看看了
上传时间： 2013-11-17
上传用户：peterli123456
开关电源
上传时间： 2013-11-02
上传用户：chenhr
重点研究了场效应管驱动电路、脉冲超声波高压激发电路及接收保护电路,并简要介绍了其余电路的实现。对研制的电路进行了性能分析,所用电子元器件均无过热现象,并获得较为理想的电脉冲信号。设计的电路板已成功用于磁致伸缩式超声传感器测量材料弹性模量。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：fhjdliu
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上传时间： 2013-12-04
上传用户：silenthink
运放电路中的恒流源电路分析方法 普通镜像恒流源、多集电极恒流源、高精度镜像恒流源、高内阻恒流源和镜像微恒流源电路，以及恒流源电路输出电阻的计算等。 分析恒流源电路的方法是： （1）确定恒流源电路中的基准晶体管或场效应管； （2） 计算或确定基准电流； &nbbsp; （4）绘制恒流部分的交流通路，确定恒流源的内阻。 由于恒流源的内阻较大，计算恒流源内阻时不能忽略三极管集电极与发射极之间，或场效应管漏极与源极之间的动态电阻
上传时间： 2013-10-09
上传用户：gxmm
P0端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成。再看图的右边，标号 为P0.X引脚的图标，也就是说P0.X引脚可以是P0.0到P0.7的任何一位，即在P0口有8个与上图相同的电路组成。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：fandeshun
介绍一种无极可调交流电子负载设计的新方法，由ATmega48单片机输出PWM波，通过上位机设定不同的占空比控制场效应管的通断时间，即改变流过场效应管的平均电流。根据电流的大小，可以等效为相应的负载，并将采集的电流值显示在上位机上。文中对该系统的软﹑硬件设计思路作了详细的分析，阐述了其设计原理。 Abstract: A new type electronic load is introduced.Due to ATmega48 microcomputer output PWM wave.The different duty is set ratio through PC to control FET turn-on time.We can equivalent homologous load according the current and display the current at PC.The hardware and software designing are analysed in detail. The principle is explained and the output is also given.
上传时间： 2013-11-23
上传用户：虫虫虫虫虫虫
利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题:针对LDO稳压器的稳定性问题，设计了一种新颖的动态密勒补偿电路8与传统方法相比，该电路具有恒定的带宽，大大提高了系统的瞬态响应性能，同时将开环增益提高了，左右使6LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片，验证了该方法的正确性和可行性。关键词：低压降稳压器，动态密勒补偿，稳定性，P型场效应管电容器
上传时间： 2013-10-24
上传用户：小宝爱考拉
微型51/AVR 编程器套件装配说明书 请您在动手装配这个编程器之前，务必先看完本说明书，避免走弯路。 1．收到套件后请对照元器件列表检查一下，元件、配件是否齐全？ Used Part Type Designator ==== ================ ========== 1 1k R6 1 1uf 50V C11 5 2k2 R2 R3 R4 R5 R11 1 10K*8 RN1 2 11.0592MHZ Q1 Q2 1 12V,0.5W D2 2 15k R7 R8 2 21k R9 R10 4 33p C6 C7 C8 C9 1 47uf 25V C10 1 74HC164 IC6 2 78L05 IC4 IC5 1 100uf 25V C12 1 220R R1 1 AT89C51 IC2 1 B40C800(W02) D1 2 BS170 T1 T2 1 BS250 T3 1 DB9/F J2 1 J1X2 J1 1 LED GN5 D3 1 LM317L IC1 1 TLC2272 IC7 1 ZIF40 IC3 5 1uf C1 C2 C3 C4 C5 另外，套件配有1.5米串行电缆一根和配套的PCB一块，不含电源。编程器使用的15V交流电源或12V直流电源需要自己配套。2．装配要点：先焊接阻容元件，3个集成电路插座（IC2,IC7,IC6）其次是晶振， 全桥，稳压IC 等，然后焊接J2,最后焊接T1,T2,T3三只场效应管。焊接场效应管时务必按照以下方法：拔去电烙铁的电源，使用电烙铁余温去焊接三只场效应管，否则静电很容易损坏管子。这是装配成功的关键。这三只管子有问题，最典型的现象是不能联机。由于电源插座封装比较特殊，国内无法配套上，已改用电源线接线柱，可直接焊接在PCB板焊盘上，如下图1所示（在下图中两个红色圆圈内指示的焊盘），然后在连接到套件中配套的电源插座上。最近有朋友反映用15V交流比较麻烦，还要另外配变压器。如果要使用12V的直流电，无需将全桥焊上，将两个接线柱分别焊接在全桥的正负输出位置的焊盘上即可，如下图2所示，蓝色圆圈内指示的焊盘，连接电源的时候要注意正负极，不要接错了。方形焊盘是正极。40脚ZIF插座焊接前，应该将BR1飞线焊接好。注意：由于焊盘比较小，注意焊接温度，不要高温长时间反复焊接，会导致焊盘脱落。
上传时间： 2013-12-31
上传用户：caiguoqing
通用的多电源总线，如VME、VXI 和PCI 总线，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V（或±24V）电源，如果在这些系统中添加设备（如插卡等），则需要额外的3.3V或5V电源，这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。图1 电路，将-12V 电压升压到15.3V（相对于-12V 电压），进而得到3.3V 的电源电压，输出电流可达300mA。Q2 将3.3V 电压转换成适当的电压（-10.75V）反馈给IC1 的FB 引脚，PWM 升压控制器可提供1W 的输出功率，转换效率为83%。整个电路大约占6.25Cm2的线路板尺寸，适用于依靠台式PC机电源供电，需要提供1W输出功率的应用，这种应用中，由于-12V总线电压限制在1.2W以内，因此需要保证高于83%的转换效率。由于限流电阻（RSENSE）将峰值电流限制在120mA，N 沟道MOSFET（Q1）可选用廉价的逻辑电平驱动型场效应管，R1、R2 设置输出电压（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反馈电压高于PGND引脚（Pin7）1.25V，因此：VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V选择电阻R1后，可确定：I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式确定R2：R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ图1 中，IC1 的开关频率允许通过外部电阻设置，频率范围为100kHz 至500kHz，有利于RF、数据采集模块等产品的设计。当选择较高的开关频率时，能够保证较高的转换效率，并可选用较小的电感和电容。为避免电流倒流，可在电路中增加一个与R1串联的二极管。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：jixingjie
