为了让读者确实理解TTL与非门与OC门的区别，熟练地掌握OC门的应用，通过对TTL与非门的分析，和对其弊端的指出，说明研制OC门的理由，总结了OC门上拉电阻的作用和计算方法，对OC门上拉电阻的计算方法有立新的说明，总结了OC门的所有优点。
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上传时间： 2013-10-10
上传用户：yy_cn
导热硅脂的介绍
标签： 导热硅脂
上传时间： 2013-11-14
上传用户：gaome
IGBT门极驱动设计规范，很详细的免费规范。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：zaizaibang
为了产生驱动多幅闪光照相的高重频猝发高压电脉冲，开展了基于硅堆隔离的猝发高压脉冲发生装置的可行性研究。对普通整流硅堆脉冲条件的导通电流，反向关断时间进行了实验研究；采用脉冲形成线产生矩形脉冲，利用不同长度传输线的传输时延产生多脉冲，以硅堆隔离的方式实现多脉冲在负载的输出。研究表明：硅堆在500 ns脉宽条件下，其电流过载至少736倍，关断时间约200 ns，硅堆的绝缘恢复时间决定产生脉冲的最高重复频率。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：稀世之宝039
关于铁硅铝（AS）材料选择的一些介绍
上传时间： 2013-11-16
上传用户：weiwolkt
各种门控开关电路
上传时间： 2013-10-16
上传用户：410805624
BKZ系列硅整流电源装置适用于交流50Hz/60 、电Hz 压500V以下的交流电源改变为直流24V的装置。
上传时间： 2013-12-01
上传用户：erkuizhang
薄膜硅电池生产线的问题 •设备投资过大 •技术升级过快 •生产工艺不成熟 •电池效率仍较低 •电池的长期寿命有待验证(电池的稳定性仍不好)
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ruan2570406
摘要: 研究用内腔式He- Ne 激光器做光源时, 硅光电池实验中光电检流计读数不稳定的现象。利用硅光电池分别观测在不加偏振片、加上偏振片时内腔式He- Ne 激光器输出的光强度, 得到激光经偏振片后输出光强随时间而变。利用共焦扫描干涉仪扫描出激光束的各个纵模, 实验表明, 内腔式He- Ne 激光器每个纵模的偏振方向随时间缓慢变化, 引起了实验中输出的光强变化。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：ArmKing88
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
