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L1

  • 元件库STMicroelectronics STM32 L1

    STMicroelectronics STM32 L1元件库

    标签: STMicroelectronics STM 32 L1 元件库

    上传时间: 2019-01-03

    上传用户:mingrw

  • STM32 L1全系列PROTEL 99SE 原理图库(169个)+PCB封装库文件

    STMicroelectronics STM32 L1全系列PROTEL 99SE 原理图库(169个)+PCB封装库文件,包括原理图库和PCB封装库,LIB后缀库文件。

    标签: stm32 protel99se pcb封装

    上传时间: 2022-01-30

    上传用户:kent

  • STM32 L1系列 MCU 集成库 原理图库 PCB封装库文件

    STM32 L1系列 MCU 集成库 原理图库 PCB封装库文件CSV text has been written to file : STM32 L1.csvLibrary Component Count : 27Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------STM32L151C8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin LQFP, TraySTM32L151C8U6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin UFQFPN, TraySTM32L151CBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin LQFP, TraySTM32L151CBU6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin UFQFPN, TraySTM32L151R8H6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin TFBGA, TraySTM32L151R8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin LQFP, TraySTM32L151RBH6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin TFBGA, TraySTM32L151RBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin LQFP, TraySTM32L151V8H6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L151V8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, TraySTM32L151VBH6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L151VBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, TraySTM32L152C8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin LQFP, TraySTM32L152C8U6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin UFQFPN, TraySTM32L152CBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin LQFP, TraySTM32L152CBU6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin UFQFPN, TraySTM32L152R8H6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin TFBGA, TraySTM32L152R8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin LQFP, TraySTM32L152RBH6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin TFBGA, TraySTM32L152RBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin LQFP, TraySTM32L152V8H6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L152V8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, TraySTM32L152VBH6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L152VBH6D      STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, 1.65 to 3.6VDD, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L152VBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, TraySTM32L152VBT6TR     STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, Tape and ReelSTM32L152_DB        STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, Tape and Reel

    标签: stm32 mcu

    上传时间: 2022-04-30

    上传用户:trh505

  • 交通灯.rar

    51单片机交通灯实验 c语言程序 L0.0; //主路红灯 L0.1; //主路黄灯 L0.2; //主路绿灯 L1.0; //支路红灯 L1.1; //支路黄灯 L1.2; //支路绿灯

    标签: 交通灯

    上传时间: 2013-06-25

    上传用户:四只眼

  • 5W充电器和适配器

    在本设计中,二极管D1到D4对AC输入进行整流。电容C1和C2对经整流的AC进行滤波。电感L1和L2以及电容C1和C2组成一个π型滤波器,对差模传导EMI噪声进行衰减。这些与Power Integra

