单片机的C 语言轻松入门随着单片机开发技术的不断发展，目前已有越来越多的人从普遍使用汇编语言到逐渐使用高级语言开发，其中主要是以C 语言为主，市场上几种常见的单片机均有其C 语言开发环境。这里以最为流行的80C51 单片机为例来学习单片机的C 语言编程技术。本书共分六章，每章一个专题，以一些待完成的任务为中心，围绕该任务介绍C 语言的一些知识，每一个任务都是可以独立完成的，每完成一个任务，都能掌握一定的识，等到所有的任务都完成后，即可以完成C 语言的入门工作。C 语言概述及其开发环境的建立学习一种编程语言，最重要的是建立一个练习环境，边学边练才能学好。Keil 软件是目前最流行开发80C51 系列单片机的软件，Keil 提供了包括C 编译器、宏汇编、连接器、库管理和一个功能强大的仿真调试器等在内的完整开发方案，通过一个集成开发环境（μVision）将这些部份组合在一起。在学会使用汇编语言后，学习C 语言编程是一件比较容易的事，我们将通过一系列的实例介绍C 语言编程的方法。图1-1 所示电路图使用89S52 单片机作为主芯片，这种单片机性属于80C51 系列，其内部有8K 的FLASH ROM,可以反复擦写，并有ISP 功能，支持在线下载，非常适于做实验。89S52 的P1 引脚上接8 个发光二极管，P3.2~P3.4 引脚上接4 个按钮开关，我们的任务是让接在P1 引脚上的发光二极管按要求发光。
上传时间： 2013-11-04
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SM-IIC/2051 模块用户说明简介：SM-IIC/2051 是一个基于2051 单片机的I2C 总线控制模块。上位机接口可直接与PC的RS232 连接，下位机可实现对应用电路中I2C 控制总线的连接，块内设置2K 的FLASH 存储器，可存储用户I2C 初始化数据。模块采用2051 单片机，使电路简单可靠。型号：SM-IIC/2051名称：I2C 数据控制模块功能：RS232 串行信号与I2C 数据转换 接口说明：编号信号标志信号名称规格备注CK1-1 VCC 供电+5VCK1-2 VCC 供电+5VCK1-3 GND 地GroundCK1-4 GND 地GroundCK2-1 TOUT 串口输出RS232CK2-2 RIN 串口输入RS232CK2-3 GND 地GroundCK2-4 GND 地Ground编号信号标志信号名称规格备注CK3-1 GND 地GroundCK3-2 SCL I2C 时钟TTLCK3-3 SDA I2C 数据TTLCK3-4 GND 地GroundCK3-5 P1.2 PI/O 端口TTLCK3-6 P1.3 PI/O 端口TTLCK3-7 P1.4 PI/O 端口TTLCK3-8 P1.5 PI/O 端口TTLCK3-9 P1.6 PI/O 端口TTLCK3-10 P1.7 PI/O 端口TTLCK3-11 P3.7 PI/O 端口TTLCK3-12 T1 定时端口TTLCK3-13 T0 定时端口TTLCK3-14 INT1 中断端口TTLCK3-15 INT0 中断端口TTLCK3-16 GND 地Ground
上传时间： 2013-11-18
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隔离放大器IC___产品特点： 1.精度等级：0.1级、0.2级、0.5级。 2.0-2.5V/0-5V/0-10V/1-5V等标准电压信号、0-1mA/ 0-10mA/0-20mA/4-20mA等标准电流信号输入, 输出标准的隔离信号。 3.输出电压信号：0-5V/0-10V/1-5V、输出电流信号：0-10mA/0-20mA/4-20mA，具有高带载能力。 4.全量程范围内极高的线性度(非线性度<0.2%) 隔离放大器IC___应用举例: 1.直流电流/电压信号的隔离、转换及放大 2.模拟信号地线干扰抑制及数据隔离采集 3.信号远程无失传输 4.电力监控、医疗设备隔离安全栅 5.一进一出、一进两出、两进两出模拟信号转换 隔离放大器IC___产品型号及定义 连续隔离电压值： 3000VDC 电源电压输入范围： ±10%Vin 焊接温度(10秒)： +300℃ AOT -U(A)□ -P□- O□ 输入电压或电流信号值 U1：0-5V A1：0—1mA U2：0-10V A2: 0—10mA U3：0-75mV A3: 0—20mA U4：0-2.5V A4: 4—20mA U5：0-±5V A5：0—±1mA U6：0-±10V A6: 0—±10mA U7：0-±100mV A7: 0—±20mA U8：用户自定义 A8: 用户自定义 隔离放大器IC___辅助电源 P1:DC24V P2:DC12V P3:DC5V P4:DC15V P5:用户自定义 隔离放大器IC____输出信号 O1: 4-20mA O2: 0-20mA O4: 0-5V O5: 0-10V O6: 1-5V O7: 0-±5V O8: 0-±10V O9: -20-+20mA O10: 用户自定义 隔离放大器IC___产品特征： 奥通 光耦隔离系列产品是通过模拟信号(线性光耦)隔离放大，转换按比列输出的一种信号隔离放大器，产品抗干扰强。广泛应用在电力、工业控制转换，仪器仪表、远程监控、医疗设备、工业自控等需要电量隔离测控的行业。光耦隔离系列产品属于双隔离产品，输入信号与辅助电源隔离，辅助电源与输出隔离 ，隔离电压3000VDC 隔离放大器IC___产品说明: 1.SIP12脚符合UL94V-0标准阻燃封装 2.只需外接电位器既可调节零点和增益 3.电源、信号、输入输出 3000VDC隔离 4.工业级温度范围：-45～+85度 5.有较强的抗EMC电磁干扰和高频信号空间干扰特性 6.大小： 32.0mm*13.8mm*8.8mm
上传时间： 2014-01-04
