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OPnet介绍

  • LED灯的恒流驱动芯片介绍_上_

    大功率LED灯的恒流驱动芯片介绍,电路详细讲解

    标签: LED 恒流驱动 芯片介绍

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:aig85

  • 介绍X,Y电容的通俗易懂的资料

    介绍X,Y电容的一片通俗易懂的资料

    标签: 电容

    上传时间: 2013-10-30

    上传用户:teddysha

  • 开关电源设计指南-介绍电源理论与工程技术设计相结合的工具书

    本书是一本介绍电源理论与工程技术设计相结合的工具书,介绍了电源在系统中的作用,设计流程......

    标签: 开关电源 工程技术 设计指南 电源

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:31633073

  • 模拟开关的介绍

    模拟开关的介绍

    标签: 模拟开关

    上传时间: 2013-10-29

    上传用户:u789u789u789

  • UPS后备蓄电池容量计算方法介绍

    UPS后备蓄电池容量计算方法介绍

    标签: UPS 蓄电池容量 计算方法

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:youke111

  • 自动定向机介绍

    本文描述了自动定向机(ADF)的主要技术指标以及作用,重点介绍了ADF的基本工作原理。以ADF-700为例介绍了ADF的基本工作原理图,解释了ADF的定向误差产生来源以及如何消除。

    标签: 自动定向机

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:xitai

  • 台达工业直流电源供应器介绍

    台达工业直流电源供应器介绍

    标签: 工业 直流 电源供应器

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:xinshou123456

  • 介绍电压源型变频器能量回馈控制技术的两个方案

     通用变频器能量回馈PWM控制系统是一种采用有源逆变方式把电动机减速制动时产生的再生能量回馈电网的装置。它可以克服通用变频器传统制动电阻方式低效、难以满足快速制动和频繁正反转的不足,使通用变频器可在四象限运行。本文首先回顾了变频调速能量回馈控制技术的发展历史及现状,并介绍了常见的两个方案。

    标签: 电压源 变频器 控制技术 方案

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:paladin

  • 同步整流技术简单介绍

    同步整流技术简单介绍大家都知道,对于开关电源,在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件,通常用的是整流二极管(利用它的单向导电特性),它可以理解为一种被动式器件:只要有足够的正向电压它就开通,而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高,快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功,并且整流二极管是一种固定压降的器件,举个例子:如有一个管子压降为0.7V,其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压,损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时,损耗为0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低,损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展,如GeForce 8800GTX显卡,其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V输出电流各高达24A)的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现,为广大用户提供更高转换效率(如多核R80,完全符合80PLUS标准)的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题?寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻(几毫欧到十几毫欧)极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了!作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件,功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件,必须要在其控制极(栅极)有一定电压才能允许电流通过,这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中,一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积,故小电流时,其压降和恒定压降的肖特基不同,电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率(20%)尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案,我们可以通过灌溉农田来理解:肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道,从源头下来的水源在中途渗漏了很多,十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道,除了一点点被太阳晒掉的损失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1,多核R80,其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET,在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A,则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V,损耗比例为0.04/4=1%,比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗,其技术的进步已不仅仅是一个量的变化,而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说,我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。

    标签: 同步整流

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:杏帘在望

  • 晶片wafer 平面工艺详细介绍

    晶片wafer 平面工艺详细介绍

    标签: wafer 晶片 工艺 详细介绍

    上传时间: 2013-11-21

    上传用户:jesuson