DDR2-SDRAM

基于SDR Sdram(同步动态RAM) 作为主存储器的LED 显示系统的研究

针对主控制板上存储器(SRAM) 存储的数据量小和最高频率低的情况,提出了基于SDR Sdram(同步动态RAM) 作为主存储器的LED 显示系统的研究。在实验中,使用了现场可编程门阵列( FPGA) 来实现各模块的逻辑功能。最终实现了对L ED 显示屏的控制,并且一块主控制板最大限度的控制了256 ×128 个像素点,基于相同条件,比静态内存控制的面积大了一倍,验证了动态内存核[7 ]的实用性。

标签： Sdram SDR RAM LED

上传时间： 2013-08-21

上传用户：sjw920325
SDRAM控制模块；图象采集系统说明性稳当；DSP图象采集系统。SDRAM作为存储器。

SDRAM控制模块；图象采集系统说明性稳当；DSP图象采集系统。SDRAM作为存储器。

标签： SDRAM DSP 图象采集

上传时间： 2013-08-23

上传用户：plsee
SDRAM与DDR布线指南

SDRAM与DDR布线指南

标签： SDRAM DDR 布线

上传时间： 2013-11-22

上传用户：guobing703
利用Virtex-6控制器提升DDR SDRAM的效率

　　厂商把产品命名为DDR3-1600，则意味着该厂商将规定该SDRAM器件的峰值传输速率定为1，600MT/s。虽然这些器件确实能够达到所规定的传输速率，但在实际工作负载情况下却不能持续保持该速率。原因在于行地址冲突、数据总线转换损耗、写恢复等都会降低器件的峰值传输速率

标签： Virtex SDRAM DDR 控制器

上传时间： 2013-12-12

上传用户：jkhjkh1982
SDRAM的原理和时序

SDRAM的原理和时序 SDRAM内存模组与基本结构我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理Bank与芯片位宽。1、物理Bank 传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上市时，需要两条72pin的SIMM才能启动，因为一条72pin -SIMM只能提供32bit的位宽，不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一条内存开机。不过要强调一点，P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念，RDRAM中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统，传统的P-Bank概念也不适用。2、芯片位宽上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽，才能使CPU正常工作，那么这个P-Bank位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。理论上，完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Ban k的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。这样，为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。对于16bi t芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。对于8bit芯片，则就需要8颗了。以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。P-Bank其实就是一组内存芯片的集合，这个集合的容量不限，但这个集合的总位宽必须与CPU数据位宽相符。随着计算机应用的发展，

标签： SDRAM 时序

上传时间： 2013-11-04

上传用户：zhuimenghuadie
利用FPGA实现SDRAM控制器的设计

FPGA的应用，sdram

标签： SDRAM FPGA 控制器

上传时间： 2014-12-28

上传用户：aesuser
SDRAM Controller

SDRAM Controller

标签： Controller SDRAM

上传时间： 2013-12-14

上传用户：zuozuo1215
FPGA连接DDR2的问题讨论

我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配和通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？

标签： FPGA DDR2 连接问题讨论

上传时间： 2013-10-12

上传用户：han_zh
ref sdr sdram vhdl代码

ref-sdr-sdram-vhdl代码 SDR SDRAM Controller v1.1 readme.txt This readme file for the SDR SDRAM Controller includes information that was not incorporated into the SDR SDRAM Controller White Paper v1.1. The PLL is targeted at APEX(TM) devices. Please regenerate for your chosen architecture. Last updated September, 2002 Copyright ?2002 Altera Corporation. All rights reserved.

标签： sdram vhdl ref sdr

上传时间： 2013-11-13

上传用户：takako_yang
基于EPM1240的SDRAM控制器的设计

通过设计基于CPLD 的SDRAM 控制器接口，可以在STM系列、ARM系列、STC系列等单片机和DSP等微处理器的外部连接SDRAM，增加系统的存储空间。

标签： SDRAM 1240 EPM 控制器

上传时间： 2013-11-14

上传用户：feifei0302