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addr

  • //led.v /*------------------------------------- LED显示模块:led(CLK,AF,addr,DATA) 功能: 显示 注意事项: 8位L

    //led.v /*------------------------------------- LED显示模块:led(CLK,AF,addr,DATA) 功能: 显示 注意事项: 8位LED 参数: CLK:扫妙时钟输入,推荐1kHz AF:数码管输出,a~h addr:数码管选择位数出,0~2 DATA:显示数据输入0~9999 9999 编写人: 黄道斌 编写日期: 2006/07/13 -------------------------------------*/

    标签: led addr DATA LED

    上传时间: 2015-06-24

    上传用户:duoshen1989

  • EEPROM 24CXX应用程序供参考 对EEPROM数据区读出(当前值=addr+WRC_<=0FFH)

    EEPROM 24CXX应用程序供参考 对EEPROM数据区读出(当前值=addr+WRC_<=0FFH),每进行一次读操作将使addr值减一;读出数据后程序将把该数据存入通用寄存器中,开始存放的地址由FSR的值指定(范例为30H),每进行一次读操作将使FSR的值加一;读出规定个数(由寄存器REC_给定,范例值为0FH)的数值后,结束读出,回main

    标签: EEPROM addr CXX WRC

    上传时间: 2015-07-05

    上传用户:playboys0

  • 写入N字节数据程序 把N个字节数据写入起始地址为addr的EEPROM内

    写入N字节数据程序 把N个字节数据写入起始地址为addr的EEPROM内

    标签: EEPROM addr 字节 数据

    上传时间: 2013-12-29

    上传用户:zhanditian

  • void statistics(int signo) unsigned short cal_chksum(unsigned short *addr,int len) int pack(int

    void statistics(int signo) unsigned short cal_chksum(unsigned short *addr,int len) int pack(int pack_no) void send_packet(void)

    标签: int unsigned short statistics

    上传时间: 2014-09-09

    上传用户:liansi

  • 将数据data写入addr所指定的pci单元

    将数据data写入addr所指定的pci单元,DSP芯片TMS320VC33控制的汇编源代码。请使用的同时交上笔者的名字《张庆》,谢谢!

    标签: data addr pci 数据

    上传时间: 2014-12-02

    上传用户:rocwangdp

  • 时钟模块DS1307驱动I2C uchar Read_DS1307(uchar addr) void Write_DS1307_Byte(uchar byte) void Write_DS1

    时钟模块DS1307驱动I2C uchar Read_DS1307(uchar addr) void Write_DS1307_Byte(uchar byte) void Write_DS1307(uchar addr,uchar dat) void rtc_get(void) void rtc_set(void)

    标签: uchar 1307 Write_DS void

    上传时间: 2016-03-17

    上传用户:zm7516678

  • vhdl addr

    vhdl addr

    标签: vhdl addr

    上传时间: 2016-04-22

    上传用户:han_zh

  • ip addr discription , and the ip addr how to located.

    ip addr discription , and the ip addr how to located.

    标签: addr discription located ip

    上传时间: 2016-06-28

    上传用户:hustfanenze

  • DS1302+AT89S52+LED时钟程序(C语言源代码+

    #include<reg51.h>/*************************ds1302与at89s52引脚连接********************/sbit T_RST=P3^5; sbit T_CLK=P3^6;                 sbit T_IO=P3^7;                                sbit ACC0=ACC^0;sbit ACC7=ACC^7;unsigned char seg[]={0x00,0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07,0x08,0x09};         //0~~9段码 /******************DS1302:写入操作(上升沿)*********************/ void write_byte(unsigned char da){   unsigned char i;   ACC=da;   for(i=8;i>0;i--)   {       T_IO=ACC0;   T_CLK=0;           T_CLK=1;      ACC=ACC>>1;   }} /******************DS1302:读取操作(下降沿)*****************/unsigned char read_byte(void){   unsigned char i;   for(i=0;i<8;i++)   {      ACC=ACC>>1;   T_CLK = 1;   T_CLK = 0;      ACC7 = T_IO;   }   return(ACC); } /******************DS1302:写入数据(先送地址,再写数据)***************************/ void write_1302(unsigned char addr,unsigned char da){   T_RST=0;    //停止工作   T_CLK=0;                                    T_RST=1;   //重新工作   write_byte(addr);    //写入地址      write_byte(da);   T_RST=0;   T_CLK=1;}

    标签: 1302 LED DS AT

    上传时间: 2014-01-17

    上传用户:sglccwk

  • FPGA连接DDR2的问题讨论

    我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB),分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标:当客户使用内存条时,8片分立器件不焊接;当使用直接贴片分立内存颗粒时,SODIMM内存条不安装。请问专家:1、在设计中,先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后,管脚约束文件是否还可更改?若能更改,则必须要满足什么条件下更改?生成的约束文件中,addr,data之间是否能调换? 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么?通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配,哪种匹配方式更好? 3、V4中,PCB LayOut时,DDR2线路阻抗单端为50欧,差分为100欧?Hyperlynx仿真时,那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作? 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条,能否降速使用?比如降速到DDR2-400或更低频率使用? 5、板卡上有SODIMM的插座,又有8片内存颗粒,则物理上两部分是连在一起的,若实际使用时,只安装内存条或只安装8片内存颗粒,是否会造成信号完成性的影响?若有影响,如何控制? 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用,构成一个(max:8GB)的DDR2单元?若能,则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制?地址和控制线的TOP图应该怎样? 7、DDR2和FPGA(VREF pin)的参考电压0.9V的实际工作电流有多大?工作时候,DDR2芯片是否很烫,一般如何考虑散热? 8、由于多层板叠层的问题,可能顶层和中间层的铜箔不一样后,中间的夹层后度不一样时,也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层?

    标签: FPGA DDR2 连接 问题讨论

    上传时间: 2013-10-12

    上传用户:han_zh