虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

大电流

  • AL-FGB复合式过电压保护器

    AL-FGB系列复合式过电压保护器 AL-FGB型三相复合式过电压保护器(简称AL-FGB)是我公司针对现行各类过电压保护器保护弱点而研制的新一代专利产品,将组容吸收器和避雷器的功能有机结合在一起,专用于35KV及以下中压电网中,主要用来吸收真空断路器、真空接触器在开断感性负载时产生的高频操作过电压,同时具有吸收大气过电压及其他形式的暂态冲击过电压的功能; 因此具备一系列其它类型过电压保护器无法比拟的优点。可广泛地应用于真空断路器操作的电动机、电抗器、变压器等配电线路中。 该产品使过电压保护器的整体功能实现了重大突破,是目前功能最全面、保护最完善的产品。符合国家产业政策及国家电气产品无油化、小型化、节能环保等发展趋势,具有显著的技术经济效益和广泛的社会效益,是我国电力建设尤其是城乡电网改造急需的产品。 该产品广泛应用于发电厂、变(配)电站、各种水利设施、矿山、石油、化工、冶金以及其他各类工业企业等。 1、全面抑制雷电和操作过电压的危害,功能强大,保护更全面 在中压电网中,由于真空电器产品(真空断路器、真空接触器、真空负荷开关、真空重合器等)的灭弧能力特别强,在关、合感性负载(发电机、变压器、电抗器和电动机等)时,容易引发截流过电压、多次重燃过电压及三相同时开断过电压。这些操作过电压具有高幅值、高陡度(振荡频率高达105~106HZ),对感性负载的危害性极大,被称为“电机杀手”。 目前各类避雷器和组合式过电压保护器,都是利用氧化锌阀片的残压限制过电压的幅值,只限幅不限频,用来防雷能起到好的效果,但对操作过电压只治标不治本。 AL-FGB内部为氧化锌阀片和电阻电容的有机组合,兼有氧化锌阀片型避雷器与阻容吸收器的优点,从根本上克服了单纯氧化锌阀片型避雷器与阻容吸收器各自不可避免的缺点,不但能够防雷,而且能有效抑制上述操作过电压的幅值和陡度;双效合一,至善尽美。 2、双回路设计,功能互补,相互保护 操作过电压保护阻容回路Ⅰ和避雷保护回路Ⅱ有机结合,保护功能互不干涉,还能相互保护。如图2-1。 当雷电波侵入时,阻容回路Ⅰ不通(但可辅助减缓波头陡度),雷电波按实线路径,经避雷回路Ⅱ泄入大地;同时保护了阻容回路中电容器,避免其因承受过高雷电过电压而击穿。当高频振荡的操作过电压侵入时,则按虚线路径,经阻容回路Ⅰ流通,限幅降频;同时减少避雷回路的动作次数,保护阀片,延长产品寿命。 3、降低陡度,排除匝间击穿危险性; 感性负载的匝间电位梯度与电流陡度(di/dt)成正比,操作过电压陡度极高,对匝间绝缘危害极大,且易使断路器重燃。现场许多事故实例都证明,在操作过电压作用下,电机和变压器的损坏部位大多集中在匝间,且以进线端的匝间为主,这说明高陡度对带绕组的电气设备危害极大。 AL-FGB设计的阻容回路能够有效降低操作过电压的振荡频率,缓解波头陡度,从而降低绕组间的电位梯度,且能减少断路器的重燃机率,成功抑制高陡度对电气设备的危害。 