第一步，拿到一块PCB，首先在纸上记录好所有元气件的型号，参数，以及位置，尤其是二极管，三极管的方向，IC缺口的方向。最好用数码相机拍两张元气件位置的照片。 第二步，拆掉所有器件，并且将PAD孔里的锡去掉。用酒精将PCB清洗干净，然后放入扫描仪内，启动POHTOSHOP，用彩色方式将丝印面扫入，并打印出来备用。 第三步，用水纱纸将TOP LAYER 和BOTTOM LAYER两层轻微打磨，打磨到铜膜发亮，放入扫描仪，启动PHOTOSHOP，用彩色方式将两层分别扫入。注意，PCB在扫描仪内摆放一定要横平树直，否则扫描的图象就无法使用，扫描仪分辨率请选为600。 需要的朋友请下载哦！
上传时间： 2013-11-17
上传用户：zhuimenghuadie
第一步，拿到一块PCB，首先在纸上记录好所有元气件的型号，参数，以及位置，尤其是二极管，三机管的方向，IC缺口的方向。最好用数码相机拍两张元气件位置的照片。第二步，拆掉所有器件，并且将PAD孔里的锡去掉。用酒精将PCB清洗干净，然后放入扫描仪内，启动POHTOSHOP，用彩色方式将丝印面扫入，并打印出来备用。第三步，用水纱纸将TOP LAYER 和BOTTOM LAYER两层轻微打磨，打磨到铜膜发亮，放入扫描仪，启动PHOTOSHOP，用彩色方式将两层分别扫入。注意，PCB在扫描仪内摆放一定要横平树直，否则扫描的图象就无法使用。第四步，调整画布的对比度，明暗度，使有铜膜的部分和没有铜膜的部分对比强烈，然后将次图转为黑白色，检查线条是否清晰，如果不清晰，则重复本步骤。如果清晰，将图存为黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步，将两个BMP格式的文件分别转为PROTEL格式文件，在PROTEL中调入两层，如过两层的PAD和VIA的位置基本重合，表明前几个步骤做的很好，如果有偏差，则重复第三步。第六，将TOP。BMP转化为TOP。PCB，注意要转化到SILK层，就是黄色的那层，然后你在TOP层描线就是了，并且根据第二步的图纸放置器件。画完后将SILK层删掉。 第七步，将BOT。BMP转化为BOT。PCB，注意要转化到SILK层，就是黄色的那层，然后你在BOT层描线就是了。画完后将SILK层删掉。第八步，在PROTEL中将TOP。PCB和BOT。PCB调入，合为一个图就OK了。第九步，用激光打印机将TOP LAYER， BOTTOM LAYER分别打印到透明胶片上（1：1的比例），把胶片放到那块PCB上，比较一下是否有误，如果没错，你就大功告成了。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：标点符号
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
摘 要:根据新型LCL谐振软开关弧焊逆变电源主电路原理,对这种弧焊电源进行了设计,并对电路中主要参数予以了确定。其内容包括:逆变电源输出电流Io及空载电压的计算、串联谐振电感Ls、电容Cs的参数选择、IGBT缓冲电容的参数选择。根据设计的电源参数,对研制的焊接电源进行试验。试验表明,该电源能够较好地实现软开关。从而证明该设计是合理的、有效的。关键词:谐振软开关;弧焊逆变;电源设计;参数选择
上传时间： 2013-11-16
上传用户：shaoyun666
课程的教学目标与任务 本课程的教学目标主要以Infineon C167-CS单片机为例介绍XC166系列单片机的体系结构和软/硬件开发环境，通过几个典型的实验，使大家初步掌握XC166系列单片机的硬件构成、软件开发以及系统的综合调试方法。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：松毓336
概述 CH341是一个USB总线的转接芯片，通过USB 总线提供异步串口、打印口、并口以及常用的 2线和4线等同步串行接口。 在异步串口方式下，CH341提供串口发送使能、串口接收就绪等交互式的速率控制信号以及常用的MODEM联络信号，用于将普通的串口设备直接升级到 USB 总线。 在打印口方式下，CH341提供了兼容USB相关规范和 Windows操作系统的标准 USB打印口，用于将普通的并口打印机直接升级到USB总线。 在并口方式下，CH341提供了EPP方式或MEM方式及 BUS扩展方式的 8位并行接口，用于在不需要单片机/DSP/MCU 的环境下，直接输入输出数据。 除此之外，CH341A 芯片还支持一些常用的同步串行接口，例如 2 线接口（SCL 线、SDA 线）和 4线接口（CS线、CLK线、DIN线、DOUT线）等。
上传时间： 2014-12-27
上传用户：yanyangtian
基于HT49的MCU控制HT93LC46的读写 HT93LC46EEPROM 是Holtek 制造的1K 位系列的EEPROM（电子可擦除只读存储器），一般它用于微控制器的固定数据的存储。在本文中，我们将以Holtek 公司8 位微控制器HT49 系列为例，介绍该芯片常用的操作功能代码。用户只需把代码加到程序中，并且在使用HT93LC46 之前将引脚CS/SK/DI/DO 连接即可。
上传时间： 2013-11-02
上传用户：笨小孩
HT48 HT46 MCU与HT93LC46 EEPROM的通信文件编码：HA0003s介绍：HT93LC46EEPROM 是Holtek 制造的1K 位系列的EEPROM（电可擦除只读存储器），一般它用于微控制器的固定数据的存储。在本文中，我们将以Holtek 公司8 位微控制器为例，介绍该芯片常用的操作功能代码。用户只需把代码加到程序中，并且在使用HT93LC46 之前将引脚CS/SK/DI/DO连接即可。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：风行天下
The CAT25128 is a 128−Kb Serial CMOS EEPROM device internally organized as 16Kx8 bits. This features a 64−byte page write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial communication with the CAT25128 device. The device featuressoftware and hardware write protection, including partial as well as full array protection.
上传时间： 2013-11-15
上传用户：fklinran
高性能可编程DMA控制接口82C37A-54.1 概述对象实体：直接存储器访问（DMA）控制接口芯片82C37A-5芯片的特点：1、管脚引线与NMOS 8237A-5兼容。2、允许/禁止单独DMA请求控制。3、频率从0~5MHz区间全静态设计。4、低电平操作。 5、4个各自独立的DMA通道并独立的进行初始化。6、存储器到存储器之间传送。7、存储器模块初始化处理。8、地址的增量和减量。9、传送速率可达1.6MB/s.10、可直接扩展成任意数量的通道。11 、终止传送的过程即输入结束。12、软件请求。13、独立信号DREQ和信号DACK的极性控制。4.2 82C37A-5的体系结构4.2.1 基本结构描述1. 82C37A-5内部配备了规模为344位的内部存储器，它是以寄存器的形式出现的。2. 配有3个基本的控制模块： （1）定时及控制模块； （2）优先级编码及循环优先级控制模块；（3）命令控制模块； 3. 12个不同类型的寄存器 。图 4-1 82C37A-5结构图EOP# A0~A3RESETCS#. IOW# DREQ0~DREQ3HLDAHRQ DB0~DB7DACK0~DACK3
上传时间： 2013-10-21
上传用户：ming52900
