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气体放电管

气体放电管指作过电压保护用的避雷管或天线开关管一类,管内有二个或多个电极,充有一定量的惰性气体。气体放电管是一种间隙式的防雷保护元件,它用在通信系统的防雷保护。
  • 晶闸管调速驱动装置故障诊断与检修

    介绍了晶闸管调速粗动装原理, 分析了典型故障的原因

    标签: 晶闸管 故障诊断 调速 检修

    上传时间: 2013-11-16

    上传用户:cmc_68289287

  • 常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料

    MOS管的资料

    标签: MOS 场效应管 参数 型号

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:xieguodong1234

  • Arduino学习笔记A10_Arduino数码管骰子实验

    电路连接 由于数码管品种多样,还有共阴共阳的,下面我们使用一个数码管段码生成器(在文章结尾) 去解决不同数码管的问题: 本例作者利用手头现有的一位不知品牌的共阳数码管:型号D5611 A/B,在Eagle 找了一个 类似的型号SA56-11,引脚功能一样可以直接代换。所以下面电路图使用SA56-11 做引脚说明。 注意: 1. 将数码管的a~g 段,分别接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的数码管未知的话,可以通过通电测量它哪个引脚对应哪个字段,然后找出a~g 即可。 2. 分清共阴还是共阳。共阴的话,接220Ω电阻到电源负极;共阳的话,接220Ω电阻到电源+5v。 3. 220Ω电阻视数码管实际工作亮度与手头现有原件而定,不一定需要准确。 4. 按下按钮即停。   源代码 由于我是按照段码生成器默认接法接的,所以不用修改段码生成器了,直接在段码生成器选择共阳极,再按“自动”生成数组就搞定。   下面是源代码,由于偷懒不用写循环,使用了部分AVR 语句。 PORTD 这个是AVR 的端口输出控制语句,8 位对应D7~D0,PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高电平。 PORTD = a;就是找出相应的段码输出到D7~D0。 DDRD 这个是AVR 语句中控制引脚作为输出/输入的语句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作为输出脚了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 单数码管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定义段码表,表中十个元素由LED 段码生成器生成,选择了共阳极。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定义PortD 的低七位全部用作输出使用。即0xFF=B11111111对 应D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用来做骰子暂停的开关 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //将段码输出PortD 的低7位,即Arduino 的引脚D0~D6,这样需要取出PORTD 最高位,即 D7的状态,与段码相加,之后再输出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延时50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引脚高电平,则在此死循环,暂停LED 跑 动 } }      

    标签: Arduino 10 数码管 实验

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:baitouyu

  • 场效应管放大电路_场效应管作用

    场效应管作用

    标签: 场效应管 放大电路

    上传时间: 2013-11-23

    上传用户:qwer0574

  • 5000种场效应管速查

    5000种场效应管速查

    标签: 5000 场效应管 速查

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:wfl_yy

  • 1N系列稳压管参数

    1N系列稳压管参数

    标签: 稳压管 参数

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:d815185728

  • 场效应管的h参数等效模型

    主要介绍场效应管H参数的模型

    标签: 场效应管 h参数 等效模型

    上传时间: 2014-01-09

    上传用户:1966649934

  • MOS管驱动电路总结

    下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。

    标签: MOS 驱动电路

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:文993

  • 2SJ系列场效应管参数大全

    2SJ系列场效应管参数大全:

    标签: 2SJ 场效应管 参数大全

    上传时间: 2013-11-24

    上传用户:wlcaption

  • Construction Strategy of ESD P

    Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不断缩小,金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄,MOS 管能承受的电流和电压也越来越小,因此要进一步优化电路的抗ESD 性能,需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。

    标签: Construction Strategy ESD of

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:Aidane