零漂移放大器可动态校正其失调电压并重整其噪声密度。自稳零型和斩波型是两种常用类型,可实现 nV 级失调电压和极低的失调电压时间/温度漂移。放大器的 1/f 噪声也视为直流误差,也可一并消除。零漂移放大器为设计师提供了很多好处:首先,温漂和 1/f 噪声在系统中始终起着干扰作用,很难以其它方式消除,其次,相对于标准的放大器,零漂移放大器具有较高的开环增益、电源抑制比和共模抑制比,另外,在相同的配置下,其总输出误差低于采用标准精密放大器的输出误差
上传时间: 2013-11-23
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LNA的功能和指标二端口网络的噪声系数Bipolar LNAMOS LNA非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配参考文献LNA 的功能和指标• 第一级有源电路,其噪声、非线性、匹配等性能对整个接收机至关重要• 主要指标– 噪声系数(NF)取决于系统要求,可从1 dB 以下到好几个dB, NF与工作点有关– 增益(S21)较大的增益有助于减小后级电路噪声的影响,但会引起线性度的恶化– 输入输出匹配(S11, S22)决定输入输出端的射频滤波器频响– 反向隔离(S12)– 线性度(IIP3, P1dB)未经滤除的干扰信号可通过互调(Intermodulation) 等方式使接收质量降低
上传时间: 2013-11-20
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为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径
上传时间: 2013-11-10
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文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路,该电路结构小巧(20 mm ×13 mm ,厚度为0.6 mm),功能可靠、稳定。放大器芯片采用3SK318YB,该芯片具有高增益、低噪声等特点。电路主要用于超高频段微波通信,电路拓扑结构采用反馈型、稳定衰减器法和低端增益衰减法进行设计。生产成品并经测试,该产品性价比高,完全达到了设计要求
上传时间: 2013-11-03
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中兴通讯硬件一部巨作-信号完整性 近年来,通讯技术、计算机技术的发展越来越快,高速数字电路在设计中的运用越来 越多,数字接入设备的交换能力已从百兆、千兆发展到几十千兆。高速数字电路设计对信 号完整性技术的需求越来越迫切。 在中、 大规模电子系统的设计中, 系统地综合运用信号完整性技术可以带来很多好处, 如缩短研发周期、降低产品成本、降低研发成本、提高产品性能、提高产品可靠性。 数字电路在具有逻辑电路功能的同时,也具有丰富的模拟特性,电路设计工程师需要 通过精确测定、或估算各种噪声的幅度及其时域变化,将电路抗干扰能力精确分配给各种 噪声,经过精心设计和权衡,控制总噪声不超过电路的抗干扰能力,保证产品性能的可靠 实现。 为了满足中兴上研一所的科研需要, 我们在去年和今年关于信号完整性技术合作的基 础上,克服时间紧、任务重的困难,编写了这份硬件设计培训系列教材的“信号完整性” 部分。由于我们的经验和知识所限,这部分教材肯定有不完善之处,欢迎广大读者和专家 批评指正。 本教材的对象是所内硬件设计工程师, 针对我所的实际情况, 选编了第一章——导论、 第二章——数字电路工作原理、第三章——传输线理论、第四章——直流供电系统设计, 相信会给大家带来益处。同时,也希望通过我们的不懈努力能消除大家在信号完整性方面 的烦脑。 在编写本教材的过程中,得到了沙国海、张亚东、沈煜、何广敏、钟建兔、刘辉、曹 俊等的指导和帮助,尤其在审稿时提出了很多建设性的意见,在此一并致谢!
上传时间: 2013-11-15
上传用户:大三三
抑制△I 噪声一般需要从多方面着手, 但通过PCB 设计抑制△I 噪声是有效的措施之一。如何通过PCB 设计抑制△I 噪声是一个亟待深入研究的问题。在对△I 噪声的产生、特点、主要危害等研究的基础上, 讨论了辐射干扰机理, 重点结合PCB 和EMC 研究的新进展, 研究了抑制△I 噪声的PCB 设计方法。对通过PCB 设计抑制△I 噪声的研究与应用具有指导作用。
上传时间: 2014-12-24
上传用户:时代电子小智
开关电源的纹波和噪声
上传时间: 2013-10-16
上传用户:shen954166632
降低电源纹波噪声。
上传时间: 2013-11-19
上传用户:aesuser
随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加,人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件,而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时,时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声,便会对性能产生极大的负面影响。本文将对一种基本 LDO 拓扑进行仔细研究,找出其主要噪声源,并给出最小化其输出噪声的一些方法。 表明电源品质的一个关键参数是其噪声输出,它常见的参考值为 RMS 噪声测量或者频谱噪声密度。为了获得最低 RMS 噪声或者最佳频谱噪声特性,线性电压稳压器(例如:低压降电压稳压器,LDO),始终比开关式稳压器有优势。这让其成为噪声敏感型应用的选择。 基本 LDO 拓扑 一个简单的线性电压稳压器包含一个基本控制环路,其负反馈与内部参考比较,以提供恒定电压—与输入电压、温度或者负载电流的变化或者扰动无关。 图 1 显示了一个 LDO 稳压器的基本结构图。红色箭头表示负反馈信号通路。输出电压 VOUT 通过反馈电阻 R1 和 R2 分压,以提供反馈电压 VFB。VFB 与误差放大器负输入端的参考电压 VREF 比较,提供栅极驱动电压 VGATE。最后,误差信号驱动输出晶体管 NFET,以对 VOUT 进行调节。 图 1 LDO 负反馈环路 简单噪声分析以图 2 作为开始。蓝色箭头表示由常见放大器差异代表的环路子集(电压跟随器或者功率缓冲器)。这种电压跟随器电路迫使 VOUT 跟随 VREF。VFB 为误差信号,其参考 VREF。在稳定状态下,VOUT 大于 VREF,其如方程式 1 所描述:
上传时间: 2013-11-11
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文中提出了一种应用于印刷电路板的新颖二维电磁带隙(MS-EBG)结构,其单位晶格由折线缝隙组合与正方形贴片桥接构成,以抑制同步开关噪声。结果表明,抑制深度为-30 dB时,与传统L-bridged EBG结构比较,新EBG结构的阻带宽度增加1.3 GHz,相对带宽提高了约10%,能够有效抑制0.6~5.9 GHz的同步开关噪声。
上传时间: 2013-11-07
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