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Pid参数整定

Pid参数整定是一个复杂的过程,一般需要根据被对象慢慢进行。常用的方进有扩充临界比例度整定法和扩充响应曲线法两种。适合计算机控制用的简易方法一简化扩充临界比例度整定法,该方法是RobertsP.D于1974年提出的。由于该方法只需整定一一个参数即可,故又称为归一参数整定法。[1]
  • PID理论到实现方法

    PID理论到实现方法

    标签: PID 实现方法

    上传时间: 2013-10-31

    上传用户:lili123

  • PID程序参考

    pid参考程序

    标签: PID 程序

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:ainimao

  • 智能车PID算法实现原理讲解

    由入门到精通----吃透PID

    标签: PID 智能车 算法

    上传时间: 2013-11-16

    上传用户:yanyangtian

  • 常用场效应管及晶体管参数

    IC参数

    标签: 场效应管 晶体管参数

    上传时间: 2015-01-02

    上传用户:digacha

  • 容易理解的PID

    PID算法

    标签: PID

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:ouyang426

  • 开放式PAC系统设计与开发

    一、PAC的概念及软逻辑技术二、开放型PAC系统三、应用案例及分析四、协议支持及系统架构五、软件编程技巧&组态软件的整合六、现场演示&上机操作。PAC是由ARC咨询集团的高级研究员Craig Resnick提出的,定義如下:具有多重领域的功能,支持在單一平台里包含逻辑、运动、驱动和過程控制等至少两种以上的功能單一開發平台上整合多規程的軟件功能如HMI及軟逻輯, 使用通用标签和单一的数据库来访问所有的参数和功能。软件工具所设计出的处理流程能跨越多台机器和過程控制处理单元, 實現包含運動控制及過程控制的處理程序。开放式, 模块化构架, 能涵蓋工业应用中从工廠的機器設備到過程控制的操作单元的需求。采用公認的网络接口标准及语言,允許不同供應商之設備能在網絡上交換資料。

    标签: PAC 开放式 系统设计

    上传时间: 2014-01-14

    上传用户:JGR2013

  • 晶体管参数测试仪的设计

    以LM3S1138芯片作为控制核心,设计了一个晶体管参数测试系统。该系统主要功能模块包括:恒流源阶梯信号、电压扫描信号、升压电路、保护电路等。利用8位D/A转换器产生稳定的控制电压,通过集成在LM3S1138芯片中的10位A/D模块完成电压的测量。通过RS232接口将测量数据传送到PC机,利用Matlab软件实现对测量数据的处理和显示。测试结果表明:该晶体管参数测试仪工作良好,测量结果都在数据手册给的参数范围之内。

    标签: 晶体管参数 仪的设计 测试

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:ZOULIN58

  • 微电脑型单相交流集合式电表(单相二线系统)

    微电脑型单相交流集合式电表(单相二线系统) 特点: 精确度0.25%满刻度±1位数 可同时量测与显示交流电压,電流,頻率,瓦特,(功率因數/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數點可任意設定 瓦特單位W或KW可任意設定 CT比可任意設定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐压 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數位RS-485界面 (Optional) 主要规格: 精确度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 输入负载: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大过载能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 过载显示: "doFL" 显示值范围: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取样时间: 2 cycles/sec. RS-485通讯位址: "01"-"FF" RS-485传输速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信协议: Modbus RTU mode 温度系数: 100ppm/℃ (0-50℃) 显示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 参数设定方式: Touch switches 记忆型式: Non-volatile E²PROM memory 绝缘抗阻: >100Mohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波测试: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用环境条件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    标签: 微电脑 单相交流 单相 电表

    上传时间: 2015-01-03

    上传用户:几何公差

  • 基于单摄像机的电力设施侵入目标参数计算

    基于单摄像机成像的电力设施侵入目标的参数计算,首先采用成本较低的单摄像机单目视觉系统,对摄像机监控范围内的空间进行三维建模,便于对其监控范围内的各种物体进行距离测算与三维尺寸测算;接着依据立体视觉系统,对采用最新的模式识别技术识别出的入侵物的大小和距离进行计算,判断威胁程度。文中提出的基于单摄像机成像的电力设施侵入目标的参数计算方法,可以更为准确地判断入侵物大小和位置,从而可靠地判断威胁程度,降低误报和漏报,在输电设施的监控方面有广大的应用前景。

    标签: 摄像机 参数计算 电力

    上传时间: 2013-11-02

    上传用户:chens000

  • 基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量

    提出了一个考虑FP 效应的半导体材料参数测量方案。利用该方案可以在时域波形中,截取多个反射回峰,以提高材料参数提取的精确度。另外,考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高,提出了一种有效的厚度优化方法。以GaAs 为待测样品,利用上述方法精确提取了其折射率与消光系数谱.

    标签: 太赫兹 光谱 半导体材料 参数测量

    上传时间: 2013-12-16

    上传用户:alan-ee