专辑类-网络及电脑相关专辑-114册-4.31G 移动IP技术指南-7.7M-PDF.zip
上传时间: 2013-06-17
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专辑类-网络及电脑相关专辑-114册-4.31G 实用组网指南-24.9M-PDF.zip
上传时间: 2013-08-04
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专辑类-网络及电脑相关专辑-114册-4.31G -C#.COM.编程指南-219页-3.2M.pdf
上传时间: 2013-05-20
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常用的元器件选型。方便开发设计者的选型,里面资料较为齐全,所选元器件都为通用器件方便采购,对开发设计的元器件选型有很大帮助。
上传时间: 2013-07-07
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led照明系统设计指南完全版(总结和问题)
上传时间: 2013-06-06
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《基于单片机8051的嵌入式开发指南》,学校图书馆的书,与大家分享下。
上传时间: 2013-06-21
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励磁调节系统是同步发电机的重要组成部分,对同步发电机乃至电力系统的安全稳定运行有着重要影响。随着电力系统规模的不断增大,系统结构和运行方式日趋复杂,对同步发电机励磁控制系统运行的可靠性、稳定性、经济性和灵活性提出了更高的要求。本文根据励磁调节器的国内外发展趋势,研究开发了以TMS320F2812芯片为控制核心的同步发电机DSP励磁调节器。 本文首先介绍了数字励磁的发展历程、特点及应用范围,然后介绍了同步发电机励磁控制系统的国内外发展状况及趋势,提出了基于数字信号处理器 TMS320F2812 控制的绝缘栅双极晶体管(IGBT)微机励磁系统的结构和设计方案。 在详细解释功率器件 IGBT 和控制器件TMS320F2812芯片基础上,提出了励磁系统的主要硬件设计及软件实现方法;完成了IGBT励磁装置主回路和 IGBT 保护及驱动单元的设计;进行调节器硬件设计,给出了硬件原理图和软件流程图;利用TMS320F2812芯片强大的数据处理能力和丰富的片内外设和高速的实时处理能力,用单片系统结构实现了交流采样、变速积分 PID控制算法、PWM功率调节和系统保护等功能。TMS320F2812芯片的引入,大大简化了励磁控制器的硬件结构,提高了励磁系统的抗干扰能力和可靠性。 最后,为验证所设计的励磁调节器的有效性和控制效果,采用 MATLAB 中 SIMULINK 仿真平台,设计了励磁控制系统各环节的仿真模型。仿真结果表明,采用 TMS320F2812的同步发电机IGBT励磁系统具有响应快速、调节灵敏、控制性能优良等特点。
上传时间: 2013-07-29
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PIC单片机C语言编程指南_PIC_c语言
上传时间: 2013-05-23
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本文介绍了埋弧焊的特点、发展过程、国内外的研究现状;分析了软开关逆变式主回路的优点、模拟电路控制系统和数字化控制系统的优缺点,指出数字化控制是逆变埋弧焊机控制的发展方向;对埋弧焊接工作原理和埋弧焊机控制系统进行分析,介绍了交流方波埋弧焊的优点;论述了变动送丝电弧控制系统的原理及影响因素,并且分析了变动送丝情况下焊接电弧的稳定性,为逆变式交流方波埋弧焊系统的设计提供了理论依据。 在分析传统交流方波埋弧焊主回路的基础上设计了主回路结构,对主回路中一次、二次逆变回路的软开关工作方式进行分析并做了简单仿真。IGBT是逆变电源的核心部件,文中论述了IGBT功率器件的选型和各种保护措施以保证系统的可靠工作。焊机工作发热量很大,本文介绍了整机和关键器件的热设计。 数字化控制方式是逆变埋弧焊机控制的发展方向,本文采用“MCU+DSP”的控制结构,对埋弧焊的整个焊接过程进行精确控制。文中详细介绍了主控制板的设计思路和电源、电流与电压反馈、控制芯片最小系统、通信与保护工作电路。焊机的工作中,各种干扰不可避免,对各种可能干扰分析的基础上在硬件电路设计和PCB板的制作中采取了相应的抗干扰措施。软件设计是焊接稳定进行的关键因素,文中介绍了控制系统中关键步骤的软件设计思路和流程并在软件的实现中采用抗干扰措施。 最后,对采用本控制系统的埋弧焊机进行初步实验,结果表明本文所设计的埋弧焊机控制系统能够满足逆变埋弧自动焊的要求,具有电路简单,控制精度高,抗干扰能力强、操作方便、工作稳定可靠等优点,提高了焊机的综合性能及自动化程度。 本课题所设计的逆变式交流方波埋弧焊电源具有良好的输出特性和控制性能,可满足埋弧自动焊和手工焊的要求。采用交流方波的焊接波形、对焊接整个过程进行实时软件控制,电弧稳定,焊接效果好。 关键词:埋弧焊;交流方波;逆变;软开关
上传时间: 2013-06-08
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由于绝缘栅双极晶体管IGBT具有工作频率高、处理功率大和驱动简单等诸多优点,在电力电子设备、尤其是中大型功率的电力电子设备中的应用越来越广泛。但是,IGBT失效引发的设备故障往往会对生产带来巨大影响和损失,因此,对IGBT的失效研究具有十分重要的应用意义。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基础上,采用双极传输理论联立求解电子和空穴的传输方程,得到了稳态时电子和空穴电流的表达式,对造成IGBT失效的各种因素进行了详细分析。应用MATLAB软件,对硅参数的热导率、载流子浓度、载流子寿命、电子迁移率、空穴迁移率和双极扩散系数等进行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是发生擎住效应以及泄漏电流导致IGBT延缓失效的有用结论。并且,进行了IGBT动态模型的设计和仿真,对IGBT在短路情况下的失效机理进行了深入研究。 考虑到实际设备中的IGBT在使用中经常会发生反复过流这一问题,通过搭建试验电路,着重对反复过流对IGBT可能带来的影响进行了试验研究,探讨了IGBT因反复过流导致的累积失效的变化规律。本文研究结果对于正确判断IGBT失效以及失效程度、进而正确判断和预测设备的可能故障,具有一定的应用参考价值。
上传时间: 2013-08-04
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