利用mos场效应管(mosFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
上传时间： 2013-11-17
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LNA的功能和指标二端口网络的噪声系数Bipolar LNAmos LNA非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声Cmos最小噪声系数和最佳噪声匹配参考文献LNA 的功能和指标• 第一级有源电路，其噪声、非线性、匹配等性能对整个接收机至关重要• 主要指标– 噪声系数(NF)取决于系统要求，可从1 dB 以下到好几个dB， NF与工作点有关– 增益(S21)较大的增益有助于减小后级电路噪声的影响，但会引起线性度的恶化– 输入输出匹配(S11, S22)决定输入输出端的射频滤波器频响– 反向隔离(S12)– 线性度(IIP3， P1dB)未经滤除的干扰信号可通过互调(Intermodulation) 等方式使接收质量降低
上传时间： 2013-11-20
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摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用mos管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变mos开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。 关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
上传时间： 2013-11-14
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Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电（ESD，Electrostatic Discharge）给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，互补金属氧化物半导体（Cmos，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不断缩小，金属氧化物半导体(mos, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄，mos 管能承受的电流和电压也越来越小，因此要进一步优化电路的抗ESD 性能，需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。
标签： Construction Strategy ESD of
上传时间： 2013-11-09
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模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&T，Bell Lab，HP)卓著的研究经历为我们提供了这本优秀的教材。本书自2000午出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为Cmos模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。... 本书介绍模拟Cmos集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍mos器件的高阶效应及其模型、Cmos制造工艺和混合信号电路的版图与封装。 1 Introduction to Analog Design 2 Basic mos Device Physics 3 Single-Stage Amplifiers 4 Differential Amplifiers 5 Passive and Active Current Mirrors 6 Frequency Response of Amplifiers 7 Noise 8 Feedback 9 Operational Amplifiers 10 Stability and Frequency Compensation 11 Bandgap References 12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits 13 Nonlinearity and Mismatch 14 Oscillators 15 Phase-Locked Loops 16 Short-Channel Effects and Device Models 17 Cmos Processing Technology 18 Layout and Packaging
上传时间： 2014-12-23
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DC/DC升压IC ，LDO稳压IC，锂电池充电IC，恒流IC，LED驱动IC ,电压检测IC，降压IC，AC-DC，mos管等电源管理芯片。
上传时间： 2013-10-22
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G5177为致新科技为移动电源领域量身打造的2A输出同步升压IC,效率高达90%以上，价格便宜，周边电子元件少，省肖特基和关断mos,整体成本大大降低，是移动电源和移动电源+WIFI方案的首选。 我们还有1A同步升压产品可以P2P选择。
上传时间： 2013-10-12
上传用户：tb_6877751
摘要：本装置主要以AVR单片机为核心，通过SG3 5 25芯片完成DC-DC稳压电路，有单片机产生的SPWM波形完成DC-AC逆变并网。SPWM波形，经光耦将主电路与控制电路隔离后将信号由一个非门变为两路互~bSPWM波形作为IR2110驱动芯片的输入，两个IR2110输出控制逆变环节的mos管导通。使整个系统能够稳定的工作规定范围内，通过采样环节，可以做到实时的调整。也可以通过采样电流的信号对系统的过电流进行保护，设置了欠电压工作点，通过这些环节，使系统在出现故障后能够有良好的保护。
上传时间： 2013-11-07
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附件是Semihow mos 管的选型手册,Semihow 是一家韩国品牌,品质跟Fairchild(仙童)相同,但价格却优于仙童的一家品牌,如有需求mos的朋友请联系我,电话：021-54262182 EXT 114 (Eric)QQ:1187337351
上传时间： 2013-11-18
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mos管设计教程
上传时间： 2013-10-11
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