分布傅里叶算法，可以用于多种计算，比如光孤子的特性分析
上传时间： 2017-05-27
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数学形态学的数学基础和所用语言是集合论，因此它具有完备的数学基础，这为形态学用于图像分析和处理、形态滤波器的特性分析和系统设计奠定了坚实的基础。数学形态学的应用可以简化图像数据，保持它们基本的形状特性，并除去不相干的结构。数学形态学的算法具有天然的并行实现的结构， 实现了形态学分析和处理算法的并行，大大提高了图像分析和处理的速度。
上传时间： 2014-08-12
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PWM整流器以其优良的性能和潜在的优势正在广泛地应用，已成为电力电子技术研究的热点。本以电压型PWM整流器为主，兼顾电流型PWM整流器，对PWM整流器的基本原理、数学建模、特性分析、
上传时间： 2016-05-09
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ADI智库最新上线的《仪表放大器应用工程师指南》，全篇共计125页，80000+字实用内容。帮助仪表放大器应用工程师搞清楚仪表放大器的特性分析、应用范围、原理介绍、使用技巧等多方面的内容。
上传时间： 2022-05-05
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本论文以西安电子科技大学电路CAD所的科研项目“电源管理类集成电路关键技术理论研究与设计”为背景，设计了一款高性能降压型DC-DC和LDO双路输出控制器XD8912.论文首先对电源管理技术的现状以及发展趋势作了介绍；随后分析了线性稳压器及开关稳压器的基本结构和工作原理，并对电压模降压型PWM DC-DC的原理及其环路稳定性做了深入的研究；最后详细介绍了XD8912的设计过程，包括芯片性能系统规划、特性分析、电路实现以及仿真验证。XD8912不仅集成了大电流、高效率的电压模降压型PWM控制器，而且也集成了小电流、低噪声的线性稳压控制器，可以为高性能显卡、主板等设备供电。芯片采用同步整流技术，避免了肖特基二极管的使用，大大提高了芯片的工作效率。芯片内部设计了微调电路提高了电压基准的精度。设计了内部频率补偿电路取代芯片外部的补偿电容，有效提高了芯片的集成度。另外，芯片还集成了完备的保护电路，包括过温保护、欠压保护、过流保护等.文中对XD8912的系统及主要功能模块进行了详细的分析，并基于0.6um BCD工艺，利用Viewdraw，Hspice等EDA软件，完成了电路的设计和前仿真验证仿真结果表明，电路功能和性能指标均已达到设计要求。
上传时间： 2022-06-23
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三相无刷直流电机是近年来迅速发展起来的一种新型电机，它利用电子换相代替机械换相，既具有直流电机的调速性能，又具有交流电机结构简单、运行可靠、维护方便等优点，并且体积小、效率高，在许多领域已得到了广泛的运用。本文首先介绍了三相无刷直流电机在国内外的发展及其控制系统的研究现状，详细论述了三相永磁无刷直流电机的构成、运行原理、特性分析和其转子位置信号的检测方法；然后设计了控制系统的硬件电路及相应软件，最后对设计的控制系统进行调试并分析了影响系统可靠性的因素及给出了相应解决的方案。根据控制系统的设计参数、成本及灵活性等各方面的要求，本控制系统设计了以Atmega8L单片机及ECN30206集成驱动器为核心的硬件平台。Atmega8L单片机对由ECN30206构成的功率驱动电路进行转速PID闭环控制、并定时采集电流信号对电流进行过流保护及采用Max7219串行显示转速、电流、相关故障信息，通过光电隔离对永磁无刷直流电机诸如转向等控制及接收外部信息，通过RS-485总线接口与外部其它系统交换信息、对各种信息进行分析处理、协调各部分的工作。
标签： 三相无刷直流电机控制系统
上传时间： 2022-06-27
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MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的电流.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压.pdf 868KB2019-10-08 11:34 MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 读懂并理解MOSFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 MOSFET并联技术 -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf 2.3M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动方式详解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 关于MOSFET驱动电阻值的计算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率MOSFET的电流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率MOSFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 张兴柱之MOSFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电路设计参考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持续电流是如何确定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率MOSFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf …………
上传时间： 2013-07-01
上传用户：eeworm
本文在参考了国内外已有多自由度球电机的基础上,提出了正交圆柱结构的两自由度电机,它是独立设计的一种创新结构.此电机可分解为两个独立的两相混合式步进电机:分别为内层小电机(外转子两相混合式步进电机)和外层大电机(扇形结构的两相混合式步进电机).本文以两自由度电机为对象,采用"齿层比磁导法",对电机的矩角特性进行计算和分析,用得到的矩角特性与设计要求相比较,从而为优化尺寸设计提供参考.
上传时间： 2013-07-19
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微分电路的频率特性和实验分析。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：zhangzhenyu
本文基于探索正弦交流电路中电感L、电容C元件特性的目的，运用Multisim10软件对L、C元件的特性进行了仿真实验分析，给出了Multisim仿真实验方案，仿真了电感、电容元件的交流电压和电流的相位关系，正弦电压、正弦电流有效值和电抗的数值关系，虚拟仿真实验结果与理论分析计算结果相一致，结论是仿真实验可直观形象地描述元件的工作特性。将电路的硬件实验方式向多元化方式转移，利于培养知识综合、知识应用、知识迁移的能力。
上传时间： 2013-10-15
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