介绍了晶闸管调速粗动装原理, 分析了典型故障的原因
上传时间: 2013-11-16
上传用户:cmc_68289287
MOS管的资料
上传时间: 2013-11-19
上传用户:xieguodong1234
电路连接 由于数码管品种多样,还有共阴共阳的,下面我们使用一个数码管段码生成器(在文章结尾) 去解决不同数码管的问题: 本例作者利用手头现有的一位不知品牌的共阳数码管:型号D5611 A/B,在Eagle 找了一个 类似的型号SA56-11,引脚功能一样可以直接代换。所以下面电路图使用SA56-11 做引脚说明。 注意: 1. 将数码管的a~g 段,分别接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的数码管未知的话,可以通过通电测量它哪个引脚对应哪个字段,然后找出a~g 即可。 2. 分清共阴还是共阳。共阴的话,接220Ω电阻到电源负极;共阳的话,接220Ω电阻到电源+5v。 3. 220Ω电阻视数码管实际工作亮度与手头现有原件而定,不一定需要准确。 4. 按下按钮即停。 源代码 由于我是按照段码生成器默认接法接的,所以不用修改段码生成器了,直接在段码生成器选择共阳极,再按“自动”生成数组就搞定。 下面是源代码,由于偷懒不用写循环,使用了部分AVR 语句。 PORTD 这个是AVR 的端口输出控制语句,8 位对应D7~D0,PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高电平。 PORTD = a;就是找出相应的段码输出到D7~D0。 DDRD 这个是AVR 语句中控制引脚作为输出/输入的语句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作为输出脚了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 单数码管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定义段码表,表中十个元素由LED 段码生成器生成,选择了共阳极。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定义PortD 的低七位全部用作输出使用。即0xFF=B11111111对 应D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用来做骰子暂停的开关 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //将段码输出PortD 的低7位,即Arduino 的引脚D0~D6,这样需要取出PORTD 最高位,即 D7的状态,与段码相加,之后再输出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延时50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引脚高电平,则在此死循环,暂停LED 跑 动 } }
上传时间: 2013-10-15
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场效应管作用
上传时间: 2013-11-23
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5000种场效应管速查
上传时间: 2013-10-27
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1N系列稳压管参数
上传时间: 2013-10-11
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主要介绍场效应管H参数的模型
上传时间: 2014-01-09
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下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。
上传时间: 2013-11-18
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2SJ系列场效应管参数大全:
上传时间: 2013-11-24
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Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不断缩小,金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄,MOS 管能承受的电流和电压也越来越小,因此要进一步优化电路的抗ESD 性能,需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。
标签: Construction Strategy ESD of
上传时间: 2013-11-09
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