电子发烧友网为大家提供了新一代高速定位模块QD75M详解，希望看完之后你对高速定位模块QD75M有一个全面的认识。
上传时间： 2013-10-22
上传用户：stvnash
在本课题中，兼顾了效率及线性度，采用自适应预失真前馈复合线性化系统来改善高功率放大器的线性度。由于加入自适应控制模块，射频电路不受温度、时漂、输入功率等的影响，可始终处于较佳工作状态，这使得整个放大系统更为实用，也更具有拓展价值。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：xauthu
PLC 控制系统最初被应用于对离散量的控制,随着技术的发展和实际工程应用的需求,PLC 控制系统也开始用于对连续变量的控制。结合实际工程,对PID 模块指令在Allen2Bradley 公司的PLC 产品中的应用,进 行阐述说明。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：小宝爱考拉
热电偶温度与输入信号对照表包括热电偶温度与绝对毫伏对照与热电阻温度与电阻值对照。
上传时间： 2013-10-12
上传用户：stvnash
AD9850信号发生器模块测试程序
上传时间： 2013-11-02
上传用户：a6697238
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
介绍了一种基于ARM7TDMI内核的高精度模拟微控制器ADUC7061的智能变送器，并给出了智能变送器的硬件电路设计和软件设计流程。该智能变送器能输出电流变送信号并通过RS485传输数字信号，具有对传感器的温度误差补偿、系统参数设定保存、自校准、配置电流变送信号输出类型等功能。实际工程应用表明，该智能变送器具有宽电压电源输入范围、测量精度高、工作稳定可靠、适用范围广等优点。
上传时间： 2013-11-02
上传用户：TRIFCT
介绍了由两个DC/DC开关电源模块并联构成的供电系统电路结构和工作原理。该系统采用ARM芯片STM32为主控芯片产生驱动功率开关器件MOSFET的PWM脉冲[1]，对供电系统的输出电压和各个模块的输出电流均实现了全数字闭环PI控制。系统输出电压稳定，能实现两个模块电流的比例分配，同时具有输出负载短路及延时恢复功能。仿真和实验结果验证了控制技术的正确性和可行性。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：小码农lz
DC转DC直流输出可调稳压模块
上传时间： 2013-12-01
上传用户：dudu1210004
正负电压输出模块
上传时间： 2013-12-17
上传用户：asdkin
