超高压发生器输出几十千伏超高压、应用负粒子、点火、臭氧。简易超高压发生器，图1-1的电路可输出几十千伏超高压。当接通电源时，电源经R向C2充电至2CTS导通，即触发SCR导通。原来C被电源充满的电荷立即经SCR放电，升压变压器T次级感应高压电。当用汽车点火线圈作升压器，电容C1容量为0.1uF时，空气火花间长度为12mm。空气的绝缘度是3KV/mm，所以对应的高压是36KV。本电路耗电约为1W。制作时请注意安全！
上传时间： 2014-12-24
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采用双极型开关管的逆变器，基极驱动电流基本上为开关电流的1/β，因此大电流开关电路必须采用多级放大，不仅使电路复杂化，可靠性也变差而且随着输出功率的增大，开关管驱动电流需大于集电极电流的1/β，致使普通驱动IC无法直接驱动。虽说采用多级放大可以达到目的，但是波形失真却明显增大，从而导致开关管的导通/截止损耗也增大。目前解决大功率逆变电源及UPS的驱动方案，大多采用MOS FET管作开关器件。
上传时间： 2013-10-20
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气体开关在脉冲功率技术中有着广泛的应用，并有着特殊重要的地位，而开关也是制约脉冲功率技术的关键因素之一。开关的特性决定了脉冲功率信号的上升时间、幅值、脉冲宽度等参数。开关导通过程中的电阻和电感决定了脉冲的参数，所以研究开关的动态特性是很重要的。在脉冲功率中，脉冲上升时间要求在纳秒级，开关的电感和电阻对脉冲上升时间有很大的影响，因此确定开关的电阻和电感是非常必要的，本文设计了通过测量开关短路状态下的电流曲线得出开关电感电阻的方法。一般脉冲功率技术对波形的前沿要求较为苛刻，本文着重研究了开关动态参数及回路参数对脉冲前沿的影响。同时本文还分析了气体开关能耗与开关参数的关系。本文还利用国际通用的电磁暂态仿真软件PSCAD/EMTDC对开关回路及动态过程进行了仿真。本文对开关进行了实际实验，测量了开关的自击穿电压及其电流和电压波形。在测量脉冲电流时使用了罗戈夫斯基线圈，本文介绍了罗戈夫斯基线圈的原理及结构。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：lionlwy
变压器的设计步骤和计算公式： 1.1 变压器的技术要求: 输入电压范围; 输出电压和电流值; 输出电压精度; 效率η; 磁芯型号; 工作频率f; 最大导通占空比Dmax; 最大工作磁通密度Bmax; 其它要求。
上传时间： 2013-12-24
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常见DC/DC电源变换器的拓扑类型见表1～表3所列。表中给出不同的电路结构，同时也给出相应的电压及电流波形(设相关的电感电流为连续工作方式)。PWM表示脉宽调制波形，U1为直流输入电压，UDS为功率丌关管S1(MOSFFT)的漏一源极电压。ID1为S1的漏极电流。IF1为D1的工作电流，U0为输出电压，IL为负载电流。T为周期，t为UO呈高电平(或低电平)的时问及开关导通时间，D为占空比，有关系式：D=t/T。C1、C2均为输入端滤波电容，CO为输出端滤波电容，L1、L2为电感。 1、常见单管DC/DC电源变换器
上传时间： 2013-10-19
上传用户：1966640071
基于串联潴振电路结构。同定导通时间、变频控制以及零电流切换的技术 ，为激光器高压储能电容设计了20kV／50mA的恒流充电电源。对随着充电电 增高，谐振频率漂移引起的开关非零切换问题，设汁了零电流同步开天探测控制电路。充电电压和充电电流的大小}I1微处理器控制。前者正比丁充电电流脉冲的总个数，后者则正比于开关工作频率。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：lizhen9880
工业常用的电气投切开关有普通接触器和电力电子开关器件两种, 前者容易造成切入涌流过大和断开时咬死的现象, 而后者导通压降大, 增加额外损耗。提出了一种新型的混合无触点开关, 通过数字模拟电路的时序控制, 利用辅助的电力电子开关来承受通、断电瞬间的强电瞬态过程, 稳态后投入普通接触器代替前者运行。实验证明这种新型开关不仅在通、断电瞬间避免了火花、浪涌电流和电弧的产生, 而且在稳态运行时消除了导通压降, 达到了过零投切、低功耗和延长使用寿命的目的。
标签： 无触点开关
上传时间： 2013-11-17
上传用户：pinksun9
方波逆变器在输出失真度最小时波形最接近正弦波。采用功率谱分析的方法, 得出了单相方波逆变器谐波失真度最小时的脉宽数值。对于固定脉宽系统, 导通角取21331 rad 时最佳; 对于变脉宽系统, 导通角变化区间两端失真度相等时, 系统的平均失真最小。该结论在光伏电站控制系统电源的设计中得到了应用与验证。
上传时间： 2013-11-29
上传用户：Aeray
在DCM状态下选择：Uin－电源输入直流电压Uinmin－电源输入直流电压最小值D－占空比Np－初级绕组匝数Lp－初级绕组电感量Ae－磁芯有效面积Ip－初级峰值电流f－开关频率Ton－开关管导通时间I－初级绕组电流有效值η－开关电源效率J－电流密度
上传时间： 2013-12-16
上传用户：我们的船长
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
