Cox方法展频水印matlab源码，对bitmap图像隐藏信息
上传时间： 2013-12-30
上传用户：003030
当今信号处理的热点问题, 数字水印和信息隐藏源码 Cox
上传时间： 2015-04-27
上传用户：playboys0
D. R. Cox写的统计推断原理，2006年的新书，大家看看吧，很不错
上传时间： 2016-04-14
上传用户：sdq_123
ofdm符号同步算法-schmidl&Cox算法的matlab实现
上传时间： 2016-12-06
上传用户：小眼睛LSL
Linux程序设计（第三版） Neil Matthew, Richard Stones, Alan Cox 著
标签： Matthew Richard Stones Linux
上传时间： 2013-12-21
上传用户：zhengzg
利用三次样条函数考察Cox模型比例风险假定.rar
上传时间： 2014-01-06
上传用户：wlcaption
Cox方法的仿真相信对理解这个的人，是会有着很大的帮助的
上传时间： 2014-01-09
上传用户：caiiicc
这个小程序可以简单的选取回归分析中box-Cox变换的lambda值，通过matlab强大的矩阵运算功能可以通过简单比较RSS值的方式来得到lambda，使用时只需要输入实验值矩阵X和Y即可，然后输入minRSS（X，Y）就能简单明了的看到最优变换参数 （这个程序虽然小但是学习回归分析的初学者学习时都会经过这个算法，上载时因为不到1KB所以我又放了个文本格式的）
上传时间： 2017-09-09
上传用户：aig85
Micro In-System Programmer Brief Installation Notes Enter the src directory. If uisp does not compile successfully, add switch -DNO_DIRECT_IO in the Makefile to remove support for direct I/O port access (that may be necessary on non-PC architectures). Parallel port access should still work if you have the Linux ppdev driver (patch for 2.2.17 is in the kernel directory, ppdev is standard in 2.4 kernels). Please lobby Alan Cox to include this tiny little driver in 2.2.x too :). To make it type: make and to install it: make install If you have any further doubts, please consult UISP s homepage: http://www.nongnu.org/uisp/
标签： Installation Programmer In-System directory
上传时间： 2013-12-23
上传用户：小儒尼尼奥
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
上传用户：wangshoupeng199
