引言我们在选择和设计IGBT驱动器时经常会碰到一些问题和不确定因素。部分原因是厂家对IGBT描述的不够充分；另一方面是由于IGBT手册中所给的输入结电容Ciss值与在应用中的实际的输入结电容值相差甚远。依据手册中的Ciss值作设计，令许多开发人员走入歧途。下面给出了不同功率等级的驱动电路选择和设计的正确计算的步骤。1 确定IGBT门极电荷以及门极电容对于设计一个驱动器来讲，最重要的参数是门极电荷，在很多情况下，IGBT数据手册中这个参数没有给出，另外，门极电压在上升过程中的充电过程也未被描述。无论如何，门极的充电过程相对而言能够简单地通过测量得到。因而要驱动一个IGBT，我们最好使用一个专用的驱动器。除此之外，在设计中至少我们知道在应用中所需的门极电压（例如±15V）首先，在负载端没有输出电压的情况下，我们可以作如下计算。门极电荷可以利用公式计算
上传时间： 2022-06-21
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1，Vs：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2，Poat：最大允许功耗在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热帆所允许的最大耗散功Pat =（Ty-T）/Rtaie其中，Ty为结温， 为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。在这里，顺便解释下这几个热阻，Rtice 结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与克的温差；Rthig芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升；Rehb芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
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0引言任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中，大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗，这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作，必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w，室温25℃时），必须保证1GBT的结温T，不超过其最大值Timar 50 ℃），因此必须采用适当的散热装置，将热量传导到外部环境。如果散热装置设计或选用不当，这些大功率器件因过热而损坏。为了在确定的散热条件下设计或选用合适的散热器，确保器件安全、可靠地工作，我们需进行散热计算。散热计算是通过计算器件工作时产生的损耗功率Pa、器件允许的结温T、环境温度T，求出器件允许的总热阻R，f-a）；：再根据Raf-a）求出最大允许的散热器到环境温度的热阻Rinf-）：最后根据Rbf-a）选取具有合适热阻的散热器。1 IGBT损耗分析及计算对于H型双极模式PWM系统中使用的1GBT模块，主要由IGBT元件和续流二极管FWD组成，它们各自发生的损耗之和就是IGBT本身的损耗。除此，加上1GBT的基极驱动功耗，即构成IGRT模块整体发生的损耗。另外，发生损耗的情况可分为稳态时和交换时。对上述内容进行整理可表述如下：
上传时间： 2022-06-21
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摘要将异步电机调速的矢量控制方法与电压空间矢量脉宽调制（SVPWM）技术相结合，构建了以SVPWM信号驱动功率器件的异步电机矢量控制调速系统结构图，并用Matlab软件对该系统建模与仿真。仿真结果表明：该系统不仅具有矢量控制调速系统的优越性能，同时具有减少转矩波动，降低输出电流谐波，提高直流电压利用率等优点。本世纪70年代提出的矢量控制通过坐标变换的方法分解定子电流，使之转化为转矩和磁场两个分量，实现解耦控制，从而获得与直流电动机一样良好的动态调速特性，开创了交流电动机等效直流电动机控制的先河"1。随着矢量控制技术的发展，如何优化矢量控制系统的研究已成为热门课题。同时，信号调制技术的发展也使得多种调速系统达到了很好的控制效果，其中SVPWM技术把电动机和逆变器看为一体，通过跟踪圆形旋转磁场来控制逆变器的工作，能达到转矩脉动小、谐波成分少、直流母线电压利用率高的效果，目前已在变频产品中得到了广泛地应用，本文通过软件对基于SVPWM的电机矢量控制系统进行了仿真，得到了良好的控制效果。
上传时间： 2022-06-22
