针对电源设备出厂老化测试电能浪费问题，设计了一种基于TMS320F28335DSP的恒流型馈能式电子负载。描述了一种原边带箝位二极管的ZVS移相全桥变换器的工作特点，采用了一种简便易行的移相波形数字控制方法；基于DC/DC电压前馈、DC/AC电压电流双环控制方法，研制出一台3.5 kW试验样机。实验结果表明：该系统性能稳定、调节速度快，能很好地满足测试老化及馈网要求。
上传时间： 2013-10-13
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Q72型晶体管特性图仪器使用说明书
上传时间： 2014-12-24
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该文提出一种新颗的三电平LLc串联电流谐振型Dc，Dc变换器。每个主开关电压应力是输入电压的一半，并且全范围实现zvs而不用附加任何电路。整流二极管工作在zcs状态。该变换器通过_次谐振的手段使得以较小的频率变化范围就可以实现较大的输入输出调节范围。整个变换器只需一颗磁元件。
上传时间： 2013-10-16
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采用滞环电流控制方式,以TMS320F2812为控制器组建了电压型PWM整流器双闭环自动控制系统。实验结果表明,该系统具有良好的静态、动态性能。为设计PWM整流器提供了一定的理论依据。
上传时间： 2013-10-30
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现阶段对电流型二线制光照强度变送器的研究还相对较少，设计的光照强度变送器普遍存在精度不高，线性度不好，性能不够稳定，不能输出标准4~20 mA电流信号的问题。介绍了一种电流型二线制光照强度变送器的设计，其结构由光照强度转电压电路、电压范围转换电路、电压转电流电路以及稳压电源产生电路组成。实验结果表明该变送器具有精度高、线性度好、功耗低，能够稳定可靠地输出标准4~20 mA电流的特点。
上传时间： 2013-11-08
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电压驱动型脉宽调制器TL494
上传时间： 2013-10-28
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符合全球标准的小巧电源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V输出电压(100 W, 150 W: 仅24 V型)• 支持DIN导轨安装• 安全标准 ： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上传时间： 2014-04-17
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AC通用输入(100~240V AC)全球对应型电源1
上传时间： 2014-04-15
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本文针对6KV中压电网三相平衡负载的无功功率补偿，结合二极管箝位多电平逆变器和H桥级联多电平逆变器的特点，提出了一种能够直接并入电网的新型主从式的逆变器结构：主逆变器采用二极管箝位三电平逆变器，从逆变器采用三个H桥(即全桥)逆变器。主逆变器和H桥逆变器采用级联的形式连接，最后构成一个五电平的混联逆变器。从逆变器负责产生一个方波电压，构成输础正弦电压的基本成分：主逆变器产生输出电压的补偿部分以及负责消除低次谐波。对于主逆变器直流侧电容电压的平衡问题，本文提出了一种采用硬件电路平衡的方法，从而降低了PWM调制时控制方法的复杂性。因为集成门极换相晶闸管(IGCT)这种新型电力电子器件具有开关频率高、无缓冲电路、耐压高等优点，主电路选用IGCT作为开关器件。本文详细分析了用于STATCOM的主从型逆变器电路结构，同时给出了电路参数的确定方法，并对STATCOM逆变器输出电压的谐波进行了理论分析。根据本文提出的主从型逆交器结构特点，建立了基于瞬时无功理论的STATCOM系统动态控制模型，并给出了一种解藕反馈控制方法。最后通过仿真结果证明了所提出的这种主从型逆变器STA’rC0^I结构在消除谐波方面的优越性。
上传时间： 2013-10-31
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
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