1.1 异常分类 基于Dr. GUI 的建议，我把我的第一个专栏投入到“程序异常”的系列上。我认识到， “exception”这个术语有些不明确并和上下文相关，尤其是C++标准异常（C++ standard exceptions）和Microsoft 的结构化异常（structured exception handling）
上传时间： 2013-12-23
上传用户：yepeng139
I would like to thank my advisor, Dr. A. Lynn Abbott, for helping me throughout my research, Gary Fleming and the rest of the people at NASA Langley who provided all the flight information and image sequences, and my parents who supported me in my decision to enter graduate study. Also, thanks to Phichet Trisirisipal and Xiaojin Gong for helping when I had computer vision questions, and Nathan Herald for his help creating an illustration.
标签： A. throughout research advisor
上传时间： 2017-06-18
上传用户：maizezhen
Dr.Dobb收集的10部经典算法合集,全英文,适合对算法非常感兴趣,同时有耐心阅读英文的入门者,和算法的资深人士
上传时间： 2014-01-14
上传用户：waizhang
hamravad ha dr operating
上传时间： 2013-12-23
上传用户：FreeSky
家电维修相关专辑 88册 9.18G索尼Kv-dr34x80b电路图 152页 48.6M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
基于FPGA设计的sdram读写测试实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档说明，DRAM选用海力士公司的 HY57V2562 型号,容量为的 256Mbit,采用了 54 引脚的TSOP 封装, 数据宽度都为 16 位, 工作电压为 3.3V,并丏采用同步接口方式所有的信号都是时钟信号。FPGA型号Cyclone4E系列中的EP4CE6F17C8，Quartus版本17.1。timescale 1ps/1psmodule top(input clk,input rst_n,output[1:0] led,output sdram_clk, //sdram clockoutput sdram_cke, //sdram clock enableoutput sdram_cs_n, //sdram chip selectoutput sdram_we_n, //sdram write enableoutput sdram_cas_n, //sdram column address strobeoutput sdram_ras_n, //sdram row address strobeoutput[1:0] sdram_dqm, //sdram data enable output[1:0] sdram_ba, //sdram bank addressoutput[12:0] sdram_addr, //sdram addressinout[15:0] sdram_dq //sdram data);parameter MEM_DATA_BITS = 16 ; //external memory user interface data widthparameter ADDR_BITS = 24 ; //external memory user interface address widthparameter BUSRT_BITS = 10 ; //external memory user interface burst widthparameter BURST_SIZE = 128 ; //burst sizewire wr_burst_data_req; // from external memory controller,write data request ,before data 1 clockwire wr_burst_finish; // from external memory controller,burst write finish
标签： fpga sdram verilog quartus
上传时间： 2021-12-18
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·摘要： 对10kV单元串联式高压变频器的主电路拓扑结构及功率单元电路进行了研究,分析了控制电路构成原理.重点对模拟量控制电路进行了设计及仿真,其功能是对高压变频器系统内各类模拟信号进行运算处理,以满足DSP的ADC部分的物理和逻辑要求.设计电路用于实际的10 kV单元串联式高压变频器,取得了良好的效果,并给出了模拟量控制电路的功能实现.
上传时间： 2013-04-24
上传用户：dbs012280
电位计讯号转换器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1．产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离；如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号，机种齐全。 此款薄型设计的转换器/分配器，除了能提供两组讯号输出（输出间隔离）或24V激发电源供传送器使用外，切换式电源亦提供了安装的便利性。上方并设计了电源、输入及输出指示灯及可插拔式接线端子方便现场施工及工作状态检视。 2.产品特点 可选择带指拨开关切换，六种常规输出信号0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切换。 双回路输出完全隔离，可选择不同信号。 设计了电源、输入及输出LED指示灯，方便现场工作状态检视。 规格选择表中可指定选购0.1%精度 17.55mm薄型35mm导轨安装。 依据CE国际标准规范设计。 3.技术规格 用途：信号转换及隔离 过载输入能力：电流：10×额定10秒 第二组输出：可选择 输入范围：P1：0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ P2：0 Ω ~ 2.0 KΩ / ~ 100.0 KΩ 精确度: ≦±0.2% of F.S. ≦±0.1% of F.S. 侦测电压：1.6V 输入耗损: 交流电流:≤ 0.1VA; 交流电压:≤ 0.15VA 反应时间: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 输出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 满量程校正范围:≤ ±10% of F.S.，2组输出可个别调整 零点校正范围:≤ ±10% of F.S.，2组输出可个别调整 隔离:AC 2.0 KV 输出1与输出2之间 隔离抗阻：DC 500V 100MΩ 工作电源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (选购规格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作湿度: 20~95% RH, 无结露 温度系数: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 储存温度: -10~70 ºC 保护等级: IP 42 振动测试: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外观尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外壳材质: ABS防火材料，UL94V0 安装轨道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全规范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用规格：AT-PM1-P1-DN-ADL 电位计讯号转换器，一组输出，输入范围：0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ，输出一组输出4-20mA，工作电源AC/DC20-56V
上传时间： 2013-11-05
上传用户：feitian920
利用负阻原理设计了5.9 GHz介质振荡器（DRO），采用HFSS软件对介质谐振块（DR）进行三维仿真，应用Agilent公司的ADS软件对DRO进行了优化设计和非线性分析，用该方法制作的并联反馈式DRO性能良好，输出功率为10 dBm，相位噪声达到-100 dBc/Hz＠10 kHz，-124 dBc/Hz＠100 kHz。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：urgdil
为了对电容重复频率且高能量转换效率地充电，开展了全桥串联谐振充电电源的理论设计。通过数值解析的方法获得谐振电感、电容、功率器件耐压与通流、电源功率、脉冲变压器伏秒数等参数，通过数值模拟的方法获得脉冲变压器励磁电感参数，以基于Pspice的全电路仿真验证设计参数的合理性。仿真结果表明为了实现对110 nF电容1 kHz重频充电，在初级电压为1.2 kV和谐振参数为33 kHz时，谐振电感、电容应分别为625 nH，37 μF，脉冲变压器伏秒数、励磁电感至少分别应为45 mVs、1 mH，功率器件峰值电流约300 A。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：angle
