基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的，采用Multisim10仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uC的表达式出发，分析了uC与时间常数之间的关系，给出了几种Multisim仿真测试时间常数的实验方案。仿真实验可直观形象地描述RC电路的工作过程及有关参数测试。将电路的硬件实验方式向多元化方式转移，利于培养知识综合、知识应用、知识迁移的能力，使电路分析更加灵活和直观。
上传时间： 2013-11-10
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EMC设计中的滤波器通常指由L，C构成的低通滤波器。滤波器结构的选择是由"最大不匹配原则"决定的。即在任何滤波器中，电容两端存在高阻 抗，电感两端存在低阻抗。
上传时间： 2014-12-23
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：DE2542
One of the most critical components in a step-up design like Figure 1 is the transformer. Transformers have parasitic components that can cause them to deviate from their ideal characteristics, and the parasitic capacitance associated with the secondary can cause large resonating current spikes on the leading edge of the switch current waveform.
上传时间： 2013-11-22
上传用户：15070202241
能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。
上传时间： 2013-11-06
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MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
上传时间： 2013-12-09
上传用户：qlpqlq
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能满足CSTN-LCD系统低功耗、高转换速率性能要求。
上传时间： 2013-11-18
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电子学名词1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。2、 电阻的温度系数----表示物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加量与原来的电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。3、 电导----物体传导电流的本领叫做电导。在直流电路里，电导的数值就是电阻值的倒数，以字母ɡ表示，单位为欧姆。4、 电导率----又叫电导系数，也是衡量物质导电性能好坏的一个物理量。大小在数值上是电阻率的倒数，以字母γ表示，单位为米/欧姆*毫米平方。5、 电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差，叫做电动势或者简称电势。用字母E表示，单位为伏特。6、 自感----当闭合回路中的电流发生变化时，则由这电流所产生的穿过回路本身磁通也发生变化，因此在回路中也将感应电动势，这现象称为自感现象，这种感应电动势叫自感电动势。7、 互感----如果有两只线圈互相靠近，则其中第一只线圈中电流所产生的磁通有一部分与第二只线圈相环链。当第一线圈中电流发生变化时，则其与第二只线圈环链的磁通也发生变化，在第二只线圈中产生感应电动势。这种现象叫做互感现象。8、 电感----自感与互感的统称。9、 感抗----交流电流过具有电感的电路时，电感有阻碍交流电流过的作用，这种作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流电流过具有电容的电路时，电容有阻碍交流电流过的作用，这种作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脉动电流----大小随时间变化而方向不变的电流，叫做脉动电流。12、振幅----交变电流在一个周期内出现的最大值叫振幅。13、平均值----交变电流的平均值是指在某段时间内流过电路的总电荷与该段时间的比值。正弦量的平均值通常指正半周内的平均值，它与振幅值的关系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在两个相同的电阻器件中，分别通过直流电和交流电，如果经过同一时间，它们发出的热量相等，那么就把此直流电的大小作为此交流电的有效值。正弦电流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流电的瞬时功率不是一个恒定值，功率在一个周期内的平均值叫做有功功率，它是指在电路中电阻部分所消耗的功率，以字母P表示，单位瓦特。16、视在功率----在具有电阻和电抗的电路内，电压与电流的乘积叫做视在功率，用字母Ps来表示，单位为瓦特。17、无功功率----在具有电感和电容的电路里，这些储能元件在半周期的时间里把电源能量变成磁场（或电场）的能量存起来，在另半周期的时间里对已存的磁场（或电场）能量送还给电源。它们只是与电源进行能量交换，并没有真正消耗能量。我们把与电源交换能量的速率的振幅值叫做无功功率。用字母Q表示，单位为芝。
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上传时间： 2013-11-23
上传用户：zhoujunzhen
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MoSFET驱动电路具有指导意义．
上传时间： 2013-11-10
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设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为26.2 mW.运放在4 ns的时间内可以达到0.01%的建立精度,满足系统设计要求.
上传时间： 2013-10-16
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