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CH451 使用一个系统时钟信号来同步芯片内部的各个功能部件，例如，当系统时钟信号的频率变高时，显示驱动刷新将变快、按键响应时间将变短、上电复位信号的宽度将变窄、看门狗周期也将变短。一般情况下，CH451 的系统时钟信号是由内置的阻容振荡提供的，这样就不再需要任何外围电路，但内置RC 振荡的频率受电源电压的影响较大，当电源电压降低时，系统时钟信号的频率也随之降低。在某些实际应用中，可能希望CH451 提供更长或者更短的显示刷新周期、按键响应时间等，这时就需要调节系统时钟信号的频率。CH451 提供了CLK 引脚，用于外接阻容振荡。当在CLK 引脚与地GND 之间跨接电容后，系统时钟信号的频率将变低；当在CLK 引脚与正电源VCC 之间跨接电阻后，系统时钟信号的频率将变高。因为CH451 的系统时钟信号被用于芯片内部的所有功能部件，所以其频率不宜进行大幅度的调节，一般情况下，跨接电容的容量在5pF 至100pF 之间，跨接电阻的阻值在20KΩ至500KΩ之间。跨接一个47pF 的电容则频率降低为一半，跨接一个47KΩ的电阻则频率升高为两倍。另外，CH451 的CLK 引脚可以直接输入外部的系统时钟信号，但外部电路的驱动能力不能小于±2mA。CH451 在CLKO 引脚提供了系统时钟信号的二分频输出，对于一些不要求精确定时的实际应用，可以由CLKO 引脚向单片机提供时钟信号，简化外围电路。 单片机接口程序下面提供了U1（MCS-51 单片机）与U2（CH451）的接口程序，供参考。;**********************;需要主程序定义的参数CH451_DCLK BIT P1.7 ;串行数据时钟,上升沿激活CH451_DIN BIT P1.6 ;串行数据输出,接CH451 的数据输入CH451_LOAD BIT P1.5 ;串行命令加载,上升沿激活CH451_DOUT BIT P3.2 ;INT0,键盘中断和键值数据输入,接CH451 的数据输出CH451_KEY DATA 7FH ;存放键盘中断中读取的键值
上传时间： 2013-11-22
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一个24c16的读写程序（已经调试过）(arens) //////////////////////////////////////////////////////////////// //24c16读写驱动程序，FM24C16A-AT24C16中文资料pdf //=-------------------------------------------------------------------------------/*模块调用:读数据:read(unsigned int address)写数据:write(unsigned int address,unsigned char dd) dd为要写的 数据字节*///---------------------------------------------------------------------------------- sbit sda=P3^0;sbit scl=P3^1; sbit a0=ACC^0; //定义ACC的位，利用ACC操作速度最快sbit a1=ACC^1;sbit a2=ACC^2;sbit a3=ACC^3;sbit a4=ACC^4;sbit a5=ACC^5;sbit a6=ACC^6;sbit a7=ACC^7; //--------------------------------------------------------------------------------------#pragma disablevoid s24(void) //起始函数{_nop_(); scl=0; sda=1; scl=1; _nop_(); sda=0; _nop_(); _nop_(); scl=0; _nop_(); _nop_(); sda=1;
上传时间： 2013-10-31
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温湿度传感器 sht11 仿真程序 sbit out =P3^0; //加热口 //sbit input =P1^1;//检测口 //sbit speek =P2^0;//报警 sbit clo =P3^7;//时钟 sbit ST =P3^5;//开始 sbit EOC =P3^6;//成功信号 sbit gwei =P3^4;//个位 sbit swei =P3^3;//十位 sbit bwei =P3^2;//百位 sbit qwei =P3^1;//千位 sbit speak =P0^0;//报警音 sbit bjled =P0^1;//报警灯 sbit zcled =P0^2;//正常LED int count; uchar xianzhi;//取转换结果 uchar seth;//高时间 uchar setl;//低时间 uchar seth_mi;//高时间 uchar setl_mi;//低时间 bit hlbz;//高低标志 bit clbz; bit spbz; ///定时中断程序/// void t0 (void) interrupt 1 using 0 { TH0=(65536-200)/256;//5ms*200=1000ms=1s TL0=(65536-200)%256; clo=!clo;//产生时钟 if(count>5000) { if(hlbz) { if(seth_mi==0){seth_mi=seth;hlbz=0;out=0;} else seth_mi--; } if(!hlbz) { if(setl_mi==0){setl_mi=setl;hlbz=1;out=1;} else setl_mi--; } count=0; } else count++; } ///////////// ///////延时/////// delay(int i) { while(--i); } ///////显示处理/////// xianshi() { int abcd=0; int i; for (i=0;i<5;i++) { abcd=xianzhi; gwei=1; swei=1; bwei=1; qwei=1; P1=dispcode[abcd/1000]; qwei=0; delay(70); qwei=1; abcd=abcd%1000; P1=dispcode[abcd/100]; bwei=0; delay(70); bwei=1; abcd=abcd%100; P1=dispcode[abcd/10]; swei=0; delay(70); swei=1; abcd=abcd%10; P1=dispcode[abcd]; gwei=0; delay(70); gwei=1; } } doing() { if(xianzhi>100) {bjled=0;speak=1;zcled=1;} else {bjled=1;speak=0;zcled=0;} } void main(void) { seth=60;//h60秒 setl=90;//l90秒 seth_mi=60;//h60秒 setl_mi=90;//l90秒 TMOD=0X01;//定时0 16位工作模式 TH0=(65536-200)/256; TL0=(65536-200)%256; TR0=1; //开始计时 ET0=1; //开定时0中断 EA=1; //开全中断 while(1) { ST=0; _nop_(); ST=1; _nop_(); ST=0; // EOC=0; xianshi(); while(!EOC) { xianshi(); } xianzhi=P2; xianshi(); doing(); } }
上传时间： 2013-11-07
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— QP373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
上传用户：天空说我在
温湿度传感器 sht11 仿真程序 sbit out =P3^0; //加热口 //sbit input =P1^1;//检测口 //sbit speek =P2^0;//报警 sbit clo =P3^7;//时钟 sbit ST =P3^5;//开始 sbit EOC =P3^6;//成功信号 sbit gwei =P3^4;//个位 sbit swei =P3^3;//十位 sbit bwei =P3^2;//百位 sbit qwei =P3^1;//千位 sbit speak =P0^0;//报警音 sbit bjled =P0^1;//报警灯 sbit zcled =P0^2;//正常LED int count; uchar xianzhi;//取转换结果 uchar seth;//高时间 uchar setl;//低时间 uchar seth_mi;//高时间 uchar setl_mi;//低时间 bit hlbz;//高低标志 bit clbz; bit spbz; ///定时中断程序/// void t0 (void) interrupt 1 using 0 { TH0=(65536-200)/256;//5ms*200=1000ms=1s TL0=(65536-200)%256; clo=!clo;//产生时钟 if(count>5000) { if(hlbz) { if(seth_mi==0){seth_mi=seth;hlbz=0;out=0;} else seth_mi--; } if(!hlbz) { if(setl_mi==0){setl_mi=setl;hlbz=1;out=1;} else setl_mi--; } count=0; } else count++; } ///////////// ///////延时/////// delay(int i) { while(--i); } ///////显示处理/////// xianshi() { int abcd=0; int i; for (i=0;i<5;i++) { abcd=xianzhi; gwei=1; swei=1; bwei=1; qwei=1; P1=dispcode[abcd/1000]; qwei=0; delay(70); qwei=1; abcd=abcd%1000; P1=dispcode[abcd/100]; bwei=0; delay(70); bwei=1; abcd=abcd%100; P1=dispcode[abcd/10]; swei=0; delay(70); swei=1; abcd=abcd%10; P1=dispcode[abcd]; gwei=0; delay(70); gwei=1; } } doing() { if(xianzhi>100) {bjled=0;speak=1;zcled=1;} else {bjled=1;speak=0;zcled=0;} } void main(void) { seth=60;//h60秒 setl=90;//l90秒 seth_mi=60;//h60秒 setl_mi=90;//l90秒 TMOD=0X01;//定时0 16位工作模式 TH0=(65536-200)/256; TL0=(65536-200)%256; TR0=1; //开始计时 ET0=1; //开定时0中断 EA=1; //开全中断 while(1) { ST=0; _nop_(); ST=1; _nop_(); ST=0; // EOC=0; xianshi(); while(!EOC) { xianshi(); } xianzhi=P2; xianshi(); doing(); } }
上传时间： 2013-10-16
上传用户：黄蛋的蛋黄
数据结构课程设计 程序开发平台：本程序的操作平台是WINDOS XP ，编程工具是VISUAL BASIC.NET。运行程序需要安装Microsoft.NET Framework 1.1。 硬件环境：P3以上处理器. 程序功能：将十进制数转换为2进制后进行逻辑运算。实现布尔表达式。
上传时间： 2013-11-26
上传用户：zhaiyanzhong
转速表：硬件简单，您可以用89c2051代替89c51，p1口做数据输出；P3口做位驱动，int0为转速信号输入
上传时间： 2015-04-01
上传用户：a673761058
