8位MCU升级至32位MCU的设计方案 目前的MCU市场分为三个部分， 8位、16位和32位内核（4位内核MCU现在已相当少用，故在本次比较中将其忽略）。对于这三个部分中的每一个，其规模大体相同。传统上8位内核占最大的市场份额。根据一些分析人士报告，可能32位内核市场占有率已经超过了8位内核。即使目前尚未超过，时间也不会太长。32位内核市场份额是迄今为止增长最快的。8位内核和16位内核仍在增长，但在速度方面远不如32位内核（8位内核的增长速度仍快于16位内核）在很长的一段时间内， 很多人相信16位MCU可能会被8位MCU和32位MCU取代。目前的32位MCU器件采用最新技术制造（与8位内核和16为内核相比）。
上传时间： 2014-01-21
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NEC 32位MCU参考手册
上传时间： 2013-11-11
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NEC 16位MCU参考手册 The 78K0R/IC3 is a 16-bit single-chip microcontroller that uses a 78K0R CPU core and incorporates peripheral functions, such as ROM/RAM, a multi-function timer, a multi-function serial interface, an A/D converter, a programmable gain amplifier (PGA), a comparator, a real-time counter, and a watchdog timer.
上传时间： 2013-11-02
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NEC 8位MCU参考手册
上传时间： 2013-11-17
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NEC 32位MCU V850系列产品简介及应用 最高可达到：200Mhz工作频率432MIPS与8/16位MCU相比,NEC 32位MCU在相同频率下,可以提供至少快10 倍的指令执行速度 对于完成相同的应用,使用32位MCU可以比8/16位MCU的速度慢2/3或1/2,降低系统功耗 V850,V850ES,V850E1,V850E2 CPU的目标代码向前兼容
上传时间： 2013-11-19
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PCF2123是低功耗的CMOS实时时钟/日历芯片。数据通过SPI总线传输，最大总线速率高达6.25Mbit/s。报警和定时器功能产生一个唤醒信号，唤醒中断管脚。偏移寄存器可以实现时钟的校准。
上传时间： 2013-10-30
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PCA2125是低功耗的CMOS实时时钟/日历芯片，工作温度高达125℃。数据通过SPI总线传输，最大总线速率高达6.0Mbit/s。报警和定时器功能产生一个唤醒信号，唤醒中断管脚。
上传时间： 2013-11-09
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The CAT25128 is a 128−Kb Serial CMOS EEPROM device internally organized as 16Kx8 bits. This features a 64−byte page write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial communication with the CAT25128 device. The device featuressoftware and hardware write protection, including partial as well as full array protection.
上传时间： 2013-11-15
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作为一种新的、最有潜力的光源，LED照明以其节能、环保的优势越来越受到人们重视。加上国家和地方政府的政策鼓励，我国的LED照明产业进入了加速发展阶段，运用市场迅速增长。在室内照明方面，用LED灯替代传统的可调光白炽灯或者卤素灯也将是大势所趋。由于传统的白炽灯调光器采用可控硅调光器，用LED灯替代白炽灯时，要求不能改变原有线路，还要能适应现有的可控硅调光器。针对这一目标市场，目前很多大的半导体厂商（包括国际知名半导体厂商）都已经推出了自己的LED调光ASIC，但由于LED固有的发光原理，目前市面上的LED ASIC调光案都还不是很成熟，都有其固有的问题，本文就将针对目前的调光方案做一个详细的分析，并介绍我们基于MCU的调光方案。
上传时间： 2013-11-21
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我公司生产的 USBkey 产品所使用的MCU 电路，自2007 年9 月初USBkey 产品开始量产化后，我们对其部分产品做了电老化试验，发现该款电路早期失效问题达不到我们要求，上电以后一段时间内失效率为千分之一点五左右。为此，我们从去年10 月到今年2 月对所生产的产品（已发出的除外）全部进行了电老化筛选，通过这项工作发现了一些规律性的东西，对提高电子产品的安全可靠性有一定指导意义。2 试验条件的设定造成电路早期失效的原因很多，从 IC 设计到半导体生产工艺、电路封装、焊接装配等生产工序和生产设备、生产材料、生产环境及人为的因素都有可能是成因，作为电路的使用方不可能都顾及到，也不可控。通过分析，我们认为还是着眼于该款电路在完成半导体生产工艺后，在后部加工中所产生的早期失效问题更有针对性。，因此决定从电路的后部加工工序即封装、COS 软件以及产品SMT 加工工艺等方面入手，安排几种比对试验并取得试验数据，以期找出失效原因。
上传时间： 2014-12-28
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