现代通信系统对带宽和数据速率的要求越来越高，超宽带(ultra-wideband，UWB)通信以其传输速率高、空间容量大、成本低、功耗低的优点，成为解决企业、家庭、公共场所等高速因特网接入的需求与越来越拥挤的频率资源分配之间的矛盾的技术手段。 论文主要围绕两方面展开分析：一是介绍用于UWB无载波脉冲调制及直接序列码分多址调制(DS-CDMA)的新型脉冲，即Hermite正交脉冲，并且分析了这种构建UWB多元通信和多用户通信的系统性能。二是分析了UWB的多带频分复用物理层提案(MBOA)的调制技术，并在FPGA上实现了调制模块。正交Hermite脉冲集被提出用于UWB的M元双正交调制系统，获得高数据速率。调整脉冲的脉宽因子和中心频率能使脉冲满足FCC的频谱要求。M元双正交调制的接收机需要M/2个相关器，远比M元正交调制所需的相关器数量少。误码率一定时，维数M的增加可获得高的比特率和低的信噪比。虽然高阶的Hermite脉冲易受抖动时延的影响，但当抖动时延范围小于0.02ns时，其影响较为不明显。本文认为1～8阶的Hermite脉冲皆可用，可构成16元双正交系统。 正交Hermite脉冲集也可以构造UWB多用户系统。各用户的信息用不同的Hermite脉冲同时传输，其多用户的误比特率上限低于高斯单脉冲构成的PPM多用户系统的误比特率，所以其系统性能更优。正交Hermite脉冲还可以用于UWB的DS-CDMA调制，在8个脉冲可用的情况下，最多可容64个用户同时通信。 基于MBOA提出的UWB物理层协议，本文用Verilog硬件语言实现了调制与解调结构，并用Modelsim做了时序验证。用Verilog编程实现的输出数据与Matlab生成的UWB建模的输出结果一致。为了达到UWBMB-OFDM系统的FFT处理器的要求，一个混和基多通道流水线的FFT算法结构被提出。其有效的实现方法也被提出。这种结构采用多通道以获得高的数据吞吐量。此外，它用于存储和复数乘法器的硬件损耗相比其他的FFT处理器是最少的。高基的FFT蝶算减少了复数乘法器的数量。在132MHz的工作频率下，整个128点FFT变换在此结构模式下只需要242.4ns,满足了MBOA的要求。
上传时间： 2013-07-29
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永磁无刷直流电动机是一种性能优越、应用前景广阔的电动机,传统的理论分析及设计方法已比较成熟,它的进一步推广应用,在很大程度上有赖于对控制策略的研究.该文提出了一套基于DSP的全数字无刷直流电动机模糊神经网络双模控制系统,将模糊控制和神经网络分别引入到无刷直流电动机的控制中来.充分利用模糊控制对参数变化不敏感,能够提高系统的快速性的特点,构造适用于调节较大速度偏差的模糊调节器,加快系统的调节速度;由于神经网络既具有非线性映射的能力,可逼近任何线性和非线性模型,又具有自学习、自收敛性,对被控对象无须精确建模,对参数变化有较强的鲁棒性的特点,构造三层BP神经网络调节器,来实现消除稳态偏差的精确控制.以速度偏差率为判断依据,实现模糊和神经网络两种控制模式的切换,使系统在不同速度偏差段快速调整、平滑运行.此外充分利用系统硬件构成的特点,采用适当的PWM输出切换策略,最大限度的抑制逆变桥换相死区;通过换相瞬时转矩公式推导和分析,得出在换相过程中保持导通相功率器件为恒通,即令PWM输出占空比D=1,来抑制定子电感对换相电流影响的控制策略.上述抑制换相死区和采用恒通电压的控制方法,减小了换相引起的转矩波动,使系统电流保持平滑、转矩脉动大幅度减小、系统响应更快、并具有较强的鲁棒性和实时性.在这种设计下,系统不仅能实现更精确的定位和更准确的速度调节,而且可以使无刷直流电动机长期工作在低速、大转矩、频繁起动的状态下.该文选用TMS320LF2407作为微控制器,将系统的参数自调整模糊控制算法,BP神经网络控制算法以及PWM输出,转子位置、速度、相电流检测计算等功能模块编程存储于DSP的E2PROM,实现了对无刷直流电动机的全数字实时控制,并得到了良好的实验结果的结果.
上传时间： 2013-06-01
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电容应变式压力传感器原理及检测电路设计:论述了电容应变式压力传感器的原理,给出了一种电容应变式压力传感器的电路,并分析了压力大小与电路输出电压之间的关系。关键词:电容传感器;压力;输出电
上传时间： 2013-06-26
上传用户：manking0408
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大 2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性 3.极高的精确度，在进行自动装配时有高度的准确性 4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性 5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计 6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性 7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源 8.由于ESR低，频率特性良好，故最适合于高频，高密度类型的电源
上传时间： 2013-04-24
上传用户：hull021
产品设计越来越趋向小型化，功能多样化，并对 SI，EMC 设计要求更为苛刻（如产品需认证SISPR16 CALSS B），根据单板的电源、地的种类、信号密度、板级工作频率、有特殊布线要求的信号数量，适当增加地平面是PCB 的EMC 设计的杀手锏之一。单面板，双面板已不能够满足复杂PCB 的设计要求，本文以四层板举例，讲述四层板的设置和相关的一些设计技巧，文中的有些观点，建议因为水平有限，错误之处在所难免，还望大家不断批评、指正。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：龙飞艇
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：ZOULIN58
本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是60CoC和电子辐照损伤的主要原因, 而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位.
上传时间： 2013-11-12
上传用户：gououo
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
基于PSCAD/EMTDC软件建立了电压型PWM整流器仿真模型，PWM整流器中直流侧电容的设计取值对双闭环控制结构中的电压环性能有重要影响。采用基于软件仿真验证的方法，在综合考虑直流侧电压跟随性能和纹波要求的情况下，给出了确定电容取值在较小范围的方法。该方法可在线调整电容数值，对实现PWM整流器直流侧电压的即时控制有一定实用价值。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：lilei900512
这里仅讨论电容及电感值的选取。种类的选取,则需要更多的工程实践,更多的RF电路的经验,这里不再讨论。从理论上讲,隔直电容、旁路电容的容量应满足。显然,在任何角频率下,这在工程上是作不到的。电容量究竟取多大是合理的呢？图1-5(a),(b)给出了隔直电容(多数情况下,这个电容又称为耦合电容)和旁路电容的使用简化
上传时间： 2013-11-12
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