运放电路中的恒流源电路分析方法 普通镜像恒流源、多集电极恒流源、高精度镜像恒流源、高内阻恒流源和镜像微恒流源电路，以及恒流源电路输出电阻的计算等。 分析恒流源电路的方法是： （1）确定恒流源电路中的基准晶体管或场效应管； （2） 计算或确定基准电流； &nbbsp; （4）绘制恒流部分的交流通路，确定恒流源的内阻。 由于恒流源的内阻较大，计算恒流源内阻时不能忽略三极管集电极与发射极之间，或场效应管漏极与源极之间的动态电阻
上传时间： 2013-10-09
上传用户：gxmm
介绍一款逆变器主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：黑漆漆
P0端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成。再看图的右边，标号 为P0.X引脚的图标，也就是说P0.X引脚可以是P0.0到P0.7的任何一位，即在P0口有8个与上图相同的电路组成。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：fandeshun
介绍一种无极可调交流电子负载设计的新方法，由ATmega48单片机输出PWM波，通过上位机设定不同的占空比控制场效应管的通断时间，即改变流过场效应管的平均电流。根据电流的大小，可以等效为相应的负载，并将采集的电流值显示在上位机上。文中对该系统的软﹑硬件设计思路作了详细的分析，阐述了其设计原理。 Abstract: A new type electronic load is introduced.Due to ATmega48 microcomputer output PWM wave.The different duty is set ratio through PC to control FET turn-on time.We can equivalent homologous load according the current and display the current at PC.The hardware and software designing are analysed in detail. The principle is explained and the output is also given.
上传时间： 2013-11-23
上传用户：虫虫虫虫虫虫
关于PCB封装的资料收集整理. 大的来说,元件有插装和贴装.零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD 元件放上，即可焊接在电路板上了。晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE 库中，它也是简单地把它们称为RES1 和RES2，不管它是100Ω 还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W 和甚至1/2W 的电阻，都可以用AXIAL0.3 元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：电阻类及无极性双端元件：AXIAL0.3-AXIAL1.0无极性电容：RAD0.1-RAD0.4有极性电容：RB.2/.4-RB.5/1.0二极管：DIODE0.4及DIODE0.7石英晶体振荡器：XTAL1晶体管、FET、UJT：TO-xxx(TO-3,TO-5)可变电阻（POT1、POT2）：VR1-VR5这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3，AXIAL 翻译成中文就是轴状的，0.3 则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6 等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx 就是单排的封装。等等。值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1 脚为E（发射极），而2 脚有可能是B 极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS 管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。Q1-B，在PCB 里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。在可变电阻
上传时间： 2013-11-03
上传用户：daguogai
利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题:针对LDO稳压器的稳定性问题，设计了一种新颖的动态密勒补偿电路8与传统方法相比，该电路具有恒定的带宽，大大提高了系统的瞬态响应性能，同时将开环增益提高了，左右使6LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片，验证了该方法的正确性和可行性。关键词：低压降稳压器，动态密勒补偿，稳定性，P型场效应管电容器
上传时间： 2013-10-24
上传用户：小宝爱考拉
