LTC®2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC，具有极高的 SNR (101dB) 和 THD (–120dB)。该器件还具有一种独特的数字增益压缩功能，因而免除了在 ADC驱动器电路中增设一个负电源的需要。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：mickey008
用于定量表示ADC动态性能的常用指标有六个，分别是：SINAD(信纳比)、ENOB(有效位 数)、SNR(信噪比)、THD(总谐波失真)、THD + N(总谐波失真加噪声)和SFDR(无杂散动态 范围)
上传时间： 2014-01-22
上传用户：鱼哥哥你好
ADM1275、ADM1276和ADM1075均共用同样的基本模数转换器(ADC)内核和PMBus接口。这些器件在平均计算和ADC寄存器更新方面存在一些细微差异。从ADM1275、ADM1276或ADM1075器件快速读取数据时，也需要考虑一些因素和限制。本应用笔记介绍了每种器件的ADC操作，以及如何将其数据速率提到最高(如需要)。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：agent
模电、数电所必备的电路基础知识
上传时间： 2013-10-17
上传用户：风之骄子
先进的系统架构和集成电路设计技术，使得模数转换器 (ADC) 制造商得以开发出更高速率和分辨率，更低功耗的产品。这样，当设计下一代的系统时，ADC设计人员已经简化了很多系统平台的开发。例如，同时提高ADC采样率和分辨率可简化多载波、多标准软件无线电系统的设计。这些软件无线电系统需要具有数字采样非常宽频范围，高动态范围的信号的能力，以同步接收远、近端发射机的多种调制方式的高频信号。同样，先进的雷达系统也需要提高ADC采样率和分辨率，以改善灵敏度和精度。在满足了很多应用的具体需求，ADC的主要性能有了很大的提高的同时，ADC的功耗也有数量级的下降，进一步简化了系统散热设计和更小尺寸产品的设计。
标签： FemtoCharge ADC 高分辨率 低功耗
上传时间： 2013-10-22
上传用户：meiguiweishi
数电五版习题、数电四版教师手册、电路考研例题
上传时间： 2013-11-20
上传用户：如果你也听说
计算二阶有源滤波、一阶有源滤波、阻容充放电。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：hgmmyl
OPA2227 高精度、低噪声运算放大器
上传时间： 2013-11-09
上传用户：zxh122
555芯片用于组成单稳态触发器、施密特触发器以及多谐振荡器。
上传时间： 2013-10-19
上传用户：fredguo
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
