金属氧化物非线性电阻特性和应用
上传时间： 2013-04-15
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GB11032-2000交流无间隙金属氧化物避雷器
上传时间： 2013-05-18
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专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 金属氧化物非线性电阻特性和应用-401页-6.0M.pdf
上传时间： 2013-06-06
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专辑类-国标类相关专辑-313册-701M GB11032-2000交流无间隙金属氧化物避雷器.pdf
上传时间： 2013-04-24
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国标类相关专辑 313册 701MGB11032-2000交流无间隙金属氧化物避雷器.pdf
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上传时间： 2014-05-05
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实用电子技术专辑 385册 3.609G金属氧化物非线性电阻特性和应用 401页 6.0M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
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金属一氧化物一半导体场效应晶体管电路设计.pdf
标签： 场效应晶体管
上传时间： 2022-01-09
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金属氧化物压敏电阻器（MOV）,简称为压敏电阻器,它以其优越的非线性伏安特性，广泛用作线路、设备及元器件的过电压保护和浪涌吸收元件。MOV 虽有卓越的功能和作用，但是它在各种应力的作用下,总是会失效的
上传时间： 2013-05-18
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·《气体传感器论文资料》[PDF&NH&KDH]收集气体传感器的资料：★氨气传感器 NH3 CR-200 ★氨气传感器 NH3 MR-100 ★半导体臭氧气体传感器 ★半导体气敏元件 ★半导体陶瓷型薄膜气敏传感器的研究进展 ★臭氧传感器O3C-5 ★臭氧传感器O3S-5 ★传感器大全分类查询表 ★低维半导体氧化物的合成及气体传感器的研制★电子鼻动态特征信息处理方法研究★电子鼻技术及在
上传时间： 2013-06-24
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Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电（ESD，Electrostatic Discharge）给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，互补金属氧化物半导体（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不断缩小，金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄，MOS 管能承受的电流和电压也越来越小，因此要进一步优化电路的抗ESD 性能，需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。
标签： Construction Strategy ESD of
上传时间： 2013-11-09
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