    标签: 充电器 适配器

    上传时间: 2013-06-27

    上传用户:刺猬大王子

  • PCB设计问题集锦

    PCB设计问题集锦 问:PCB图中各种字符往往容易叠加在一起,或者相距很近,当板子布得很密时,情况更加严重。当我用Verify Design进行检查时,会产生错误,但这种错误可以忽略。往往这种错误很多,有几百个,将其他更重要的错误淹没了,如何使Verify Design会略掉这种错误,或者在众多的错误中快速找到重要的错误。    答:可以在颜色显示中将文字去掉,不显示后再检查;并记录错误数目。但一定要检查是否真正属于不需要的文字。 问: What’s mean of below warning:(6230,8330 L1) Latium Rule not checked: COMPONENT U26 component rule.答:这是有关制造方面的一个检查,您没有相关设定,所以可以不检查。 问: 怎样导出jop文件?答:应该是JOB文件吧?低版本的powerPCB与PADS使用JOB文件。现在只能输出ASC文件,方法如下STEP:FILE/EXPORT/选择一个asc名称/选择Select ALL/在Format下选择合适的版本/在Unit下选Current比较好/点击OK/完成然后在低版本的powerPCB与PADS产品中Import保存的ASC文件,再保存为JOB文件。 问: 怎样导入reu文件?答:在ECO与Design 工具盒中都可以进行,分别打开ECO与Design 工具盒,点击右边第2个图标就可以。 问: 为什么我在pad stacks中再设一个via:1(如附件)和默认的standardvi(如附件)在布线时V选择1,怎么布线时按add via不能添加进去这是怎么回事,因为有时要使用两种不同的过孔。答:PowerPCB中有多个VIA时需要在Design Rule下根据信号分别设置VIA的使用条件,如电源类只能用Standard VIA等等,这样操作时就比较方便。详细设置方法在PowerPCB软件通中有介绍。 问:为什么我把On-line DRC设置为prevent..移动元时就会弹出(图2),而你们教程中也是这样设置怎么不会呢?答:首先这不是错误,出现的原因是在数据中没有BOARD OUTLINE.您可以设置一个,但是不使用它作为CAM输出数据. 问:我用ctrl+c复制线时怎设置原点进行复制,ctrl+v粘帖时总是以最下面一点和最左边那一点为原点 答: 复制布线时与上面的MOVE MODE设置没有任何关系,需要在右键菜单中选择,这在PowerPCB软件通教程中有专门介绍. 问:用(图4)进行修改线时拉起时怎总是往左边拉起(图5),不知有什么办法可以轻易想拉起左就左,右就右。答: 具体条件不明,请检查一下您的DESIGN GRID,是否太大了. 问: 好不容易拉起右边但是用(图6)修改线怎么改怎么下面都会有一条不能和在一起,而你教程里都会好好的(图8)答:这可能还是与您的GRID 设置有关,不过没有问题,您可以将不需要的那段线删除.最重要的是需要找到布线的感觉,每个软件都不相同,所以需要多练习。 问: 尊敬的老师:您好!这个图已经画好了,但我只对(如图1)一种的完全间距进行检查,怎么错误就那么多,不知怎么改进。请老师指点。这个图在附件中请老师帮看一下,如果还有什么问题请指出来,本人在改进。谢!!!!!答:请注意您的DRC SETUP窗口下的设置是错误的,现在选中的SAME NET是对相同NET进行检查,应该选择NET TO ALL.而不是SAME NET有关各项参数的含义请仔细阅读第5部教程. 问: U101元件已建好,但元件框的拐角处不知是否正确,请帮忙CHECK 答:元件框等可以通过修改编辑来完成。问: U102和U103元件没建完全,在自动建元件参数中有几个不明白:如:SOIC--》silk screen栏下spacing from pin与outdent from first pin对应U102和U103元件应写什么数值,还有这两个元件SILK怎么自动设置,以及SILK内有个圆圈怎么才能画得与该元件参数一致。 答:Spacing from pin指从PIN到SILK的Y方向的距离,outdent from first pin是第一PIN与SILK端点间的距离.请根据元件资料自己计算。

    标签: PCB 设计问题 集锦

    上传时间: 2013-10-07

    上传用户:comer1123

  • 华硕内部的PCB基本规范

    PCB LAYOUT 基本規範項次 項目 備註1 一般PCB 過板方向定義:􀀹 PCB 在SMT 生產方向為短邊過迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊.􀀹 PCB 在DIP 生產方向為I/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義:􀀹 SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直.􀀹 DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 􀀹 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil.􀀹 SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區).PAD

    标签: PCB 华硕

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:jokey075

  • 功率解耦的单相光伏并网逆变器

    太阳能AC模块逆变器是近年来发展非常快的技术,本文提出一种新型的基于反激 变换器的逆变器拓扑结构。该电路结构简单,通过Zeta电路将功率脉动转换成小容量电容上的 电压脉动。大大减小了直流输入侧的低频谐波电流,实现了良好的功率解耦。相比较其他AC模 块逆变器中使用大电容进行功率解耦的方法, 既节省了成本又减小了体积。文中采用峰值电流控 制方案,使逆变器能够输出纯正弦的并网电流波形和单位功率因数。最后通过仿真和实验数据验 证了所提新型逆变器的有效性和可行性。 关键词 光伏系统 AC模块 反激变换器 功率解耦 1 引言 随着全球经济的快速发展,人类对能源的需求 日益增长,传统化石能源的大量消耗使全球面临着 能源危机L1-2]。因此世界各国正在致力于新能源的 开发和使用。太阳能、风能、地热能和潮汐能等能 源形式都可以为人类所利用,而这其中太阳能以其 资源丰富、分布广泛、可以再生以及不污染环境等 优点,受到学者们的高度重视。 太阳能光伏发电是一种将太阳光辐射能通过光 伏效应,经太阳能电池直接转换为电能的新型发电 技术_3 。目前太阳能光伏系统主要分为分散式独 立发电系统和并网式发电系统l4j。其中后者省略 了直流环节的蓄电池组,对电能的利用更加灵活, 具有很好的发展前景。在光伏并网系统中,逆变器 决定着系统的效率以及输出电流波形的质量,是整 个光伏发电系统的技术核心,因此研究开发新型高 效逆变器成为越来越多学者关注的焦点。 光伏逆变器的拓扑结构多种多样,过去主要是 集中式逆变器, 目前应用较多的是串联式逆变器和 多组串联式逆变器[5-7 3。AC模块逆变器是近几年 来比较热门的技术l8。 。在这种系统中,每组光电 模块和一个逆变器集成到一起,形成一个AC模 块,再将所有AC模块的输出并联到一起接入电 网。这样就消除了传统逆变器中,由于逆变器和光 伏模块不匹配而造成的功率损失。

