D类放大器设计实例 15页 1.0M
上传时间： 2013-11-25
上传用户：shen_dafa
汽车类双路 FET 输入低失真运算放大器
上传时间： 2013-10-11
上传用户：fandeshun
模糊C-均值聚类算法是一种无监督图像分割技术，但存在着初始隶属度矩阵随机选取的影响，可能收敛到局部最优解的缺点。提出了一种粒子群优化与模糊C-均值聚类相结合的图像分割算法，根据粒子群优化算法强大的全局搜索能力，有效地避免了传统的FCM对随机初始值的敏感，容易陷入局部最优的缺点。实验表明，该算法加快了收敛速度，提高了图像的分割精度。
上传时间： 2013-10-25
上传用户：llandlu
针对传统第二代电流传输器（CCII）电压跟随不理想的问题，提出了新型第二代电流传输器（CCCII）并通过采用新型第二代电流传输器（CCCII）构成二阶电流模式带通滤波器，此滤波器只需使用2个电流传输器和2个电容即可完成设计。设计结构简单，其中心频率可由电流传输器的偏置电流控制。利用HSpice软件仿真分析并验证了理论设计的准确性和可行性。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：jqy_china
介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性，以及其基本组成共源共栅电流镜，并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上，设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路，并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。
上传时间： 2013-10-22
上传用户：wtrl
中望CAD2010体验版正式发布。作为中望公司的最新年度力作，在继承以往版本优势的基础上，中望CAD2010融入了以“安全漏洞抓取、内存池优化、位图和矢量图混合处理”等多项可以极大提高软件稳定性和效率的中望正在申请全球专利的独创技术，新增了众多实用的新功能，在整体性能上实现了巨大的飞跃，主要体现在以下几方面： 大图纸处理能力的提升 文字所见即所得、消隐打印等新功能 二次开发接口更加成熟 一、大图纸处理能力的提升 中望CAD2010版采用了更先进的内存管理以及压缩技术，采用了一些新的优化算法，使得中望CAD常用命令执行效率和资源占用情况得到进一步的提高，特别是在低内存配置下大图纸的处理能力，大大减少了图纸内存资源占用量，提升了大图纸处理速度。主要体现在： 大图纸内存占用量显著下降，平均下降约30%，地形图类图纸则平均下降50%； 实体缩放和平移，zoom\pan\redraw更加顺畅； 保存速度更快、数据更安全，保存速度平均有40%的提升。 二、新增功能 1、文字所见即所得 文字编辑器有多处改进，文字编辑时显示的样式为最后在图面上的样式，达到了所见即所得的效果。文字编辑器新加入段落设置，可进行制表位、缩进、段落对齐方式、段落间距和段落行距等项目的调整。另外，在文字编辑器内可直接改变文字倾斜、高度、宽度等特征。 2、消隐打印 中望CAD2010版本支持二维和三维对象的消隐打印，在打印对象时消除隐藏线，不考虑其在屏幕上的显示方式。此次消隐打印功能主要体现在以下两个方面： （一）、平台相关命令和功能的调整 视口的“属性”：增加“着色打印”选项（“线框”和“消隐”两种着色打印项） 选择视口后，右键菜单支持“着色打印”项（ “线框”和“隐藏”两种模式） 命令mview增加了“着色打印”功能项，可以方便用户设置视口的“着色打印属性”（线框和消隐两种模式） 打印”对话框调整：在布局空间，激活“打印”对话框，以前的“消隐打印”选项显示为“隐藏图纸空间对象”。 