目前同类的过电压保护设备,如避雷器、各类组合式过电压保护器等,对改变操作过电压的振荡频率、降低陡度无能为力,即不能防治高陡度对感性负载匝间造成的损伤。 4、自控接入,环保节能; AL-FGB增加了自控接入装置,在正常运行时仅通过μA级电流,不仅节约电能,而且不向电网提供附加电容电流,保证系统稳定工作。具体参数设计保证其在需要时能够迅速接入电网,保护即时,而且接入电网工频电压性能稳定、分散性小、不受大气条件影响。 设置自控接入装置对消除谐振过电压(注:不超过AL- FGB的承受能力)也具有一定作用。当谐振过电压幅值高至危害电气设备时,AL-FGB接入电网,电容器增大主回路电容,有利于破坏谐振条件,电阻阻尼震荡,有利于降低谐振过电压幅值。 5、免受谐波侵扰,适应的电网运行环境更广; 电网中常含有高次谐波分量,使电容回路的电流异常增大,电阻过热,对过电压保护设备的正常运行不利。 AL-FGB能免受高次谐波侵扰:因为它增加了自控接入装置,在正常运行或发生单相接地异常运行时都与电网隔离,所以可以在高次谐波含量较高的电网中工作,适应的电网运行环境更广。 6、自控脱离,有效控制事故范围; 谐振过电压、间歇性弧光接地过电压等系统过电压,持续时间长、能量大,但幅度和陡度都不是很高。这类系统过电压极易损坏过电压保护设备,出现爆炸等现象。 AL-FGB增加了自控脱离装置,能实现自我保护功能。当系统过电压超过AL-FGB的承受能力时,自控脱离装置选择自我脱离,保护本体,避免出现爆炸的现象,控制事故范围,延长使用寿命,运行更安全更经济。 7、既可保护相对地,又可保护相间; 四极式联接(如图2-2),具体参数设计保证:不仅能保护相对地绝缘,而且能保护相间绝缘。本身为连体结构,体积小,性能稳定,而价格不高。 8、吸收容量大,保护范围更广; 针对35KV电网系统,AL-FGB电容容量高达0.05μF,保护范围完全覆盖该电网系统中的各类电气设备,且裕量充足;针对35KV以下各类电网系统,其电容容量高达0.1μF,吸收容量更大,保护范围更广泛。 9、选材考究,VO级阻燃材质; 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高压电容器,这种电容器真正达到了防护型电容器的各项技术指标,其绝缘水平完全达到了GB311.1—1997标准的要求,该产品能在环境温度上限,1.15UN和1.5IN下长期运行,在2UN下连续运行4小时不出现闪络和击穿;极间选用国外进口的优质、高性能的绝缘材料聚丙烯金属化镀膜为固体介质;各个电容器单元联接后采用阻燃环氧树脂灌封;电性能稳定可靠。 配置散热性能良好的特制非线性无感电阻,可靠性大大提高,从而也大大提高了电力系统运行的可靠性和安全性,使用寿命更长。 9.2 避雷回路 采用非线性伏—安特性十分优异的氧化锌阀片,具有良好的陡波响应特性,残压低、容量大、保护大气过电压可靠性高。 9.3外壳 采用阻燃级别达到最高级别的VO级进口材质,使用更放心。 10、动态记录,清晰掌控设备运行状况; 可根据用户要求选装放电动作记录器,清晰掌控AL-FGB的工作动作状况。

