为使本书成为国内目前 最新、最全、最适用的晶体管 代换手册，编者根据国内外 出版的最新资料，在1992年 最新增订版的基础上，又增 加了数千种日本晶体管和数 千种欧州晶体管型号及其代 换的国内外型号，并且，还介 绍了美国1985年以前生产 的3N型场效应管及其代换 型号。 本手册介绍了数万种国 外晶体管（包括部分场效应 管）的型号、用途、极性、主要 参数、国外代换型号、国内代 换型号以及具有管脚排列和 实际尺寸的外形图。手册还 介绍了中国、国际、美国、日 本等半导体器件型号命名法 等内容。 本手册的特点是：资料 新颖，型号齐全，查阅方便， 实用性强，可供业余无线电 爱好者、电子和通讯专业的 工人和工程技术人员使用。
上传时间： 2013-12-11
上传用户：liu999666
利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题:针对LDO稳压器的稳定性问题，设计了一种新颖的动态密勒补偿电路8与传统方法相比，该电路具有恒定的带宽，大大提高了系统的瞬态响应性能，同时将开环增益提高了，左右使6LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片，验证了该方法的正确性和可行性。关键词：低压降稳压器，动态密勒补偿，稳定性，P型场效应管电容器
上传时间： 2013-10-24
上传用户：小宝爱考拉
通用的多电源总线，如VME、VXI 和PCI 总线，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V（或±24V）电源，如果在这些系统中添加设备（如插卡等），则需要额外的3.3V或5V电源，这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。图1 电路，将-12V 电压升压到15.3V（相对于-12V 电压），进而得到3.3V 的电源电压，输出电流可达300mA。Q2 将3.3V 电压转换成适当的电压（-10.75V）反馈给IC1 的FB 引脚，PWM 升压控制器可提供1W 的输出功率，转换效率为83%。整个电路大约占6.25Cm2的线路板尺寸，适用于依靠台式PC机电源供电，需要提供1W输出功率的应用，这种应用中，由于-12V总线电压限制在1.2W以内，因此需要保证高于83%的转换效率。由于限流电阻（RSENSE）将峰值电流限制在120mA，N 沟道MOSFET（Q1）可选用廉价的逻辑电平驱动型场效应管，R1、R2 设置输出电压（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反馈电压高于PGND引脚（Pin7）1.25V，因此：VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V选择电阻R1后，可确定：I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式确定R2：R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ图1 中，IC1 的开关频率允许通过外部电阻设置，频率范围为100kHz 至500kHz，有利于RF、数据采集模块等产品的设计。当选择较高的开关频率时，能够保证较高的转换效率，并可选用较小的电感和电容。为避免电流倒流，可在电路中增加一个与R1串联的二极管。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：jixingjie
非常好的书，推荐学习模拟电路的人阅读。值得一读。。。
标签： 结型场效应晶体管
上传时间： 2015-07-04
上传用户：elecworking
摘要：以N沟道増强型场效应管为核心，基于H桥PWM控制原理，设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路，满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。关键词：N沟道增强型场效应管；H桥；PWM控制；电荷泵；功率放大；直流电机1引言长期以来，直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。特别随着计算机在控制领域，高开关频率、全控型第二代电力半导体器件（GTR、GTO、MOSFET.、IGBT等）的发展，以及脉宽调制（PWM直流调速技术的应用，直流电机得到广泛应用。为适应小型直流电机的使用需求，各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路，构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。但是，专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直流电机驱动需求。因此采用N沟道増强型场效应管构建H桥，实现大功率直流电机驱动控制。该驱动电路能够满足各种类型直流电机需求，并具有快速、精确、高效、低功耗等特点，可直接与微处理器接口，可应用PWM技术实现直流电机调速控制。2直流电机驱动控制电路总体结构直流电机驱动控制电路分为光电隔离电路、电机驱动逻辑电路、驱动信号放大电路、电荷泵路、H桥功率驱动电路等四部分，其电路框图如图1所示。由图可以看出，电机驱动控制电路的外围接口简单。其主要控制信号有电机运转方向信号Dir电机调速信号PWM及电机制动信号 Brake，vcc为驱动逻辑电路部分提供电源，Vm为电机电源电压，M+、M-为直流电机接口。
上传时间： 2022-04-10
上传用户：jiabin
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
上传时间： 2022-06-22
上传用户：XuVshu
本书为普通高等教育“十五”国家级规划教材。前版荣获2002年全国普通高等学校优秀教材一等奖。其特点如下：1.加强了信号与电子系统的基本知识；2.对每一问题的讲述，先以概念引路，然后逐步展开分析与讨论，例如器件的建模，由物理概念讲述其参数，从而得出电路模型；3.坚持以集成电路为主线，加强CMOS器件等新内容；4.加强SPICE程序对电子电路的仿真分析与设计。 内容包括：绪论、运算放大器、二极管及其基本电路、双极结型三极管及放大电路基础、场效应管放大电路、模拟集成电路、反馈放大电路、功率放大电路、信号处理与信号产生电路、直流稳压电源、电子电路的计算机辅助分析与设计。 本书可作为高等学校电气信息类（含电气类、电子类）等专业的“模拟电子技术基础”课程的教材。
上传时间： 2013-06-07
上传用户：康郎
Tmos功率场效应晶体管原理和应用
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
VMOS功率场效应晶体管及其应用
上传时间： 2013-07-25
上传用户：eeworm
Motorola 集成电路应用技术丛书 TMOS功率场效应晶体管原理及应用
上传时间： 2013-07-16
上传用户：eeworm
