1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SDRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SDRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SDRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SDRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SDRAM X4/8 Ballout using MO-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SDRAM X16 Ballout using MO-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SDRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the mode registers .............................................................................................................123.5 Mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SDRAM COMMAND Description and Operation ............................................................................................. 244.1 COMMAND Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off Mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off Mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling Mode Exit .........................................................................................................................34
标签： DDR4
上传时间： 2022-01-09
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FPGA那些事儿--Modelsim仿真技巧REV6.0，经典Modelsim学习开发设计经验书籍-331页。前言笔者一直以来都在纠结，自己是否要为仿真编辑相关的教程呢？一般而言，Modelsim 等价仿真已经成为大众的常识，但是学习仿真是否学习Modelsim，笔者则是一直保持保留的态度。笔者认为，仿真是Modelsim，但是Modelsim 不是仿真，严格来讲Modelsim只是仿真所需的工具而已，又或者说Modelsim 只是学习仿真的一部小插曲而已。除此之外，笔者也认为仿真可以是验证语言，但是验证语言却不是仿真，因为验证语言只是仿真的一小部分而已，事实上仿真也不一定需要验证语言。常规告诉笔者，仿真一定要学习Modelsim 还有验证语言，亦即Modelsim 除了学习操作软件以外，我们还要熟悉TCL 命令（Tool COMMAND Language）。此外，学习验证语言除了掌握部分关键字以外，还要记忆熟悉大量的系统函数，还有预处理。年轻的笔者，因为年少无知就这样上当了，最后笔者因为承受不了那巨大的学习负担，结果自爆了。经过惨痛的经历以后，笔者重新思考“仿真是什么？”，仿真难道是常规口中说过的东西吗？还是其它呢？苦思冥想后，笔者终于悟道“仿真既是虚拟建模”这一概念。虚拟建模还有实际建模除了概念（环境）的差别以外，两者其实是同样的东西。换句话说，一套用在实际建模的习惯，也能应用在仿真的身上。按照这条线索继续思考，笔者发现仿真其实是复合体，其中包括建模，时序等各种基础知识。换言之，仿真不仅需要一定程度的基础，仿真不能按照常规去理解，不然脑袋会短路。期间，笔者发现愈多细节，那压抑不了的求知欲也就愈烧愈旺盛，就这样日夜颠倒研究一段时间以后，笔者终于遇见仿真的关键，亦即个体仿真与整体仿真之间的差异。常规的参考书一般都是讨论个体仿真而已，然而它们不曾涉及整体仿真。一个过多模块其中的仿真对象好比一块大切糕，压倒性的仿真信息会让我们喘不过起来，为此笔者开始找寻解决方法。后来笔者又发现到，早期建模会严重影响仿真的表现，如果笔者不规则分化整体模块，仿真很容易会变得一团糟，而且模块也会失去连接性。笔者愈是深入研究仿真，愈是发现以往不曾遇见的细节问题，然而这些细节问题也未曾出现在任何一本参考书的身上。渐渐地，笔者开始认识，那些所谓的权威还有常规，从根本上只是外表好看的纸老虎而已，细节的涉及程度完全不行。笔者非常后悔，为什么自己会浪费那么多时间在它们的身上。可恶的常规！快把笔者的青春还回来！ 所以说，常规什么的最讨厌了，最好统统都给我爆炸去吧！呜咕，过多怨气实在一言难尽，欲知详情，读者自己看书去吧...
上传时间： 2022-05-02
上传用户：zinuoyu
一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器， 它提供标准接口并管理闪存， 使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。二． eMMC的优点eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash 芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有哪个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技术改朝换代，包括70 纳米演进至50 纳米，再演进至40 纳米或30 纳米制程技术，手机客户也都要重新设计， 但半导体产品每1 年制程技术都会推陈出新， 存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 颗MCP上的概念，逐渐风行起来。eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash 芯片和控制芯片设计成1 颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash 兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。闪存Flash 的制程和技术变化很快，特别是TLC 技术和制程下降到20nm阶段后，对Flash 的管理是个巨大挑战，使用eMMC产品，主芯片厂商和客户就无需关注Flash 内部的制成和产品变化，只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间。eMMC可以很好的解决对MLC 和TLC 的管理， ECC 除错机制(Error Correcting Code) 、区块管理(BlockManagement)、平均抹写储存区块技术 (Wear Leveling) 、区块管理（ COMMAND Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心优点在于生产厂商可节省许多管理NAND Flash 芯片的时间，不必关心NAND Flash 芯片的制程技术演变和产品更新换代，也不必考虑到底是采用哪家的NAND Flash 闪存芯片，如此， eMMC可以加速产品上市的时间，保证产品的稳定性和一致性。
标签： emmc
上传时间： 2022-06-20
上传用户：jiabin
B300-B300SP2 功能差异.xlsxM531X DM流程_v2.0.pdfM531X HTTP AT指令手册v1.4.pdfM531X MQTT 使用指导_v1.3.pdfM531X OneNET 参考手册_v1.6.pdfM5310 & M5310-A差异文档.pdfM5310A AT COMMAND B300SP5-MH0S04.pdfM5310-A FOTA 升级手册_v1.0.pdfM5310-A LWM2M AT指令手册v1.4.pdfM5310-A MBRH0S04更新日志.pdfM5310-A TCPIP应用指导_v1.2.pdfM5310-A UART低功耗应用指导_v1.0.pdfM5310-A_EVB用户使用指南V1.0.pdfM5310-A-MBRH0S02更新日志.pdfM5310-A-MBRH0S03更新日志.pdfM5310-A参考设计V1.5.pdfM5310-A硬件设计手册_V1.7.pdfM5310-封装.zipOneNET 平台FOTA 升级(NB-IOT)_v1.0.pdf
上传时间： 2022-06-24
上传用户：13692533910
这一讲中将介绍Keil提供各种窗口如输出窗口、观察窗口、存储器窗口、反汇编窗口、串行窗口等的用途，以及这些窗口的使用方法，并通过实例介绍这些窗口在调试中的使用。一、程序调试时的常用窗口Keil软件在调试程序时提供了多个窗口，主要包括输出窗口（Output Windows）、观察窗口（Watch&Call Statck Windows）、存储器窗口（Memory Window）、反汇编窗口（Dissambly Window）串行窗口（Serial Window）等。进入调试模式后，可以通过菜单View下的相应命令打开或关闭这些窗口。图1是输出窗口、观察窗口和存储器窗口，各窗口的大小可以使用鼠标调整。进入调试程序后，输出窗口自动切换到COMMAND页。该页用于输入调试命令和输出调试信息。对于初学者，可以暂不学习调试命令的使用方法。
上传时间： 2022-07-22
上传用户：yiyewumian
