1 . 系统概述C8051F330/1器件是完全集成的混合信号片上系统型MCU。下面列出了一些主要特性，有关某一产品的具体特性参见表1.1。 高速、流水线结构的8051兼容的CIP-51内核（可达25MIPS） 全速、非侵入式的在系统调试接口（片内） 真正10位200 ksps的16通道单端/差分ADC，带模拟多路器 10位电流输出DAC 高精度可编程的25MHz内部振荡器 8KB可在系统编程的FLASH存储器 768字节片内RAM 硬件实现的SMBus/ I2C、增强型UART和增强型SPI串行接口 4个通用的16位定时器 具有3个捕捉/比较模块和看门狗定时器功能的可编程计数器/定时器阵列（PCA） 片内上电复位、VDD监视器和温度传感器 片内电压比较器 17个端口I/O（容许5V输入）
标签： C8051F330D 混合信号 控制器 数据手册
上传时间： 2013-10-18
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这是C8051F330/1混合信号ISP FLASH微控制器的数据手册，由沈阳航空工业学院潘琢金老师翻译 版权声明：本手册中文版版权归译者和新华龙电子有限公司所有。研究和开发人员可以自由使用本手册。任何单位和个人未经版权所有者授权不得在任何形式的出版物中摘抄本手册内容。
上传时间： 2014-01-04
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c8051f320实例 C8051F320/1 混合信号ISP FLASH微控制器
上传时间： 2016-04-04
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C8051F020/1/2/3混合信号ISP FLASH微控制器数据手册（中文的哦）
上传时间： 2014-01-02
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C8051F020/1/2/3 混合信号ISP FLASH 微控制器
上传时间： 2017-07-03
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C8051F020/1/2/3 混合信号ISP FLASH 微控制器 数 据 手 册 潘 琢 金 译
上传时间： 2017-07-30
上传用户：徐孺
Actel SmartFusion智能混合信号FPGA在单个器件中整合了已经获验证且高度灵活的ProASIC®3 FPGA架构、先进的混合信号功能以及一个ARM® Cortex™-M3硬核处理器。SmartFusion能够为嵌入式系统设计人员提供了多达50万门用户逻辑、13.8 Kb的通用FPGA RAM、众多系统外设和可编程模拟电路，以及一个包含了100 MHz Cortex-M3处理器(64 Kb SRAM 和 512 Kb闪存)的微控制器子系统(MSS)。
标签： SmartFusion Actel FPGA 智能混合
上传时间： 2013-04-24
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产品描述: MSP430是TI公司的一个超低功耗微控制器系列,片内组合了不同功能模块,可适应不同应用层次的需求,在硬件架构上,提供架构上,提供了五种低功耗模式,可最大限度的延长手持设备的电池寿命.MSP430系列的CPU采用16位精简指令集,集成了16个通用寄存器和常数发生器,极大的提高了代码的执行效率,它的数字可控振荡器(DCO)可在LUS内由低功耗模式切换到活动模式.
上传时间： 2013-11-12
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Luminary Micro在Stellaris系列微控制器的部分产品中提供了模数转换器（ADC）模块。ADC的硬件分辨率为10位，但由于噪音和其它使精度变小的因素的影响，实际的精度小于10位。本应用文档提供了一个基于软件的过采样技术，从而使转换结果的有效位数（ENOB）得到了改善。文档中描述了对输入信号执行过采样的方法，以及在精度和整个系统性能上的影响。
上传时间： 2014-05-07
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家电制造业的竞争日益激烈，市场调整压力越来越大，原始设备制造商们（OEM）为了面对这一挑战，必须在满足电磁兼容性的条件下，不断降低产品的成本。由于强调成本控制，为防止由电源和信号线的瞬变所产生的电器故障而实施必要的瞬态免疫保护，对于家电设计者来说变得更具挑战性。由于传统的电源设计和电磁干扰（EMI）控制措施为节约成本让路，家电设计者必须开发出新的技术来满足不断调整的电磁兼容（EMC）需求。本应用笔记探讨了瞬态电气干扰对嵌入式微控制器（MCU）的影响，并提供了切实可行的硬件和软件设计技术，这些技术可以为电快速瞬变（EFT）、静电放电（ESD）以及其它电源线或信号线的短时瞬变提供低成本的保护措施。虽然这种探讨是主要针对家电制造商，但是也适用于消费电子、工业以及汽车电子方面的应用。 低成本的基于MCU 的嵌入式应用特别容易受到ESD 和EFT 影响降低性能。即使是运行在较低时钟频率下的微控制器，通常对快速上升时间瞬变也很敏感。这种敏感性归咎于所使用的工艺技术。如今针对低成本8/16位的MCU的半导体工艺技术所实现的晶体管栅极长度在0.65 μm～0.25 μm范围内。此范围内的栅极长度能产生和响应上升时间在次纳秒范围内（或超过300 MHz 的等同带宽）的信号。因此， MCU 能够响应进入其引脚的ESD 或EFT 信号。除上述工艺技术之外， MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能还会受到IC 设计及其封装、印刷电路板（PCB）的设计、MCU 上运行的软件、系统设计以及ESD 或EFT 波形特征的影响。各因素的相对影响（强调对最大影响的贡献）如图1 所示。
上传时间： 2013-11-09
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