贴片元器件因其体积特别小所以很难用电烙铁按普通元器件那样百接焊接。而需要用特殊的焊锡膏进行焊接。业余条件下焊接贴片元件可到市场上购买贴片焊锡膏，现在市场上常见的有两种，一种是已调好的焊锡膏，商标为“神焊”，另一种是由锡膏和调和剂调兑而成的焊锡膏，商标为“大眼牌”。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：dgann
滤波器虽然是一种十分普通的器件，有关滤波的技术也 已经十分成熟。但是，现实情况是许多电磁兼容方面的问题 都是由于对干扰的滤波措施不当造成的。这是由于我们没有 掌握电磁干扰滤波的一些特点。为了在电磁兼容设计中应用 好滤波技术，正确掌握一些概念是十分必要的。共模干扰和 差模干扰的概念就是这样一种重要概念。正确区别共模和差 模干扰对于正确设计和使用滤波器十分重要。
上传时间： 2013-06-04
上传用户：skhlm
·本书介绍密码编码学和密码分析方法，对破译密码的方法提出了许多建议。本书从密码学的历史中摘录了大量史料，内容丰富，叙述生动，不仅适合密码学研究人员和网络安全技术人员参考，也适合想了解密码学的普通读者阅读。 [德]F. L. Bauer著 吴世忠等译
上传时间： 2013-04-24
上传用户：edrtbme
利用MSP430单片机的普通IO口实现IIC的功能
上传时间： 2013-05-31
上传用户：user08x
Protel99se鼠标增强软件2.0: 2.0版本改名为“Protel99se鼠标增强软件”，是因为使用普通三键鼠标也可实现 放大和缩小功能。 1.0版本功能：(软件名称：“Protel99se增加鼠标滚轮放大缩小功能”) 向上滚动滚轮 --> Zoom In 放大（PageUp键） 向下滚动滚轮 --> Zoom Out 缩小（PageDown键） 单击中键 --> Zoom Pan 移动屏幕 (Home键) 2.0版本新增功能： 1.在手动布局时，按鼠标左键移动元件时，再点击右键，可旋转元件。（非常好用的功能） 2.增加鼠标中键手形功能，按住中键，移动鼠标，放开中键，为一个手形功能。 按中键向左移动 --> 在画线时退回上一步（退格键） 按中键向右移动 --> 删除有焦点的对象（Delete键） 按中键向上移动 --> 放置元件时，进入修改元件属性 （Tab键） 按中键向下移动 --> 放置元件时，用于旋转元件（空格键） 按中键向左上移动 --> Zoom Out 缩小（PageDown键） 按中键向右下移动 --> Zoom In 放大（PageUp键） 按中键向右上移动 --> Clear 删除所有选择的对象（Ctrl+Delete键） 按中键向左下移动 --> Fit All Objects 显示所有元件（Ctrl+PageDown键） 3.在PCB、SCH、PCBLib、SCHLib四个编辑器中都能实现本软件的所有功能。
上传时间： 2013-07-02
上传用户：电子世界
虽然这个很普通,但我相信很多人想拥有它..Allegro快捷键
上传时间： 2013-09-04
上传用户：yuhaihua_tony
利用电容加载传输线缩短理论，重新设计腔体滤波器的内部结构，利用T型梳状结构实现加载电容，减小腔体尺寸。仿真设计并实际加工出一个中心频率为2.4GHz的带通滤波器。在保持普通腔体滤波器高功率容量、小差损、高带外抑制等优点的基础上有效减小滤波器体积，从而有利于其小型化应用。
上传时间： 2013-12-02
上传用户：源弋弋
基于傅里叶计算全息技术，结合菲涅尔双随机相位加密系统，提出了一种数字图像加密方法。该方法以傅里叶计算全息图记录菲涅尔衍射双随机相位加密图像，傅里叶计算全息加密图像隐藏了原图像大小尺度信息，而且再现多个图像，必须针对加密图像共轭方可解密，提高了图像加密的安全性，并且解决了普通方法加密图像难存储的问题，作为原始明文的拥有者，两个随机相位板，应用波长，两次菲涅尔衍射的距离都可作为解密密钥。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：YYRR
在任意波形发生器设计中，DDS技术具有成本低、功耗小、分辨率高和切换时间快等优点，但波形形状任意可编辑性较差；软件无线电技术可产生任意复杂波形，但切换时间慢。采用DDS和软件无线电相结合的技术，正弦波、三角波、方波等普通信号的产生用DDS实现；复杂无规则波形信号的产生用软件无线电实现；最后任意波形发生器通过波形存储器、相位累加器、取样时钟发生器、地址发生器等硬件平台设计和软件波形算法设计来共同完成。
标签： 任意波发生器
上传时间： 2013-11-12
上传用户：xinshou123456
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