    标签: AL-FGB 过电压保护器

    上传时间: 2013-10-16

    上传用户:sz_hjbf

  • FPGA大西瓜开发板进阶教程

    大西瓜FPGA开发板的教程,比较详细。

    标签: FPGA 开发板 进阶 教程

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:coeus

  • 走线宽度电流关系对照表

    走线宽度电流关系对照表

    标签: 走线 电流 对照表

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:dudu121

  • PCB线宽过孔与电流关系

    PCB线宽过孔与电流关系

    标签: PCB 过孔 电流

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:fhjdliu

  • fpga管脚电流电压设置

    fpga管脚电流电压设置

    标签: fpga 管脚 电流 电压设置

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:sammi

  • pcb对应电流

    pcb对应电流美国军用

    标签: pcb 电流

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:缥缈

  • 基于SPI接口和FIFO缓冲器的大容量高速实时数据存储方案

    大容量高速实时数据存储方案

    标签: FIFO SPI 接口 大容量

    上传时间: 2014-01-04

    上传用户:herog3

  • PCB板设计中的接地方法与技巧

    “地”通常被定义为一个等位点,用来作为两个或更多系统的参考电平。信号地的较好定义是一个低阻抗的路径,信号电流经此路径返回其源。我们主要关心的是电流,而不是电压。在电路中具有有限阻抗的两点之间存在电压差,电流就产生了。在接地结构中的电流路径决定了电路之间的电磁耦合。因为闭环回路的存在,电流在闭环中流动,所以产生了磁场。闭环区域的大小决定着磁场的辐射频率,电流的大小决定着噪声的幅度。在实施接地方法时存在两类基本方法:单点接地技术和多点接地技术。在每套方案中,又可能采用混合式的方法。针对某一个特殊的应用,如何选择最好的信号接地方法取决于设计方案。只要设计者依据电流流量和返回路径的概念,就可以以同时采用几种不同的方法综合加以考虑

    标签: PCB 法与技巧

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:pioneer_lvbo

  • FPGA连接DDR2的问题讨论

    我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB),分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标:当客户使用内存条时,8片分立器件不焊接;当使用直接贴片分立内存颗粒时,SODIMM内存条不安装。请问专家:1、在设计中,先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后,管脚约束文件是否还可更改?若能更改,则必须要满足什么条件下更改?生成的约束文件中,ADDR,data之间是否能调换? 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么?通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配,哪种匹配方式更好? 3、V4中,PCB LayOut时,DDR2线路阻抗单端为50欧,差分为100欧?Hyperlynx仿真时,那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作? 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条,能否降速使用?比如降速到DDR2-400或更低频率使用? 5、板卡上有SODIMM的插座,又有8片内存颗粒,则物理上两部分是连在一起的,若实际使用时,只安装内存条或只安装8片内存颗粒,是否会造成信号完成性的影响?若有影响,如何控制? 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用,构成一个(max:8GB)的DDR2单元?若能,则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制?地址和控制线的TOP图应该怎样? 7、DDR2和FPGA(VREF pin)的参考电压0.9V的实际工作电流有多大?工作时候,DDR2芯片是否很烫,一般如何考虑散热? 8、由于多层板叠层的问题,可能顶层和中间层的铜箔不一样后,中间的夹层后度不一样时,也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层?

    标签: FPGA DDR2 连接 问题讨论

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:jjq719719

  • 传输线

    第一章  传输线理论一  传输线原理二  微带传输线三  微带传输线之不连续分析第二章  被动组件之电感设计与分析一  电感原理二  电感结构与分析三  电感设计与模拟四  电感分析与量测传输线理论与传统电路学之最大不同,主要在于组件之尺寸与传导电波之波长的比值。当组件尺寸远小于传输线之电波波长时,传统的电路学理论才可以使用,一般以传输波长(Guide wavelength)的二十分之ㄧ(λ/20)为最大尺寸,称为集总组件(Lumped elements);反之,若组件的尺寸接近传输波长,由于组件上不同位置之电压或电流的大小与相位均可能不相同,因而称为散布式组件(Distributed elements)。 由于通讯应用的频率越来越高,相对的传输波长也越来越小,要使电路之设计完全由集总组件所构成变得越来越难以实现,因此,运用散布式组件设计电路也成为无法避免的选择。 当然,科技的进步已经使得集总组件的制作变得越来越小,例如运用半导体制程、高介电材质之低温共烧陶瓷(LTCC)、微机电(MicroElectroMechanical Systems, MEMS)等技术制作集总组件,然而,其中电路之分析与设计能不乏运用到散布式传输线的理论,如微带线(Microstrip Lines)、夹心带线(Strip Lines)等的理论。因此,本章以讨论散布式传输线的理论开始,进而以微带传输线为例介绍其理论与公式,并讨论微带传输线之各种不连续之电路,以作为后续章节之被动组件的运用。

    标签: 传输线

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:潇湘书客