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整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性， 主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF— 最大平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN 结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值， 并要满足散热条件。例如1N4000 系列二极管的IF 为1A。2.VR — 最大反向工作电压。指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值， 则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏， 从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB) 的一半作为(VR)。例如1N4001 的VR 为50V，1N4007 的VR 为1OOOV.3.IR— 反向电流。指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR 的影响很大。例如1N4000 系列二极管在100°C 条件IR 应小于500uA; 在25°C 时IR 应小于5uA 。4.VR — 击穿电压。指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时， 则指给定反向漏电流条件下的电压值。
上传时间： 2022-06-26
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
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本文针对国内外组态软件的不足，设计了基于C#的上位机监控组态软件。本软件适用于中小型企业、易于操作并具有一定通用性。从软件结构来看，该软件包括图形界面模块和提供数据服务的数据库模块，重点介绍了图形界面和数据库模块的设计。为达到小巧并且简单易用的目的，将图形界面的功能化到最简，用商用数据库sQL2005作为软件的数据库。本设计将上位机组态软件分成系统开发环境和系统运行环境两部分，给出了软件的总体设计结构图。本文介绍了软件的各子系统的设计，重点阐述了图形界面子系统和数据库子系统.在图形界面子系统中，首先设计了图形界面子系统的总体结构，并介绍了与绘图程序相关的类和函数。结合工艺需要设计了图形绘制工具并实现了图形的动画连接，以链表结构保存组态好的图形文件。图形界面子系统采用基于矢量图的设计方法，实现图形绘制、图形属性设置、图形编辑功能和图形文件存取等功能，解决了图形界面动画连接的几个常见问题，最终实现动画连接。在数据库子系统中，先介绍了生产现场中对变量的分类，并列出存储变量的数据库表的结构，实现了现场检测参数的自动存储，并自动更新数据库.根据vO信号进行数据单元配置，完成数据库的组态，数据库通过数据采集程序对现场数据进行读写，并按照设定好的存储策略将其保存到历史数据库中。数据库子系统实现通信，对象查找，内容修改更新等功能。采用Windows XP作为系统开发环境，Visual CH作为开发工具.
上传时间： 2022-06-26
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好吧，电路很简单，可是元件值如何选？射频器件差一点就差很多，是不是一定要用专用的射频元件？做为常温测试来说，普通器件就可以满足，当然，如果要考虑温度、谐波、灵敏度等，电感还是选用高Q的，电容选择COG材质的。看看PA元件如何选，AN435里写得很清楚。不想看原理的可以直接参考其值：按以上参考值出17-19dBm是可以的，但是要满打满的出到20dBm，或者大于20dBm则需要根据板子微调部分元件，在你不知道如果调试时，可以小范围调整一下CM以及天线开关后面的低通滤波器，如果还是不行，那就调电感吧。不想深究的可以跳过本节了，下面是AN435里对于PA匹配的原理性说明，感兴趣的可以继续往下面看，其实Sl4432的硬件手册里说得是很全的，多看手册可以学到很多。Sl4432内部的PA并非传统的A，B，C类放大器，也不是D类，而是E类放大器，其实就是一个开关而已。下图是AN435里一个开关类射频放大器的结构图。这个放大器理解起来很容易，比传统ABC类放大器容易多了。其中Lchoke为上拉电感，与三极管C极的电阻是一样的作用，在S0开关时，会给Cshunt充电，经过CO和LO组成的带通滤器器，滤除开关过程中产生的杂波及谐波，再经过Lx就可以得到一个正弦波。这类放大器只是提供一个方波，再通过LC选频。
上传时间： 2022-07-03
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51单片机驱动舵机SG90实验程序，资料还包括对舵机内部结及工作原理解析，适合单片机爱好者参考借鉴。
上传时间： 2022-07-04
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本书简要介绍了现代传感技术及检测技术的概况，阐明了动态测量和其他检测理论及其应用，详细论述了各种传感器的结构、原理。其中第一章为传感技术概况。第二章论述了硅传感器与智能传感器；第三章论述了光与辐射传感器及应用；笫四章论述了各种光纤传感器的原理及其新成果；第五、第六章介绍了近年研究热点---气敏传感器和离子敏传感器。根据传感器在检测技术中的地位 在本书中用较大的篇幅来介绍传感新理论和新技术。内容上注意突出原理性、系统性、层次性和渐进性。
标签： 传感技术
上传时间： 2022-07-06
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