介绍TF卡,Micro_SD卡,MiNi_SD卡,SD卡的好资料
上传时间： 2013-10-26
上传用户：苍山观海
介绍关于内存的内部结构，与内存知识。主要讲解了SDRAM方面
标签： 内存技术
上传时间： 2013-11-20
上传用户：hehuaiyu
图解实用电子技术丛书 存储器IC的应用技巧
上传时间： 2013-10-09
上传用户：wfymay
硬盘坏道扫描
上传时间： 2015-01-03
上传用户：13736136189
硬盘存储数据是根据电、磁转换原理实现的。硬盘由一个或几个表面镀有磁性物质的金属或玻璃等物质盘片以及盘片两面所安装的磁头和相应的控制电路组成(图1)，其中盘片和磁头密封在无尘的金属壳中。 硬盘工作时，盘片以设计转速高速旋转，设置在盘片表面的磁头则在电路控制下径向移动到指定位置然后将数据存储或读取出来。当系统向硬盘写入数据时，磁头中“写数据”电流产生磁场使盘片表面磁性物质状态发生改变，并在写电流磁场消失后仍能保持，这样数据就存储下来了；当系统从硬盘中读数据时，磁头经过盘片指定区域，盘片表面磁场使磁头产生感应电流或线圈阻抗产生变化，经相关电路处理后还原成数据。因此只要能将盘片表面处理得更平滑、磁头设计得更精密以及尽量提高盘片旋转速度，就能造出容量更大、读写数据速度更快的硬盘。这是因为盘片表面处理越平、转速越快就能越使磁头离盘片表面越近，提高读、写灵敏度和速度；磁头设计越小越精密就能使磁头在盘片上占用空间越小，使磁头在一张盘片上建立更多的磁道以存储更多的数据。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：ztj182002
串行NOR Flash是用串口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗Flash存储器；相对于并行Flash，它用更少的引脚传送数据，这降低了系统空间、功耗、成本。它内部的地址空间是线性的，随机访问速度快；它的传输效率高，在1~ 4MB的小容量时具有很高的性价比。更重要的是，串行NOR Flash的读写操作十分简单。这些优势使得串行NOR Flash被广泛地用于微型、低功耗的数据存储系统。串行NOR Flash 可通过SPI进行操作。用户根据NOR Flash芯片自定义的协议，通过SPI发送命令到芯片，并接收NOR Flash芯片返回的状态信息和数据信息。此外，用户在使用串行NOR Flash时需要注意其支持哪些类型的SPI操作方式。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：wangjin2945
引导装载程序（boot loader）控制复位后的初始化操作，并提供对Flash存储器进行编程的方法。这可以对空片进行初始编程、对事先已编程的芯片进行擦除和再编程或者是在系统运行时通过系统中的应用程序对Flash存储器进行编程。19.3特性在系统编程：在系统编程（ISP）是通过使用引导装载程序软件和UART0串口对片内Falsh存储器进行编程/再编程的方法。这种方法也可以在芯片位于终端用户板时使用；在应用编程：在应用编程（IAP）是通过终端用户的应用代码对片内Flash存储器进行擦除/写操作的方法；只有LPC134x系列Cortex-M3微控制器支持从USB端口引导，通过将其枚举为大容量存储器等级（MSC）设备来连接到USB主机接口（仅适用于Windows操作系统）；Flash访问时间可通过Flash控制器模块中的寄存器来配置；每个扇区的擦除时间为100ms±5%；而每个256字节的模块，其编程时间为1ms±5%。
上传时间： 2013-11-04
上传用户：weixiao99
MRAM（磁性存储器）具有高密度、快访问、极省电、可复用和不易失五大优点，为广大工程师提供理想的存储器解决方案。
上传时间： 2013-10-16
上传用户：stewart·
128Mb以上的串行闪存被认为是电子产品满足市场需求、增加更多功能的一个主要障碍，针对需要128Mb以上串行闪存的应用要求，美光科技 (Micron Technology)推出一个简单的独一无二的扩容解决方案。这个解决方案可以把存储容量轻松地扩大到4G或更大，完全兼容现有的串行外设接口(SPI)协议，无需重新设计主芯片的硬件。该解决方案优于市场上现有的要求创建一个新的32位寻址模式的解决方案，因为创建新的寻址模式可能强迫设计人员修改软硬件。
上传时间： 2013-12-20
上传用户：569342831
存储器的分类 内部存储器的系统结构 动、静态读写存储器RAM的基本存储单元与芯片
上传时间： 2013-11-06
上传用户：ztj182002
