不同特点的FPGA是从工艺的角度来理解的，主要可以分为基于SRAM的FPGA，基于FLASH的FPGA和基于反熔丝的FPGA
标签： FPGA 工艺 角度
上传时间： 2013-08-16
上传用户：KSLYZ
CADENCE 工艺方面的应用，包含文件的建立
标签： CADENCE 工艺 方面
上传时间： 2013-09-07
上传用户：gps6888
对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究，该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势，是MEMS加速度计产业化的关键。选用3000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘结键合工艺试验，解决了圆片级封装问题，在低温250 ℃和适当压力辅助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）实现了加速度计的圆片级封装，并对相关的旋涂、键合、气氛、压力等诸多工艺参数进行了优化。
标签： MEMS BCB 键合 加速度计
上传时间： 2013-11-17
上传用户：JasonC
ADIS16334是一款薄型、完全校准的MEMS惯性测量单元(IMU)。图1为该封装的顶视图，其中包括四个安装孔，配备嵌入式安装架，有助于控制附加硬件的整体高度。安装孔为M2 × 0.4 mm或2至56个机械螺丝提供了足够的间隙。
标签： 16334 ADIS 机械 设计指南
上传时间： 2013-11-11
上传用户：taozhengxin
为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计，整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺完成版图设计，并在一款多功能数字芯片上使用，版图面积为1 mm×1 mm，并参与MPW（多项目晶圆）计划流片，流片测试结果表明，在输出负载很大时，本设计能提供足够的驱动电流，同时延迟时间短、并占用版图面积小。
标签： CMOS 工艺 多功能 数字芯片
上传时间： 2013-10-09
上传用户：小鹏
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。
标签： CMOS 工艺 共源共栅 偏置电路
上传时间： 2013-10-08
上传用户：debuchangshi
PCB工艺要求
标签： PCB 工艺要求
上传时间： 2013-11-14
上传用户：LIKE
PCB的可制造性与可测试性，很详细的pcb学习资料。
标签： PCB 可制造性 测试
上传时间： 2014-06-22
上传用户：熊少锋
PCB设计制造常见问题，PCB设计必备
标签： PCB 制造
上传时间： 2014-12-24
上传用户：源码3
PCB设计制造常见问题
上传时间： 2013-10-12
上传用户：缥缈
