摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
Holtek单片机源码：此应用示范了使用HT48C10单片机的 16 位定时计数器产生内部中断以实现计时功能。这个应用依靠系统时钟频率作为计时的基准。此处所示的应用使用了 400KHz的系统时钟，通过内部除四分频产生 100KHz 的定时/计数器时钟。对于一个 16 位的计数器最大计数值为 65536，这将每隔 0.65536 秒产生一个内部中断。但是时钟需要1秒作为基本时间单元。 因此定时/计数器被设置成记录0.5秒的基准时间，取两次中断可得到 1 秒的基准时间。这里的应用使用 4 个 7 段数码管显示24 小时制的时间，显示小时和分钟。而小时和分钟的调节由两个键来控制。
上传时间： 2017-01-22
上传用户：wmwai1314
一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计
标签： 电源抑制
上传时间： 2021-10-17
上传用户：kingwide
一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计
上传时间： 2021-10-17
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高精度曲率校正带隙基准电压源的设计68页
标签： 电压源
上传时间： 2021-10-17
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日常生活的电子产品和子系统变得越来越智能，这就需要其“大脑”（硅芯片）在面对现实环境中多种多样情况时，能够对各种可能最终影响系统行为和性能做出可预测和期望的反应。这时，基准电压源就出现在我们面前了。基准电压源是一种精密的器件，专门设计用来维持恒定的输出电压，即使在环境温度或者电源电压等参数变化的情况下也一样。基准电压源其精度之高，它能用于除数据转换器之外还能用于其他应用场合。你将在本文档中看到其应用的范围表明了，基准电压虽然不是一个新的概念，但它们是系统设计继续向前推进的一个组成部分。本文对基准电压源作了综合的概述，包括基础知识和设计应技巧。第一章重点介绍基准电压源的基本特征。作者探讨了在一定情况下，电源设计人员可能需要从一个拓扑结构中获得某些特性，同时利用另一个拓扑的优点。第二章研究了基准电压源性能和数据转换器的设计原则。第三章也是最后一章，讨论了基准电压源的灵活应用，如低漂移直流基准电压和电流源。
上传时间： 2022-07-11
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射频识别(Radio Frequency Identification，RFID)是一种允许非接触式数据采集的自动识别技术。其中工作在超高频(Ultra High Frequency，UHF)频段的无源RFID系统，由于在物流与供应链管理等领域的潜在应用，近年来得到了人们的广泛关注。这种系统所使用的无源标签具有识别距离长、体积小、成本低廉等突出特点。目前在市场上出现了各种品牌型号的UHF RFID无源标签，由于不同品牌型号的标签在设计与制造工艺上的差异，这些标签在性能表现上各不相同，这就给终端用户选择合适自己应用的标签带来了困难。RFID基准测试就是在实际部署RFID系统前对RFID标签的性能进行科学评估的有效手段。然而为了在常规实验室条件下得到准确公正的测试结果，需要对基准测试的性能指标及测试方法学开展进一步的研究。本文正是研究符合EPC Class1 Gen2标准的RFID标签基准测试。 本文首先分析了当前广泛应用的超高频无源RFID标签基准测试性能指标与测试方法上的局限性与不足之处。例如，在真实的应用环境中，由于受到各种环境因素的影响，对同一品牌型号的标签，很难得到一致的识读距离测试结果。另外，在某些测试场景中，使用识读速率作为测试指标，所得到的测试结果数值非常接近，以致分辨度不足以区分不同品牌型号标签的性能差异。在这些分析基础上，本文把路径损耗引入了RFID基准测试，通过有限点的测量与数据拟合分别得到不同类型标签的路径损耗方程，结合读写器天线的辐射方向图，进一步得到各种标签受限于读写器接收灵敏度的覆盖区域。无源标签由于其被动式能量获取方式，其实际工作区域仍然受限于前向链路。本文通过实验测试出这些标签的最小激活功率后，得出了各种标签在一定读写器发射功率下的激活区域。完成这些步骤后，根据这两种区域的交集可以确定标签的工作区域，从而进行标签间的比较并达到基准测试的目的，并能找出限制标签工作范围的瓶颈。 本文最后从功率损耗的角度研究了标签之间的相互干扰，为用户在密集部署RFID标签的场景中设置标签之间的最小间隔距离具有重要的参考意义。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：hbsunhui
恒流电路高精度，现了简单实用，由基准电压源，集成运算放大器及复合管组成的
上传时间： 2013-07-26
上传用户：qin1208
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
运放电路中的恒流源电路分析方法 普通镜像恒流源、多集电极恒流源、高精度镜像恒流源、高内阻恒流源和镜像微恒流源电路，以及恒流源电路输出电阻的计算等。 分析恒流源电路的方法是： （1）确定恒流源电路中的基准晶体管或场效应管； （2） 计算或确定基准电流； &nbbsp; （4）绘制恒流部分的交流通路，确定恒流源的内阻。 由于恒流源的内阻较大，计算恒流源内阻时不能忽略三极管集电极与发射极之间，或场效应管漏极与源极之间的动态电阻
上传时间： 2013-10-09
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