电机调速系统的设计中,它是日前最为常见的一种器件。

    标签: 三相逆变器 igbt 驱动电路

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:jiabin