四路场效应管模块；四路场效应管模块；四路场效应管模块
标签： 场效应管
上传时间： 2021-11-10
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金属一氧化物一半导体场效应晶体管电路设计.pdf
标签： 场效应晶体管
上传时间： 2022-01-09
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场效应管基础知识，有需要的可以参考！
标签： 场效应管
上传时间： 2022-04-16
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MOSFET(MOS场效应管)工作原理，有需要的可以参考！
上传时间： 2022-04-19
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1.1 什么是整流电路整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成，20世纪70年代以后，主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。滤波器接在主电路与负载之间，用于滤除脉动直流电压中的交流成分。变压器设置与否视具体情况而定。变压器的作用是实现交流输入电压与直流输出电压间的匹配以及交流电网与整流电路之间的电隔离。可以从各种角度对整流电路进行分类，主要的分类方法有：按组成的期间可分为不可控，半控，全控三种；按电路的结构可分为桥式电路和零式电路：按交流输入相数分为单相电路和多相电路；按变压器二次侧电流的方向是单向还是双向，又可分为单拍电路和双拍电路1.2整流电路的发展与应用电力电子器件的发展对电力电子的发展起着决定性的作用，因此不管是整流器还是电力电子技术的发展都是以电力电子器件的发展为纲的，1947年美国贝尔实验室发明了晶体管，引发了电子技术的一次革命：1957年美国通用公司研制了第一个品闸管，标志着电力电子技术的诞生：70年代后期，以门极可关断晶闸管（GTO）、电力双极型晶体管（BJT）和电力场效应晶体管（power-MOSFET）为代表的全控型器件迅速发展，把电力电子技术推上一个全新的阶段：80年代后期，以绝缘极双极型品体管（IGBT）为代表的复合型器件异军突起，成为了现代电力电子技术的主导器件。另外，采用全控型器件的电路的主要控制方式为PWM脉宽调制式，后来，又把驱动，控制，保护电路和功率器件集成在一起，构成功率集成电路（PIC），随着全控型电力电子器件的发展，电力电电路的工作频率也不断提高。同时。电力电子器件的开关损耗也随之增大，为了减小开关损耗，软开关技术便应运而生，零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS）把电力电子技术和整流电路的发展推向了新的高潮。
标签： 整流电路
上传时间： 2022-06-18
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高清晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析也已上传：http://dl.21ic.com/download/ic-330937.html 近年来电子电路的设计进入了以IC/LSl（集成电路/大规模集成电路）为中心的阶段。小小的管壳内凝缩了各种功能的IC/I.Sl给人们带来了极大的方便，可以说没有它就没有现代的电子电路。现在是IC的全盛时代。IC/LSI今后还将进一步集成周边部件及功能，使之规模更大、功能更强、性能更高。最近有这样的说法，虽然使用晶体管或FET（场效应晶体管）简单而方便，但是现在的趋势更倾向于使用IC。也有人感到专用IC的价格昂贵，但是不知道怎样才能把IC与晶体管、FET巧妙地组合起来获得性能更高的电路。诸如“用晶体管或（和）FET做成的分立电路最好”之类的说法并没有过时，只不过对于IC/1SI以及晶体管、FET构成的许多放大/开关器件来说，各自都有有效利用它们优点的使用方法。在这样的背景下，本书通过具体的实验，抓住晶体管、FET的工作图像，以达到灵活运用这些器件的目的。已经出版的本系列《晶体管电路设计（上）》一书中进行了以晶体管放大电路为中心的许多实验。本书是它的续编，将介绍有关FET放大电路、开关电路、模拟开关、振荡电路等方面的实验。本书若能对提高读者的电子电路的应用技能有所帮助，著者将深感荣幸。最后，对在本书的出版、发行过程中给予支持和帮助的有关各方面表示感谢。
上传时间： 2022-06-25
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为了满足市场需要，研制了+,%-#’" 直流脉冲氩弧焊机，并对该焊机的电路组成及工作原理进行了介绍，对./0 脉宽调制技术做了较详细的分析。实践表明，该焊机满足设计要求，具有体积小、质量轻、高效节能等
上传时间： 2013-04-24
上传用户：zhengxueliang
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间： 2013-12-18
上传用户：ccclll
利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题:针对LDO稳压器的稳定性问题，设计了一种新颖的动态密勒补偿电路8与传统方法相比，该电路具有恒定的带宽，大大提高了系统的瞬态响应性能，同时将开环增益提高了，左右使6LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片，验证了该方法的正确性和可行性。关键词：低压降稳压器，动态密勒补偿，稳定性，P型场效应管电容器
上传时间： 2013-10-24
上传用户：小宝爱考拉
通用的多电源总线，如VME、VXI 和PCI 总线，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V（或±24V）电源，如果在这些系统中添加设备（如插卡等），则需要额外的3.3V或5V电源，这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。图1 电路，将-12V 电压升压到15.3V（相对于-12V 电压），进而得到3.3V 的电源电压，输出电流可达300mA。Q2 将3.3V 电压转换成适当的电压（-10.75V）反馈给IC1 的FB 引脚，PWM 升压控制器可提供1W 的输出功率，转换效率为83%。整个电路大约占6.25Cm2的线路板尺寸，适用于依靠台式PC机电源供电，需要提供1W输出功率的应用，这种应用中，由于-12V总线电压限制在1.2W以内，因此需要保证高于83%的转换效率。由于限流电阻（RSENSE）将峰值电流限制在120mA，N 沟道MOSFET（Q1）可选用廉价的逻辑电平驱动型场效应管，R1、R2 设置输出电压（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反馈电压高于PGND引脚（Pin7）1.25V，因此：VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V选择电阻R1后，可确定：I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式确定R2：R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ图1 中，IC1 的开关频率允许通过外部电阻设置，频率范围为100kHz 至500kHz，有利于RF、数据采集模块等产品的设计。当选择较高的开关频率时，能够保证较高的转换效率，并可选用较小的电感和电容。为避免电流倒流，可在电路中增加一个与R1串联的二极管。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：jixingjie
