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车辆检测通

  • 基于能量检测的频谱感知方法研究

    认知无线电是一种用于提高无线通信频谱利用率的新的智能技术,检测频谱空穴是否存在是实现认知无线电的前提和关键技术之一。首先简述认知无线电的背景和概念, 针对认知无线电的频谱感知功能,介绍了基于能量检测的频谱检测方法,并在Matlab环境下进行了仿真实验, 比较在相同的虚警概率情况下的检测概率与信噪比的关系。仿真实验结果表明,在相同的虚警概率时,当信噪比大的时候,检测概率越大。

    标签: 能量检测 方法研究 频谱感知

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:2728460838

  • 信号检测与转换实验

    信号检测与转换实验

    标签: 信号检测 转换实验

    上传时间: 2013-11-16

    上传用户:fnhhs

  • 基于Multisim的高通滤波器的设计与仿真分析

    高通滤波为实现高频信号能正常通过,而低于设定临界值的低频信号则被阻隔、减弱。但是阻隔、减弱的幅度则会依据不同的频率以及不同的滤波程序而改变。文中阐述了对电压转移函数推导分析及电路性能的要求,并利用Multisim仿真软件对其频幅特性的分析进行。

    标签: Multisim 高通滤波器 仿真分析

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:liufei

  • Butterworth函数的高阶低通滤波器的有源设计

    Butterworth函数的高阶低通滤波器的有源设计

    标签: Butterworth 函数 低通滤波器 有源

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:旗鱼旗鱼

  • 基于新型CCCII电流模式二阶带通滤波器设计

    针对传统第二代电流传输器(CCII)电压跟随不理想的问题,提出了新型第二代电流传输器(CCCII)并通过采用新型第二代电流传输器(CCCII)构成二阶电流模式带通滤波器,此滤波器只需使用2个电流传输器和2个电容即可完成设计。设计结构简单,其中心频率可由电流传输器的偏置电流控制。利用HSpice软件仿真分析并验证了理论设计的准确性和可行性。

    标签: CCCII 电流模式 二阶 带通滤波器设计

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:jqy_china

  • 光电二极管检测电路噪声分析

    使用光电二极管检测光电信号。由于光电信号一般比较微弱,容易受到干扰,所以需要对信号的噪声特征进行分析,并在所得出结论的基础上设计出相应噪声处理电路,以解决噪声的问题。

    标签: 光电二极管 检测电路 噪声分析

    上传时间: 2014-11-24

    上传用户:zhaoman32

  • 窄带带通滤波器设计实例

    为了解决声表面波滤波器插损太大,造成有用信号衰减严重,弥补插损又会引起底部噪声抬高的问题。该文设计了一种用LC集总元件实现的窄带带通滤波器,其特点是插入损耗小,成本低,带外衰减大,较好解决了因声表面波滤波器插损大而引起的一系列问题,不会引起通道底部噪声的抬高。仿真结果证明了该设计方案的可行性。

    标签: 窄带 带通滤波器 设计实例

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:13517191407

  • 微弱信号检测装置(实验报告)

    微弱信号检测,微弱信号检测装置(实验报告).doc。

    标签: 微弱信号 实验报告 检测装置

    上传时间: 2013-10-20

    上传用户:维子哥哥

  • 小波变换在图像边缘检测中的应用

    目前,被广泛使用的经典边缘检测算子有Sobel算子,Prewitt算子,Roberts算子,Log算子,Canny算子等等。这些算子的核心思想是图像的边缘点是相对应于图像灰度值梯度的局部极大值点。然而,当图像中含有噪声时这些算子对噪声都比较敏感,使得将噪声作为边缘点。由于噪声的干扰,不能检测出真正的边缘。一个拥有良好属性的的边缘检测算法是每个研究者的追求。利用小波交换的特点,设计了三次B样条平滑滤波算子。通过利用这个算子,对利用小波变换来检测图像的边缘进行了一定的研究和理解。

    标签: 小波变换 图像边缘检测 中的应用

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:kqc13037348641

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291