为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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占空比可调矩形波产生电路 multisim仿真
上传时间： 2013-11-08
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锯齿波电路波形 multisim
上传时间： 2013-10-16
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电容三点式正弦波振荡电路 multisim 仿真
上传时间： 2013-12-04
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介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性，以及其基本组成共源共栅电流镜，并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上，设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路，并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。
上传时间： 2013-10-22
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为了使计算机能更好的识别人脸表情，对基于Gabor小波变换的人脸表情识别方法进行了研究。首先对包含表情区域的静态灰度图像进行预处理，包括对确定的人脸表情区域进行尺寸和灰度归一化，然后利用二维Gabor小波变换提取脸部表情特征，使用快速PCA方法对提取的Gabor小波特征初步降维。再在低维的空间中，利用Fisher准则提取那些有利于分类的特征，最后用SVM分类器进行分类。实验结果表明，上述提出的方法比传统的方法识别速度更快，能达到实时性的要求，并且具有很好的鲁棒性，识别率高。
上传时间： 2013-11-08
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本文叙述了研制的应用于VSAT卫星通信的Ku波段30W固态功率放大器(SSPA)。阐述了该固态功率放大器的方案构成和关键部分的设计，包括功率合成网络、微带．波导转换的设计；功率合成电路的设计，特别是波导魔T的优化设计。研制的30W固态功率放大器的主要性能为：中心频率14．25GHz，带宽500MHz，P．1dB输出功率30W，大信号增益45dB，带内波动小于5dB。
上传时间： 2013-11-22
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运算放大器作为模拟集成电路设计的基础，同时作为DAC校准电路的一部分，本次设计一个高增益全差分跨导型运算放大器。
上传时间： 2013-10-31
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LC 正弦波振荡电路 如果将该电路作为选频网络和正反馈，再加上基本放大电路和稳幅电路就构成LC正弦波振荡电路。 将电容和电感并联起来，在电容上施加一定电压后可产生零输入响应。这种响应在电容的电场和电感的磁场中交替转换便可形成正弦波振荡。 LC正弦波振荡电路的选频电路由电感和电容构成，可以产生高频振荡(>1MHz)。
上传时间： 2013-11-21
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要想获得最低的失调和漂移性能，斩波稳定(自稳零)放大器可能是唯一的解决方案。最好的双极性放大器的失调电压为25 V，漂移为0.1 V/ºC。斩波放大器尽管存在一些不利影响，但可提供低于5 V的失调电压，而且不会出现明显的失调漂移，
上传时间： 2013-12-25
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