采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：hjkhjk
为了满足宽频段、细步进频率综合器的工程需求，对基于多环锁相的频率合成器进行了分析和研究。在对比传统单环锁相技术基础上，介绍了采用DDS+PLL多环技术实现宽带细步进频综，输出频段10~13 GHz，频率步进10 kHz，相位噪声达到-92 dBc/Hz@1 kHz，杂散抑制达到-68 dBc，满足实际工程应用需求。
上传时间： 2013-10-12
上传用户：Late_Li
设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现，仿真和测试结果都能满足设计要求。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：maricle
运算放大器，开环电压增益AVOL的定义与量测方法。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：rtsm07
为得到性能优良、符合实际工程的锁相环频率合成器，提出了一种以ADI的仿真工具ADIsimPLL为基础，运用ADS（Advanced Design System 2009）软件的快速设计方法。采用此方法设计了频率输出为930~960 MHz的频率合成器。结果表明该频率合成器的锁定时间、相位噪声以及相位裕度等指标均达到了设计目标。
上传时间： 2013-12-16
上传用户：萍水相逢
mos管门级驱动电阻计算
上传时间： 2013-12-19
上传用户：王楚楚
XS128之锁相环PLL
上传时间： 2013-12-20
上传用户：ywqaxiwang
上下拉电阻的小结，希望对大家有用
标签： 下拉电阻
上传时间： 2013-10-21
上传用户：18165383642
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
锁相环是一种反馈系统，其中电压控制振荡器(VCO)和相位比较器相互连接，使得振荡器可以相对于参考信号维持恒定的相位角度。锁相环可用来从固定的低频信号生成稳定的输出高频信号等。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：waixingren