    标签: 功率解耦 光伏并网 单相 逆变器

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:liujinzhao

  • N79E8132移动电源方案

    N79E8132移动电源方案功能介绍     本方案的特色是采用新唐生产的兼容MCS-51核心的N79E8132单片机,可以在-40度到85度温度范围内安全工作,具备4K FLASH,4K DATAFLASH,512B RAM,高精度10位ADC,内置带隙电压可省去外部参考电压,内置22.1184M、11.0592M振荡器,并具有可分频的时钟供单片机核心使用,可以根据性能需要灵活选择工作时钟,提高工作效率,具备外部中断、按键中断,可以灵活实现单片机进入掉电模式后的唤醒功能,具备停机、掉电模式,在产品不使用的时候进入掉电模式,实现环保节能,支持ICE仿真工具,ICP、串口ISP烧写,开发硬件成本低。软件开发可以使用KEIL C,容易上手。     充电部分采用通用的TP4056,价格便宜,容易采购,可以通过外部元件灵活配置充电电流。     升压部分采用日本精工的S8365,工作频率1.2M,外置MOS,容易实现大电流,高效率,电感小型化节省成本。 技术参数 1. 输入: USB 5V/1A ,充电电流可达500-850mA,可根据需要进行设置 2. 输出: USB 5V/1A,效率最高可达到90%以上,可根据需要提高到2A 3. 电量指示: (可根据需要自行设定)     四灯全亮 75%-100%     三个指示灯亮 50%-75%     两个灯亮 25%-55%     一个指示灯亮 5%-25%     无指示灯亮 5%以下 4.充电指示:     25%以下 一个指示灯闪     25%-50% 一个指示灯亮 第二个闪     50%--75% 二个指示灯亮 第三个闪     75%-99% 三个指示灯亮 第四个闪     100% 四个指示灯长亮。 5.智能保护:     低电保护:电池电压低于3V时自动关闭升压     放电保护:放电电流大于额定电流自动关闭升压输出(1A模式设置为1.5A保护)     温度保护:检测电池温度,高于55度自动关闭升压输出(可选)     低电流关机:当外部设备的电流需求小于100mA时,关闭升压输出以节省电力。 6.按键操作:     短按按键,4个LED显示剩余电量3~5秒自动关闭   按键长按, LED点亮,闪烁3次后开启升压,显示电量,30秒内没有连接外部设备自动关机。   开机状态长按,点亮照明LED,再长按熄灭照明LED,照明LED点亮状态不会进入自动关机 带照明功能。(可选)8.原理图 9.BOM 序号 类型 参数 位号 封装 数量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 贴片电阻 0.1R R25 1206 1 5 贴片电阻 1A R28 1812 1 6 贴片电阻 22R R24 0603 1 7 贴片电阻 22R R30 0805 1 8 贴片电阻 100R R3 0805 1 9 贴片电阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 贴片电阻 2.4K R4 0603 1 11 贴片电阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 贴片电阻 43.2KF R46 0603 1 13 贴片电阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 贴片电阻 68KF R27 0603 1 15 贴片电阻 75KF R48 0603 1 16 贴片电阻 100K R2 R16 0603 2 17 贴片电阻 220KF R17 R26 0603 2 18 贴片电阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 贴片电容 47P C1 C7 0603 2 20 贴片电容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 贴片电容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 贴片电容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 贴片电感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二极管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二极管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能说明

    标签: N79E8132 移动电源 方案

    上传时间: 2013-11-16

    上传用户:sxdtlqqjl

  • 简易负离子发生器的制作

      简易负离子发生器负离子增加,对人有催眠、止汗、镇痛、增进食欲,使人精神爽快,消除疲劳的作用。图1是负离子发生器电路图。220V交流市电经D1整流后向C3和C2充电,当C2充电至氖泡导通并触发SCR导通时,C3经SCR、B的L1放电,经B感应升压后,由D2反向整流得8kV直流高压使发生器M的分子电离而产生负离子。调整R3的阻值可以改变触发频率和输出电压。调整时必须注意安全,更换元件需拨下电源插头

    标签: 负离子发生器

    上传时间: 2013-10-29

    上传用户:731140412