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富士通半导体

  • 常用三星单片机烧写电压设置参考表

    常用三星单片机烧写电压设置参考表 烧写电压说明:Vdd 电压指烧写时加载到芯片Vdd 端子的逻辑电压,Vpp 电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V 是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp 电压均为12V,因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V 的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:将烧写器烧写座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp 端即可.当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好能在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104 的电容入地,可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp 脚而造成Vpp 击穿.S3F84K4 烧写特别说明,由于三星半导体DATA SHEET 要求在对该芯片进行烧写时,须在Vpp 脚加接一个101 的电容到地,因此在使用我站各款烧写器烧写84K4 时,须将烧写器主板上的Vpp 端原来并接的10uf/50V-电解电容和104 电容去掉,另行并接一个101 电容入地即可.不过,据本人特别测试结果,其实不做以上处理对烧写过程没有任何影响, 估计可能是三星半导体对芯片有做过改版,老版本的84K4 才会有以上特别要求,新版本是没有这个要求的.

    标签: 三星 单片机 烧写 电压设置

    上传时间: 2013-10-10

    上传用户:wcl168881111111

  • 高速SOC单片机C8051F

    高速SOC单片机 基于半导体集成技术的突飞猛进的发展各种类型的单片机正日新月异的涌向市场为单片机技术的应用人员提供了极大的方便INTEL公司在MCS48系列的基础上推出高性能的MCS51系列八位单片机而今三十二位单片机又以其强大的片内功能提供给应用者无论是那一种位数的单片机也无论是那一种系列的单片机都为新产品的开发应用系统的研制智能控制器的研究高新技术的应用创造了极其有力的硬件环境当前可以说由于世界各生产厂家生产通用型以及衍生出的五花八门的系列及型号的单片机使其单片机技术的应用已达到了无孔不入的地步当初面向工业控制功能的单片机现已远远超出了原设计者的想像然而占全球单片机销量60%65%左右的八位单片机仍是当前应用的主流就国内应用实践而言使用单片机数量最大的是八位单片机应用范围最广的是八位单片机八位单片机仍具有时代的魅力.

    标签: C8051F SOC 单片机

    上传时间: 2013-12-18

    上传用户:642778338

  • HT49R30A-1, HT49R50A-1,HT49R70

    HT49R30A-1, HT49R50A-1,HT49R70A-1,HT49RU80 LCD型单片机使用指南 希望客户通过这本LCD 型单片机使用手册,能以一种简单、有效、且完整的方法,实现他们在单片机上的各种应用。由于盛群半导体将单片机规格、程序规划和开发工具等信息结合在一本使用手册上,相信客户可充分利用盛群半导体各种单片机的特性,获得最大的产品优势

    标签: HT 49 30 50

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:gaoqinwu

  • HT46R47,HT46R22,HT46R23,HT46R2

    HT46R47,HT46R22,HT46R23,HT46R24 A/D型单片机使用手册 本手册分成三部份。关于一般的单片机的规格信息可在第一部份中找到。与单片机程序相关的信息,如指令集、指令定义和汇编语言编译伪指令,可在第二部份找到。第三部份则是关于盛群半导体的开发工具有关如何安装和使用的相关信息  

    标签: HT 46 22 23

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:英雄

  • 低压差线性稳压器NCP583应用指南

    安森美半导体拥有跨越全球的物流网络和强大的电源半导体系列器件,是电源、计算机、消费产品、便携/无线、汽车和工业等市场应用的工程师、采购人员、分销商、及电子代工制造商之首选电源方案供应商。

    标签: NCP 583 低压差线性稳压器 应用指南

    上传时间: 2013-10-16

    上传用户:xuanjie

  • ARM多端口存储器控制器PL176技术手册

     NXP半导体设计的LPC3000系列ARM芯片,适用于要求高性能和低功耗结合的嵌入式应用中。  NXP通过使用90纳米的处理技术,将一个带有矢量浮点协处理器的ARM926EJ-S CPU内核与一系列包括USB On-The-Go在内的标准外设结合起来,从而实现LPC3000的性能目标。LPC3000系列ARM可工作在高于266MHz的CPU频率下。ARM926EJ-S CPU内核加入5级流水处理并采用哈佛结构。该内核还具有一个完整的存储器管理单元(MMU),以提供支持现代操作系统多程序设计所需的虚拟存储器功能。ARM926EJ-S CPU内核还包含了带有单周期MAC操作的一系列DSP指令扩展,以及Jazelle Java字节代码执行。NXP实现的器件具有一个32kB指令高速缓存和32kB数据高速缓存。

    标签: ARM 176 PL 多端口

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:xiaowei314

  • LPC2470--ARM7TDMI-STM内核的16_32位

    LPC2470是NXP半导体公司针对各种高级通信、高质量图像显示等广泛应用场合而设计的一款具有极高集成度并且以ARM7TDMI-S为内核的微控制器,LPC2470微控制器没有Flash。LPC2470带有实时调试接口,包括JTAG和嵌入式跟踪,可以执行32位ARM指令和16位Thumb指令。

    标签: TDMI-STM 2470 LPC ARM

    上传时间: 2014-12-27

    上传用户:zhf01y

  • PCF8883应用笔记

    PCF8883T是NXP半导体最新推出的一款电容式接近开关,它采用了EDSIEN专利,用数字方法来检测遥感板的电容变化。通过使用连续自动校准功能,可以自动补偿静态的电容变化(而非动态的电容变化)。遥感板(如导电箔)可以直接连接到IC,也可以使用同轴电缆与IC远程连接。

    标签: 8883 PCF 应用笔记

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:XLHrest

  • PCF8883T电容接近式开关产品简介

    PCF8883T是NXP半导体最新推出的一款电容式接近开关,它采用了EDSIEN专利,用数字方法来检测遥感板的电容变化。

    标签: 8883T 8883 PCF 电容

    上传时间: 2013-11-25

    上传用户:yyxy

  • PCF8883T—电容接近式开关

    PCF8883T是NXP半导体最新推出的一款电容式接近开关,它采用了EDSIEN专利,用数字方法来检测遥感板的电容变化。通过使用连续自动校准功能,可以自动补偿静态的电容变化(而非动态的电容变化)。遥感板(如导电箔)可以直接连接到IC,也可以使用同轴电缆与IC远程连接。

    标签: 8883T 8883 PCF 电容

    上传时间: 2013-10-28

    上传用户:时代将军