微型51/AVR 编程器套件装配说明书 请您在动手装配这个编程器之前，务必先看完本说明书，避免走弯路。 1．收到套件后请对照元器件列表检查一下，元件、配件是否齐全？ Used Part Type Designator ==== ================ ========== 1 1k R6 1 1uf 50V C11 5 2k2 R2 R3 R4 R5 R11 1 10K*8 RN1 2 11.0592MHZ Q1 Q2 1 12V,0.5W D2 2 15k R7 R8 2 21k R9 R10 4 33p C6 C7 C8 C9 1 47uf 25V C10 1 74HC164 IC6 2 78L05 IC4 IC5 1 100uf 25V C12 1 220R R1 1 AT89C51 IC2 1 B40C800(W02) D1 2 BS170 T1 T2 1 BS250 T3 1 DB9/F J2 1 J1X2 J1 1 LED GN5 D3 1 LM317L IC1 1 TLC2272 IC7 1 ZIF40 IC3 5 1uf C1 C2 C3 C4 C5 另外，套件配有1.5米串行电缆一根和配套的PCB一块，不含电源。编程器使用的15V交流电源或12V直流电源需要自己配套。2．装配要点：先焊接阻容元件，3个集成电路插座（IC2,IC7,IC6）其次是晶振， 全桥，稳压IC 等，然后焊接J2,最后焊接T1,T2,T3三只场效应管。焊接场效应管时务必按照以下方法：拔去电烙铁的电源，使用电烙铁余温去焊接三只场效应管，否则静电很容易损坏管子。这是装配成功的关键。这三只管子有问题，最典型的现象是不能联机。由于电源插座封装比较特殊，国内无法配套上，已改用电源线接线柱，可直接焊接在PCB板焊盘上，如下图1所示（在下图中两个红色圆圈内指示的焊盘），然后在连接到套件中配套的电源插座上。最近有朋友反映用15V交流比较麻烦，还要另外配变压器。如果要使用12V的直流电，无需将全桥焊上，将两个接线柱分别焊接在全桥的正负输出位置的焊盘上即可，如下图2所示，蓝色圆圈内指示的焊盘，连接电源的时候要注意正负极，不要接错了。方形焊盘是正极。40脚ZIF插座焊接前，应该将BR1飞线焊接好。注意：由于焊盘比较小，注意焊接温度，不要高温长时间反复焊接，会导致焊盘脱落。
上传时间： 2013-12-31
上传用户：caiguoqing
通用的多电源总线，如VME、VXI 和PCI 总线，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V（或±24V）电源，如果在这些系统中添加设备（如插卡等），则需要额外的3.3V或5V电源，这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。图1 电路，将-12V 电压升压到15.3V（相对于-12V 电压），进而得到3.3V 的电源电压，输出电流可达300mA。Q2 将3.3V 电压转换成适当的电压（-10.75V）反馈给IC1 的FB 引脚，PWM 升压控制器可提供1W 的输出功率，转换效率为83%。整个电路大约占6.25Cm2的线路板尺寸，适用于依靠台式PC机电源供电，需要提供1W输出功率的应用，这种应用中，由于-12V总线电压限制在1.2W以内，因此需要保证高于83%的转换效率。由于限流电阻（RSENSE）将峰值电流限制在120mA，N 沟道MOSFET（Q1）可选用廉价的逻辑电平驱动型场效应管，R1、R2 设置输出电压（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反馈电压高于PGND引脚（Pin7）1.25V，因此：VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V选择电阻R1后，可确定：I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式确定R2：R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ图1 中，IC1 的开关频率允许通过外部电阻设置，频率范围为100kHz 至500kHz，有利于RF、数据采集模块等产品的设计。当选择较高的开关频率时，能够保证较高的转换效率，并可选用较小的电感和电容。为避免电流倒流，可在电路中增加一个与R1串联的二极管。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：jixingjie
书籍名称：新型传感器技术及应用 作者：刘广玉 陈明 出版社：北京航空航天大学出版社 书籍来源：网友推荐 文件格式：PDG 内容简介：本书系综合目前国内外有关文献及作者的研究成果编著而成。主要内容有：传感器敏感材料；微机械加工技术；传感器建模；硅电容式集成传感器；谐振式传感器；声表面波传感器；薄膜传感器；光纤传感器；场效应管型化学传感器；固态成象传感器；Smart传感器等十一章。从敏感材料、微机械加工技术到一些先进传感器的设计原理、应用和发展情况作了较全面、深入的讨论。 前言第一章 新型传感器综述第一节新型传感效应第二节新型敏感材料第三节新加工工艺第二章 新型固态光电传感器第一节普通光敏器件阵列第二节自扫描光电二极管阵列 SSPD第三节光电位置传感器 PSD第四节输液监测中的光电传感器第三章 电荷耦合器件 CCD第一节CCD的物理基础第二节CCD的工作原理第三节CCD器件第四节CCD在测量中的应用第四章 光纤传感器第一节光纤传感原理第二节常见光纤传感器第三节光纤传感器的应用第五章 集成传感器第一节集成压敏传感器第二节集成温敏传感器第三节集成磁敏传感器第四节集成传感器应用实例第六章 化学传感器第一节离子敏传感器第二节气敏传感器第三节湿敏传感器第四节工业废水拜谢的自动监测第七章 机器人传感器第一节机器人传感器的功能与分类第二节机器人视觉传感器第三节机器人触觉传感器第四节机器人接近觉传感器第九章传感器的信号处理第一节信号处理概述第二节传感器的信号引出第三节信号补偿电路第四节精密放大电路第十章新型传感器在几何量测量中的应用第一节光学透镜心偏差的测量第二节超光滑表面微观轮廓的测量第三节光学表面疵病度的测量附录参考文献
标签： 传感器原理
上传时间： 2013-11-10
上传用户：mickey008
The super-junction structure, which has P-type pillar layers as shown left, realizes high withstand voltage and ON-resistance lower than the conventional theoretical limit of silicon.
上传时间： 2014-12-31
上传用户：qwer0574