页面设置管理器启动的“打印设置”对话框调整：图纸空间中，通过页面设置管理器激活的“打印设置”对话框，以前的“消隐打印”选项显示为“隐藏图纸空间对象” （二）、消隐打印使用方法的调整 模型空间： 可通过“打印”或“页面设置管理器”打开的“打印设置”对话框中的“消隐打印”选项来控制模型空间的对象是否消隐打印，同时包含消隐打印预览，若勾选“消隐打印”按钮，模型空间的对象将被消隐打印出来。 布局空间： 若要在布局空间消隐打印对象，分为两种情况： 1) 布局空间视口外的对象是否消隐，直接取决于“打印设置”对话框中“隐藏图纸空间对象”按钮是否被勾选； ２）布局空间视口中的对象是否消隐，取决于视口本身的属性，即“着色打印”特性选项，必须确保该选项为“消隐”才可消隐打印或预览 3、图层状态管理器 可以创建多个命名图层状态，以保存图层的状态列表，用户可以通过选择图层状态来表现图纸的不同显示效果。这种图层状态可以输出供其它图纸使用，也可以输入其它保存的图层状态设置。 4、文字定点缩放 能够依据文字位置的特征点，如中心，左下等，作为基准点，对多行文字或单行文字进行缩放，同时不改变基准点位置。 5、Splinedit新功能 全面支持样条曲线的编辑，主要体现在SPLINEDIT命令行提示中，如下： 拟合数据(F)/闭合样条(C)/移动(M) 顶点(V)/精度(R)/反向(E)/撤消(U)/<退出(X)>: 拟合数据： 增加(A)/闭合(C)/删除数据(D)/移动(M)/清理(P)/切线(T)/<退出(X)>: 增加、删除数据：通过增加、删除样条曲线的拟合点来控制样条曲线的拟合程度。 移动：通过移动指定的拟合点控制样条曲线的拟合数据 闭合/打开：控制样条曲线是否闭合。 清理：清除样条曲线的拟合数据，从而使命令提示信息变为不包含拟合数据的情形。 切线：修改样条曲线的起点和端点切向。 闭合样条：将打开的样条曲线闭合。若选择的样条曲线为闭合的，该选项为“打开”，将闭合的样条曲线打开。 移动：可用来移动样条曲线的控制点到新的位置。 精度：可通过添加控制点、提高阶数或权值的方式更为精密的控制样条曲线的定义。 反向：调整样条曲线的方向为反向。 6、捕捉和栅格功能增强 7、支持文件搜索路径 关于激活注册：打开CAD界面，找到左上面的“帮助”，激活产品-复制申请码-再打开你解压到CAD包找到keygen.exe（也就是注册机，有的在是“Key”文件里，如果没有可以到网上下载），输入申请码--点击确定，就中间那个键--得到数据 应该是五组-复制再回到上面激活码页面，粘贴激活码确定就ok ！复制(粘贴)的时候用 ctrl +c（v），用鼠标右键没用！ 如果打开安装CAD就得注册才能运行的，那方法也跟上边的差不多！ 其实你在网上一般是找不到激活码的，因为各个申请码不一样，所以别人的激活码到你那基本上没用，只能用相应的方法得到激活码，这方法也就要你自己去试了，我原来也不会装CAD，但现在一般3分钟就装好了，只要知道怎么说了就快了，一般软件都是一样的装法，不会装可以到网上找资料！有时求人不如求已，自己算比在网上等着别人给你算快多了
上传时间： 2013-11-18
上传用户：段璇琮*
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：dongqiangqiang
为了实现直流电源的监控，提出了一种具有USB HID数据通信功能的直流电源设计方案。详细论述了基于STM32 USB固件库（USB-FS Device library V3.3）的自定义HID类下位机的实现，介绍了如何在VC2010集成开发环境中编写多线程上位机程序并运用PlotLab（一个快速信号绘图和可视化的VCL组件）显示实时波形，最后再以实验开发板和PC实现了HID数据通信，证明了此监控设计方案的可行性。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：13162218709
峰值电流模式的单片式DCDC变换器设计
上传时间： 2014-12-24
上传用户：debuchangshi
五种PWM反馈控制模式研究
上传时间： 2013-10-14
上传用户：Amygdala
