驱动1700V IGBT的几种高性能IC 选型设计:通过对几种常用的1700V IGBT 驱动专用集成电路进行详细的分析,对M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列进行深入的讨论,给出了电气
上传时间: 2013-05-24
上传用户:huazi
分析了大功率逆变电源IGBT关断时产生电压尖峰的机理,并对影响电压尖峰的主要因素进行了分 析。通过应用叠层复合母排可以降低主电路母线的分布电感,设计合理的吸收电路能够改善开关器件的开关轨迹, 抑制尖峰电压,使开关器件运行在可靠的工作范围内。仿真结果验证了吸收电路的有效性。
上传时间: 2013-05-25
上传用户:pwcsoft
对IGBT 高频逆变电焊机进行了较为详细的分析和计算,对系统的构成、参数的选择、IGBT 的驱动与保护、高频变压器的设计等都作了分析和研究,并经过样机测试证明这些分析是切实可行的。随着科学技术
上传时间: 2013-07-23
上传用户:wyaqy
详细讲解 MOS管工作原理 新手上路 一看就懂
上传时间: 2013-07-23
上传用户:sjyy1001
·作 者: 周志敏,周纪海,纪爱华 编著出 版 社: 人民邮电出版社出版时间: 2006-3-1 内容简介本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上,结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势,全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术,突出实用性。全书共7章,分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电
上传时间: 2013-08-02
上传用户:woshiayin
富士电机IGBT应用手册2011版.pdf
上传时间: 2013-06-27
上传用户:GeekyGeek
Can convert data file(txt format)to CAD(scr)file,and draw curve!
上传时间: 2013-09-11
上传用户:天空说我在
ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 东芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 东芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
上传时间: 2013-10-10
上传用户:13162218709
mos管门级驱动电阻计算
上传时间: 2013-12-19
上传用户:王楚楚
MOS管应用笔记
上传时间: 2013-12-09
上传用户:康郎