全桥变换器中磁通不平衡的抑制。
标签： 全桥变换器 不平衡 磁通
上传时间： 2013-10-22
上传用户：nunnzhy
为了对电容重复频率且高能量转换效率地充电，开展了全桥串联谐振充电电源的理论设计。通过数值解析的方法获得谐振电感、电容、功率器件耐压与通流、电源功率、脉冲变压器伏秒数等参数，通过数值模拟的方法获得脉冲变压器励磁电感参数，以基于Pspice的全电路仿真验证设计参数的合理性。仿真结果表明为了实现对110 nF电容1 kHz重频充电，在初级电压为1.2 kV和谐振参数为33 kHz时，谐振电感、电容应分别为625 nH，37 μF，脉冲变压器伏秒数、励磁电感至少分别应为45 mVs、1 mH，功率器件峰值电流约300 A。
标签： 大功率 全桥 串联谐振 充电电源
上传时间： 2013-11-08
上传用户：angle
三相桥式全控整流电路的工作原理
标签： 三相桥式 全控整流 电路 工作原理
上传时间： 2013-10-23
上传用户：Miyuki
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
标签： CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
十种运放精密全波整流电路，很全面的电路
标签： 运放 精密 全波整流 电路
上传用户：561596
陶显芳老师的《开关电源设计技巧》全
标签： 陶显芳 开关电源 设计技巧
上传时间： 2013-11-22
上传用户：saharawalker
为了解决电力系统谐波检测中存在的检测精度低的问题，提出一种改进的全相位时移相位差频谱校正算法，消除了相位值对采样中心样点的依赖性。将该算法用于电网含有谐波以及间谐波的测量分析，结果表明该算法在中高信噪比情况下相位误差小于1°，具有估计精度高且稳定性好的特点。
标签： 电力系统 谐波检测 相位 频谱分析
上传时间： 2014-12-24
上传用户：dajin
全桥DCDC变换器平均电流控制模式控制分析
标签： DCDC 全桥 变换器 分
上传时间： 2013-11-18
上传用户：jackgao
KJZ5系列真空馈电开关说明书
标签： KJZ5 馈电开关 说明书
上传时间： 2013-10-20
上传用户：小眼睛LSL
最全面的LED知识培训资料
标签： LED 培训资料
上传时间： 2013-11-11
上传用户：sardinescn
