Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
上传时间： 2013-11-23
上传用户：rocketrevenge
抑制△I 噪声一般需要从多方面着手, 但通过PCB 设计抑制△I 噪声是有效的措施之一。如何通过PCB 设计抑制△I 噪声是一个亟待深入研究的问题。在对△I 噪声的产生、特点、主要危害等研究的基础上, 讨论了辐射干扰机理, 重点结合PCB 和EMC 研究的新进展, 研究了抑制△I 噪声的PCB 设计方法。对通过PCB 设计抑制△I 噪声的研究与应用具有指导作用。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：时代电子小智
LVDS(低压差分信号)标准ANSI/TIA /E IA26442A22001广泛应用于许多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探讨了LVDS的特点及其PCB (印制电路板)设计,纠正了某些错误认识。应用传输线理论分析了单线阻抗、双线阻抗及LVDS差分阻抗计算方法,给出了计算单线阻抗和差分阻抗的公式,通过实际计算说明了差分阻抗与单线阻抗的区别,并给出了PCB布线时的几点建议。关键词: LVDS, 阻抗分析, 阻抗计算, PCB设计 LVDS (低压差分信号)是高速、低电压、低功率、低噪声通用I/O接口标准,其低压摆幅和差分电流输出模式使EM I (电磁干扰)大大降低。由于信号输出边缘变化很快,其信号通路表现为传输线特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件进行PCB (印制电路板)设计时,超高速PCB设计和差分信号理论就显得特别重要。
上传时间： 2013-11-19
上传用户：水中浮云
I2C总线器件在高抗干扰系统中的应用: 摘要：本文先对I2C总线协议进行了简要叙述，然后介绍了一些常用的抗干扰措施，最后提供了一个利用I2C总线器件24WC01组成的高抗干扰应用方案。 一、I2C总线概述 I2C总线是一双线串行总线，它提供一小型网络系统为总线上的电路共享公共的总线。总线上的器件有单片机LCD驱动器以及E2PROM器等。型号有：PCF8566T、SAA1064T、24WC01等。 两根双向线中，一根是串行数据线（SDA），另一根是串行时钟线（SCL）。总线和器件间的数据传送均由这根线完成。每一个器件都有一个唯一的地址，以区别总线上的其它器件。当执行数据传送时，谁是主器件，谁是从器件详见表1。主器件是启动数据发送并产生时钟信号的器件。被寻址的任何器件都可看作从器件。I2C总线是多主机总线，意思是可以两个或更多的能够控制总线的器件与总线连接。
上传时间： 2013-11-05
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PRO/E 经典问答100例
上传时间： 2013-10-22
上传用户：kqc13037348641
全国大学生电子设计大赛E题_开关电源设计
上传时间： 2013-11-13
上传用户：叶夜alex
差动保护整定范例一： 三圈变压器参数如下表： 变压器容量Se 31500KVA 变压器接线方式 Yn，y，d11 变压器变比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV侧TA变比nTA 300/5 35KV侧TA变比nTA 1000/5 10KV侧TA变比nTA 2000/5 TA接线 外部变换方式 一次接线 10kV侧双分支 调压ΔU ±8×1.25% 电流互感器接线系数Kjx 当为Y接线时为1，当为Δ接线时为 区外三相最大短路电流 假设为1000A(此值需根据现场情况计算确定) 计算： 高压侧二次额定电流 中压侧二次额定电流 低压侧二次额定电流
上传时间： 2013-11-01
上传用户：edisonfather
当今电子系统如高端处理器及记忆体，对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战，是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率转换方案，应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：yan2267246
摘要：在BEPC电子直线加速器上建立起了E1,E2,E3试验束，其中E1初级束专门提供给强流慢正电子装置应用，E2束是初级正/负电子束，E3为次级高能e±,π±和质子等单粒子试验束，其动量连续可调。粒子定位误差0.2-0.4毫米，混合负粒子计数率3-4赫兹。已成功地为BESⅢ的TOF探测器模型测试提供试验束流。 关键词：试验束 试验束流线 刻度 单粒子
上传时间： 2013-10-11
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自己在学校的时候做的一些单片机仿真实例和一些资料，希望对大家有些帮助
上传时间： 2013-11-08
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